一种WO3包覆TZO粉体的制备及其烧结方法技术

一种TZO‑WO3包覆粉末的制备及其烧结方法。本发明专利技术属于非金属元素及其化合物。本发明专利技术公开了一种新的工艺来制备WO3掺杂TZO靶材。本发明专利技术的优点在于用一种新的掺杂工艺来代替传统的球磨掺杂，得到充分混合、均匀掺杂的粉体。适用于微量(0.2‑0.5at％)的WO3粉末掺杂，就可制备出致密度99％，强度大于118MPa，电阻率小于5×10

Preparation of a WO3 coated TZO powder and its sintering method

【技术实现步骤摘要】
一种WO3包覆TZO粉体的制备及其烧结方法
：本专利技术属于无机非金属元素及其化合物。
技术介绍
：TZO(氧化锌钛)薄膜是一种被广泛研究的功能材料。TZO透明导电膜性能稳定、制备简单、成本低廉，是新一代透明导电膜，有可能替代昂贵的ITO，在薄膜，在平板显示、太阳能电池、节能玻璃、智能玻璃等领域有广泛的应用前景。TZO薄膜的制备方法主要有：物理气相沉积、化学气相沉积、溶胶-凝胶等各种方法。由于物理气相沉积制备的TZO薄膜与基体的结合强度高、沉积效率高、工艺成熟稳定而被广泛应用。而用物理气相沉积制备TZO薄膜需要使用高密度TZO靶材，通过能量束轰击TZO靶材将其气化，再沉积到基体表面形成透明导电膜。微量的WO3掺杂能降低TZO的烧结温度，促进其烧结的致密化，提高靶材的密度、强度及导电性，从而提高镀膜质量。
技术实现思路
：本专利技术公开了一种WO3包覆TZO粉体的制备及其烧结方法。其特征是用偏钨酸铵溶于水的特性，将TZO粉体在偏钨酸铵水溶液中湿磨，干燥后在TZO粉体表面形成分散均匀的偏钨酸铵包覆层，然后通过偏钨酸铵在400-600℃下的热解在TZO表面形成分散均匀的的WO3包覆层，从而制备本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新的方法制备WO3包覆TZO(氧化锌钛)粉体，其特征是用偏钨酸铵((NH4)6H2W12O40·xH2O)溶于水的特性，将TZO粉体在偏钨酸铵水溶液中湿磨，干燥后在TZO粉体表面形成分散均匀的偏钨酸铵包覆层，然后通过偏钨酸铵在400‑600℃下的热解在TZO表面形成分散均匀的的WO3包覆层，从而制备出WO3包覆TZO粉体，实现WO3的均匀掺杂。

【技术特征摘要】
1.一种新的方法制备WO3包覆TZO(氧化锌钛)粉体，其特征是用偏钨酸铵((NH4)6H2W12O40·xH2O)溶于水的特性，将TZO粉体在偏钨酸铵水溶液中湿磨，干燥后在TZO粉体表面形成分散均匀的偏钨酸铵包覆层，然后通过偏钨酸铵在400-600℃下的热解在TZO表面形成分散均匀的的WO3包覆层，从而制备出WO3包覆TZO粉体，实现WO3的均匀掺杂。2.对权利要求1所述的WO3包覆TZO粉体，通过加成型剂-干燥-过筛-成型-烧结等工序，可制备出密度高于5....

【专利技术属性】
技术研发人员：杨海涛，高玲，尚福亮，朱佐祥，彭伟，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：广东,44