一种无催化剂化学气相沉积制备 N 掺杂碳纳米线的方法技术
A method of preparation of N doped carbon nanowires without catalyst chemical vapor deposition
The invention relates to a catalyst free chemical method, preparation of N doped carbon nanowires deposition includes: polyurethane and polyurethane / potassium hydroxide, potassium hydroxide mixture; polyurethane / KOH mixture pre carbonation and carbonation, the carbon doped N nanowires. The invention uses cheap polyurethane and potassium hydroxide as raw materials, and without catalyst addition, solves the problem of high energy consumption and high cost of chemical vapor deposition currently used. The invention optimizes the ratio of polyurethane and potassium hydroxide, pre carbonization and carbonization temperature, and successfully prepared N doped carbon nanowires to avoid the agglomeration of carbon materials.
【技术实现步骤摘要】
一种无催化剂化学气相沉积制备N掺杂碳纳米线的方法
本专利技术涉及一种无催化剂化学气相沉积制备N掺杂碳纳米线的方法，属于碳纳米材料制备技术工艺领域。
技术介绍
材料是社会进步的物质基础与先导，纳米材料被誉为是21世纪的重要材料，将是构成未来智能社会的四大支柱之一。纳米材料具备一些传统材料不具备的特性，当前已渗透到国防建设、国民经济和人们的日常生活等各个领域，引领和支撑着一大批高新技术产业的发展。因此，研究和开发经济、简单及环境友好的新型碳纳米材料的制备工艺成为重要的研究方向之一。碳纳米线作为纳米材料的成员之一，具有优异的电学性能、光学性能和力学性能，这些特性引起了化学界、材料界和凝聚态物理界科学家们的关注，成为近年来纳米材料研究的热点之一。制备碳纳米线的方法主要包括电弧放电法、激光蒸发石墨法以及化学气相沉积法。其中，电弧放电法和激光蒸发石墨法用来合成石墨化程度高的碳纳米线，且工艺参数较易控制，因此已成为制备碳纳米管、碳纳米线等新型纳米材料的经典方法。但是，电弧放电法和激光蒸发石墨法的装置比较复杂，不容易规模化生产，使其发展受到一定的制约。化学气相沉积法是近几年发展起...
【技术保护点】
一种N掺杂的碳纳米线的制备方法，包括：将聚氨酯和氢氧化钾混合，得到聚氨酯/氢氧化钾混合物；将聚氨酯/氢氧化钾混合物预碳化和碳化，即得N掺杂的碳纳米线。
【技术特征摘要】
1.一种N掺杂的碳纳米线的制备方法，包括：将聚氨酯和氢氧化钾混合，得到聚氨酯/氢氧化钾混合物；将聚氨酯/氢氧化钾混合物预碳化和碳化，即得N掺杂的碳纳米线。2.根据权利要求1所述的N掺杂的碳纳米线的制备方法，其特征在于，所述的聚氨酯和氢氧化钾的质量比为1:4-1:5。3.根据权利要求1所述的N掺杂的碳纳米线的制备方法，其特征在于，所述的聚氨酯和氢氧化钾的混合过程通过研磨混合。4.根据权利要求1所述的N掺杂的碳纳米线的制备方法，其特征在于，所述的预碳化温度350-450℃。5.根据权利要求4所述的N掺杂的碳纳米线的制备方法，其特征在于，预碳化温度为400℃。6.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑逸群，李凤婷，刘靓蕾，王华，张军峰，侯士峰，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：山东,37
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