一种光纤制备方法技术

本发明专利技术公开了一种光纤制备方法，包括如下步骤：步骤1：在半导体衬底上依次外延生长下波导层、下光限制层、激光器有源区和上光限制层，获得有光限制层结构的量子级联激光器外延芯片；步骤2：对外延芯片进行清洗；步骤3：在外延芯片表面均匀涂光刻胶；步骤4：采用全息曝光的方法，对光刻胶进行相应剂量和不同台面夹角的两次曝光；步骤5：对曝光处理后的外延芯片进行显影定形，得到光刻胶光栅图形；步骤6：将外延芯片进行坚膜处理，然后利用等离子去胶机去除残留的光刻胶。本发明专利技术由于将光纤制备工艺分阶段实施，拉丝工艺与光栅在线写入并涂覆工艺分开进行，工艺间的相互负面影响作用消除，控制更易实现，系统运行更趋稳定。

【技术实现步骤摘要】
一种光纤制备方法
本专利技术涉及一种制备方法，具体是一种光纤制备方法。
技术介绍
基于光纤光栅大容量分布式光纤传感系统具有广阔应用前景，其核心制备技术要求在一根长距离光纤上不同位置写入光栅而尽量少地引入接入损耗。传统光纤光栅制备方法是先制备光栅，再采用焊接技术将所有光栅串接起来，此方法造成显著的接入损耗。同时，焊接造成光纤结构损伤，导致系统可靠性变差。所以，很早科研工作者就开始探索在光纤拉制过程中进行光纤光栅制备，预制棒高温拉丝形成裸光纤的同时动态在线写入光栅，随即进行保护层涂覆及固化工艺，该方法有效避免焊接造成的接入损耗；同时避免因焊接引起的光纤结构损伤，系统可靠性明显改善。然而，传统光栅制备需要用多紫外激光脉冲照射光纤，而无法实现动态在线制备，所以科研工作者提出了单激光脉冲动态在线写光栅的方法。最早报道此方法的是南安普顿大学的LDong等人，采用单脉冲全息干涉法实现在光敏光纤拉制过程中动态在线写入光栅。之后美国海军实验室的Askins等人改进了上述制作方法，自动地在线写入反射波长不同的一系列光栅。虽然上述报道实现了动态条件下光栅在线写入，但此成栅方法存在几大难点，造成此方法很难形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光纤制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在半导体衬底上依次外延生长下波导层、下光限制层、激光器有源区和上光限制层，获得有光限制层结构的量子级联激光器外延芯片；步骤2：对外延芯片进行清洗；步骤3：在外延芯片表面均匀涂光刻胶；步骤4：采用全息曝光的方法，对光刻胶进行相应剂量和不同台面夹角的两次曝光；步骤5：对曝光处理后的外延芯片进行显影定形，得到光刻胶光栅图形；步骤6：将外延芯片进行坚膜处理，然后利用等离子去胶机去除残留的光刻胶；步骤7：以光刻胶光栅图形为掩膜腐蚀外延芯片，将光栅图形转移至光限制层上；步骤8：将光纤拉丝工艺与光纤保护层涂覆及光限制层分开进行；在光纤拉丝工艺制得的裸光纤上...

【技术特征摘要】
1.一种光纤制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在半导体衬底上依次外延生长下波导层、下光限制层、激光器有源区和上光限制层，获得有光限制层结构的量子级联激光器外延芯片；步骤2：对外延芯片进行清洗；步骤3：在外延芯片表面均匀涂光刻胶；步骤4：采用全息曝光的方法，对光刻胶进行相应剂量和不同台面夹角的两次曝光；步骤5：对曝光处理后的外延芯片进行显影定形，得到光刻胶光栅图形；步骤6：将外延芯片进行坚膜处理，然后利用等离子去胶机去除残留的光刻胶；步骤7：以光刻胶光栅图形为掩膜腐蚀外延芯片，将光栅图形转移至光限制层上；步骤8：将光纤拉丝工艺与光纤保护层涂覆及光限制层分开进行；在光纤拉丝工艺制得的裸光纤上在线连续写入光栅，随即进行保护层涂覆及保护层固化工艺；步骤9：利用有机溶剂清洗掉光刻胶光栅图形，制备出光栅，完成制备。2.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱巧芬，王华英，刘秀红，韩海燕，郎利影，王雪光，
申请(专利权)人：河北工程大学，
类型：发明
国别省市：河北,13