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本发明公开了一种光纤制备方法，包括如下步骤：步骤1：在半导体衬底上依次外延生长下波导层、下光限制层、激光器有源区和上光限制层，获得有光限制层结构的量子级联激光器外延芯片；步骤2：对外延芯片进行清洗；步骤3：在外延芯片表面均匀涂光刻胶；步骤4...
该专利属于河北工程大学所有，仅供学习研究参考，未经过河北工程大学授权不得商用。

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