一种中高压沟槽型功率器件的终端结构及其制作方法技术
Terminal structure and fabrication method of a medium and high pressure channel power device
The invention discloses a terminal structure and a manufacturing method of a medium high pressure groove type power device, which belongs to the technical field of semiconductor power device preparation. The terminal area of the terminal structure has at least one groove, and both sides of the groove have surface nodes. One side near the active area is n type injection junction, one side far away from the active area is p type injection junction, and there are stuffing in the groove. The invention can ensure that the device has a high breakdown voltage while reducing the area of the terminal protection area and reducing the chip manufacturing cost. On the other hand, it can reduce the influence of parasitic charge and improve the reliability of the device.
【技术实现步骤摘要】
一种中高压沟槽型功率器件的终端结构及其制作方法
本专利技术属于半导体功率器件制备
，特别涉及一种中高压沟槽型功率器件的终端结构及其制作方法。
技术介绍
绝缘栅双极晶体管IGBT是新型的大功率器件，它集MOSFET栅极电压控制特性和双极型晶体管低导通电阻特性于一身，改善了器件耐压和导通电阻相互牵制的情况，具有高电压、大电流、高频率、功率集成密度高、输入阻抗大、导通电阻小、开关损耗低等优点。在变频家电、工业控制、电动及混合动力汽车、新能源、智能电网等诸多领域获得了广泛的应用空间。高压器件设计的一个难点是合理的终端设计以保证耐压。目前已经有很多种方法用于终端设计，比如场限环结构FLR、场板终端FP、FLR结合FP、结终端延伸结构JTE等等。通过优化，终端的设计耐压能够接近理想状态值。但是，即便是精心设计，终端区域钝化层和界面电荷的存在还是能极大降低器件的耐压能力。针对这个问题，结终端延伸结构JTE通过增加浓度来增强抗正电荷影响的能力，但这会导致器件能承受的最大耐压会降低。优化的场限环结构FLR结合场板终端FP技术能改善抗正电荷影响能力，但会导致终端面积的增加。另外...
【技术保护点】
一种中高压沟槽型功率器件的终端结构，其特征在于，在功率器件的终端区域至少有一个沟槽，所述沟槽的两侧均有表面结，靠近有源区的一侧为n型注入结，远离有源区的一侧为p型注入结，所述沟槽内有填充物。
【技术特征摘要】
2012.11.23 CN 201210484761X1.一种中高压沟槽型功率器件的终端结构，其特征在于，在功率器件的终端区域至少有一个沟槽，所述沟槽的两侧均有表面结，靠近有源区的一侧为n型注入结，远离有源区的一侧为p型注入结，所述沟槽内有填充物。2.根据权利要求1所述的终端结构，其特征在于，所述表面结的浓度均大于所述功率器件的漂移区浓度。3.根据权利要求1所述的终端结构，其特征在于，所述表面结的结深小于所述沟槽的槽深。4.根据权利要求3所述的终端结构，其特征在于，所述表面结的结深均为0.4-4um。5.根据权利要求3所述的终端结构，其特征在于，所述沟槽的深度范围为2-15um，所述沟槽的宽度范围为0.5-5um。6.根据权利要求1所述的终端结构，其特征在于，所述填充物为钝化物或者导电物质。7.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：喻巧群，朱阳军，卢烁今，田晓丽，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，上海联星电子有限公司，江苏中科君芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。