包括 LDMOS 晶体管、单片微波集成电路的半导体器件和方法技术

本公开涉及包括LDMOS晶体管、单片微波集成电路的半导体器件和方法。例如在一个实施例中，半导体器件包括：包括前表面的半导体衬底，前表面中的LDMOS晶体管结构，布置在前表面上的导电互连结构以及布置在前表面中的至少一个腔。

【技术实现步骤摘要】
包括LDMOS晶体管、单片微波集成电路的半导体器件和方法
本公开涉及半导体领域，更具体地，涉及包括LDMOS晶体管、单片微波集成电路的半导体器件和方法。
技术介绍
持续存在对适于工作在越来越高的频率(包括微波频率)下的固态电路的需要。如本文所用，术语“微波”旨在表示等于或大于约800兆赫的频率。已经创建了能够在这样的频率范围内提供增益的各种晶体管结构。LDMOS(侧向扩散金属氧化物半导体)晶体管是这种晶体管结构的一个示例。单片微波集成电路(MMIC)可以包括具有一个或多个LDMOS晶体管结构阵列的衬底，每个阵列提供放大电路的一级。MMIC还可以包括无源组件，例如布置在衬底表面上的电容器、电感器和电阻器，以完成电路。在高频时，电路组件之间的寄生耦合会限制性能。因此，需要进一步改进以减少用于较高频率的半导体器件(例如MMIC)中的寄生耦合。
技术实现思路
在一个实施例中，半导体器件包括半导体衬底，其包括前表面、该前表面中的LDMOS晶体管结构、布置在该前表面上的导电互连结构和布置在该前表面中的腔。在一个实施例中，单片微波集成电路包括半导体衬底，其具有前表面、该前表面中的LDMOS晶体管结构、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体衬底，包括前表面；LDMOS晶体管结构，位于所述前表面中；导电互连结构，布置在所述前表面上；以及腔，布置在所述前表面中。

【技术特征摘要】
2016.09.29 US 15/279,6491.一种半导体器件，包括：半导体衬底，包括前表面；LDMOS晶体管结构，位于所述前表面中；导电互连结构，布置在所述前表面上；以及腔，布置在所述前表面中。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述腔包括由所述半导体衬底限定的基部和侧壁、以及盖，所述盖包括绝缘材料、半导体材料和金属中的至少一种。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述腔布置在所述半导体衬底的位于无源组件下方的区域中，所述无源组件布置在所述前表面上。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述无源组件集成在所述导电互连结构中。5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述无源组件包括电感器、电阻器或电容器。6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述无源组件是平面电感器。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述腔包括形成在所述半导体衬底中的多个沟槽，所述多个沟槽通过形成在所述前表面上的连接腔耦合。8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括从所述前表面延伸到所述半导体衬底的后表面的导电通孔，所述导电通孔耦合到所述LDMOS晶体管结构的源极。9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述导电通孔包括邻近所述后表面的填充所述通孔的第一导电部分、和位于所述第一导电部分上的第二导电部分，所述第二导电部分沿所述通孔的侧面排列并且包围间隙。10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述间隙由一个或多个介电层密封以形成通孔腔。11.一种单片微波集成电路，包括：半导体衬底，包括前表面；LDMOS晶体管结构，位于所述前表面中；电容器，单片地布置在所述半导体衬底的所述前表面上；电感器，单片地布置在所述前表面上；平面互连结构，布置在所述前表面上并耦合所述LDMOS结构器件、所述电容器和所述电感器，以形成所述单片微波集成电路；以及腔，布置在所述半导体衬底中，位于所述电容器和所述电感器中的至少一...

【专利技术属性】
技术研发人员：H·布里施，A·布里纳，M·布劳恩，J·罗波尔，M·齐格尔德鲁姆，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE