一种无支撑单一取向碳纳米管薄膜的制备及转移方法技术

本发明专利技术公开了一种无支撑单一取向碳纳米管薄膜的制备及转移方法，属于纳米结构制备和加工领域。包含以下步骤：S1、通过蒸发诱导自组装，在成膜衬底上制备碳纳米管薄膜；S2、将所述成膜衬底与所述碳纳米管薄膜利用水溶液进行剥离，得到分离后的碳纳米管薄膜；S3、将所述分离后的碳纳米管薄膜转移到目标衬底上。本发明专利技术中定向排列碳纳米管薄膜于衬底上的剥离采用的是水溶液剥离法，不需要其他化学试剂以及机械外力的辅助，去离子水不仅不会对碳纳米产生损伤，而且还对碳纳米管表面包覆的表面活性剂起到清洗作用。

Preparation and transfer of a single oriented single oriented carbon nanotube film without support

The invention discloses a preparation and transfer method of unsupported single oriented carbon nanotube film, which belongs to the field of preparation and processing of nanostructures. Contains the following steps: S1, through evaporation induced self-assembly, preparation of carbon nanotube films in the film substrate; S2, the film substrate and the carbon nanotube film stripping by aqueous solution, obtained after separation of the carbon nanotube film; S3, the separation of the carbon nanotube film transfer to the target substrate. The invention of stripping aligned carbon nanotube film on a substrate with the aqueous solution is peeling, do not need other chemical reagents and auxiliary mechanical force, deionized water not only to produce carbon nano damage, but also to the cleaning effect of surface active agent of surface coating of carbon nanotubes.

【技术实现步骤摘要】
一种无支撑单一取向碳纳米管薄膜的制备及转移方法
本专利技术属于纳米结构制备和加工
，具体涉及一种单一取向碳纳米管薄膜的制备与自支撑转移的方法。
技术介绍
自从上世纪九十年代碳纳米管发现至今，碳纳米管所具有的独特结构以及所表现出来的优异力、热、光、电等特性吸引了无数研究人员的关注。而碳纳米管薄膜用于制备电子、光子、光电子器件时，网络结构碳纳米管薄膜中碳纳米管间的接触点会对载流子输运产生散射作用，从而影响碳纳米管微纳器件性能的充分发挥，单一取向碳纳米管薄膜的排布是制备高性能微纳电子器件的前提。虽然目前采用气相沉积方法能够生长制备单一取向碳纳米管阵列，但是生长制备的碳纳米管阵列薄膜中不仅含有催化剂杂质，而且还含有大量金属性碳纳米管，从而影响了器件的性能。近几年，报道了多种碳纳米管结构分离的方法，例如凝胶色谱法、密度离心法、两相法等，随之出现了利用分散液制备碳纳米管薄膜的方法，如L-B膜法、旋涂法、抽滤等，以及在特定衬底上排布单一取向碳纳米管薄膜的方法，如蒸发诱导法、喷墨打印、电泳等。虽然这些技术实现了单一取向碳纳米管薄膜的可控制备，但是不同方法对衬底有一定要求，从而限制了其应用范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无支撑单一取向碳纳米管薄膜的制备及转移方法，其特征在于，包括步骤：S1、通过蒸发诱导自组装，在成膜衬底上制备碳纳米管薄膜；S2、将所述成膜衬底与所述碳纳米管薄膜利用水溶液进行剥离，得到分离后的碳纳米管薄膜；S3、将所述分离后的碳纳米管薄膜转移到目标衬底上。

【技术特征摘要】
1.一种无支撑单一取向碳纳米管薄膜的制备及转移方法，其特征在于，包括步骤：S1、通过蒸发诱导自组装，在成膜衬底上制备碳纳米管薄膜；S2、将所述成膜衬底与所述碳纳米管薄膜利用水溶液进行剥离，得到分离后的碳纳米管薄膜；S3、将所述分离后的碳纳米管薄膜转移到目标衬底上。2.如权利要求1所述的无支撑单一取向碳纳米管薄膜的制备及转移方法，其特征在于，所述步骤S1是将成膜衬底插入碳纳米管溶液中，溶液蒸发过程中碳纳米管规则的排列在衬底表面。3.如权利要求2所述的无支撑单一取向碳纳米管薄膜的制备及转移方法，其特征在于，在将所述成膜衬底插入碳纳米管溶液之前对成膜衬底进行水浴超声清洗，并用氮气吹干。4.如权利要求1所述的无支撑单一取向碳纳米管薄膜的制备及转移方法，其特征在于，所述步骤S2是...

【专利技术属性】
技术研发人员：李仕龙，刘华平，周维亚，解思深，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11