MgO和TiO2掺杂ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法技术

本申请公开了一种MgO和TiO2掺杂ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法，包括:制备ZnO/SiO2基料，加入8～10wt％的TiO2，2～3wt％的MgO2，然后采用固相法烧结，烧结温度1250～1335℃。本发明专利技术添加MgO和TiO2后，陶瓷晶格具有了更高的活性，并且具有更宽的烧结范围。

Preparation of MgO and TiO2 doped ZnO/SiO2 microwave dielectric ceramics

The invention discloses a preparation method of MgO and TiO2 doped ZnO/SiO2 microwave dielectric ceramics, including preparing ZnO/SiO2 base materials, adding 8 ~ 10wt% TiO2, 2 to 3wt% MgO2, and then sintering by solid phase sintering, and sintering temperature is 1250~1335 degrees. After the addition of MgO and TiO2, the ceramic lattice has higher activity and has a wider sintering range.

【技术实现步骤摘要】
MgO和TiO2掺杂ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法
本申请属于通讯
，特别是涉及一种MgO和TiO2掺杂ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法。
技术介绍
近年来，为了适应电子元器件高频化发展需求，低介高频的陶瓷材料越来越成为研究的热点。ZnO/SiO2低介电常数陶瓷系统是一种新型的微波介质陶瓷体系，该陶瓷体系具有较小的介电常数和优异的微波性能，但是烧结温度较高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种MgO和TiO2掺杂ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法，以克服现有技术中的不足。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：本申请实施例公开一种MgO和TiO2掺杂ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法，包括:制备ZnO/SiO2基料，加入8～10wt％的TiO2，2～3wt％的MgO2，然后采用固相法烧结，烧结温度1250～1335℃。优选的，在上述的MgO和TiO2掺杂ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法中，ZnO/SiO2基料采用固相法合成。优选的，在上述的MgO和TiO2掺杂ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法中，固相法合成ZnO/SiO2基料方法包括：(1)、ZnO和SiO2按照摩尔比2:1计量；(2)、球磨：将按配方称好的粉料放入尼龙球磨罐中，以无水乙醇作为球磨介质，氧化锆为磨球，利用变频式行星球磨机球磨，球磨转速365rpm，按照原料：磨球：无水乙醇＝1:3:2比例球磨10～15小时；(3)、烘干、过筛：将球磨后浆料在干燥箱中进行干燥，干燥温度80℃，干燥时间20min，干燥完成后采用100目的筛子过筛；(4)、预烧：在氧化铝坩埚中于1100℃预烧4小时。优选的，在上述的MgO和TiO2掺杂ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法中，TiO2含量为10wt％；MgO2含量为3wt％。优选的，在上述的MgO和TiO2掺杂ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法中，烧结温度为1300℃。与现有技术相比，本专利技术的优点在于：本专利技术添加MgO和TiO2后，陶瓷晶格具有了更高的活性，并且具有更宽的烧结范围。具体实施方式本专利技术通过下列实施例作进一步说明：根据下述实施例，可以更好地理解本专利技术。然而，本领域的技术人员容易理解，实施例所描述的具体的物料比、工艺条件及其结果仅用于说明本专利技术，而不应当也不会限制权利要求书中所详细描述的本专利技术。本实施例中，MgO和TiO2掺杂ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法，包括:(1)、制备ZnO/SiO2基料；(2)、加入10wt％的TiO2，加入3wt％的MgO2；(3)、球磨：将料放入尼龙球磨罐中，以无水乙醇作为球磨介质，氧化锆为磨球，利用变频式行星球磨机球磨，球磨转速365rpm，按照原料：磨球：无水乙醇＝1:3:2比例球磨15小时；(4)、烘干、过筛：将球磨后浆料在干燥箱中进行干燥，干燥温度100℃，干燥时间20min，干燥完成后采用40目的筛子过筛，获得陶瓷粉料；(5)造粒：在陶瓷粉料中加入8wt％的聚乙烯醇，充分研磨后再过筛；(6)、干压成型：将造粒好的陶瓷粉料在180MPa的压力下压制成圆柱形陶瓷生坯或圆片；(7)、烧结：在500℃排胶1小时，然后按照5℃/min速率升至1300℃保温2小时；(8)、冷却至室温：首先以1℃/min的速率降到1000℃，再以100℃/小时的速率降到800℃，然后自然冷却至常温。制备ZnO/SiO2基料的制备方法包括：(1)、ZnO和SiO2按照摩尔比2:1计量；(2)、球磨：将按配方称好的粉料放入尼龙球磨罐中，以无水乙醇作为球磨介质，氧化锆为磨球，利用变频式行星球磨机球磨，球磨转速365rpm，按照原料：磨球：无水乙醇＝1:3:2比例球磨15小时；(3)、烘干、过筛：将球磨后浆料在干燥箱中进行干燥，干燥温度80℃，干燥时间20min，干燥完成后采用100目的筛子过筛；(4)、预烧：在氧化铝坩埚中于1100℃预烧4小时。添加MgO和TiO2后，陶瓷晶格具有了更高的活性，并且具有更宽的烧结范围。将烧结好的陶瓷粉体进行测试，测试项目包括介电常数、品质因数和温度系数，所用仪器型号为HP8703A，测试腔体为Φ30×t28mm的镀银铝腔，其性能参数如下：介电常数＝8.21，品质因数＝42100GHz，温度系数＝-12.2ppm/℃。最后，还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MgO和TiO2掺杂ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，包括:制备ZnO/SiO2基料，加入8～10wt％的TiO2，2～3wt％的MgO2，然后采用固相法烧结，烧结温度1250～1335℃。

【技术特征摘要】
1.一种MgO和TiO2掺杂ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，包括:制备ZnO/SiO2基料，加入8～10wt％的TiO2，2～3wt％的MgO2，然后采用固相法烧结，烧结温度1250～1335℃。2.根据权利要求1所述的MgO和TiO2掺杂ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于：ZnO/SiO2基料采用固相法合成。3.根据权利要求2所述的MgO和TiO2掺杂ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于：固相法合成ZnO/SiO2基料方法包括：(1)、ZnO和SiO2按照摩尔比2:1计量；(2)、球磨：将按配方称好的粉料放入尼龙球磨罐中，以...

【专利技术属性】
技术研发人员：施海月，
申请(专利权)人：施海月，
类型：发明
国别省市：江苏,32