温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开涉及包括LDMOS晶体管、单片微波集成电路的半导体器件和方法。例如在一个实施例中，半导体器件包括：包括前表面的半导体衬底，前表面中的LDMOS晶体管结构，布置在前表面上的导电互连结构以及布置在前表面中的至少一个腔。...
该专利属于英飞凌科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英飞凌科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。