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本发明公开了一种中高压沟槽型功率器件的终端结构及其制作方法，属于半导体功率器件制备技术领域。该终端结构的终端区域至少有一个沟槽，沟槽的两侧均有表面结，靠近有源区的一侧为n型注入结，远离有源区的一侧为p型注入结，沟槽内有填充物。本发明一方面可...该专利属于中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司授权不得商用。