一种阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施例提供了一种阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，使得像素电极下方或上方的有机材料中的排气难以渗透到下方的有源层中，保证了TFT器件的稳定性。该阵列基板包括有源层；栅极绝缘层；栅极；层间绝缘层；源极、漏极；钝化层；像素电极；源极通过贯穿层间绝缘层、栅极绝缘层的第一过孔与有源层连接，漏极通过贯穿层间绝缘层、栅极绝缘层的第二过孔与有源层连接；或者，源极通过贯穿层间绝缘层的第一过孔与有源层连接，漏极通过贯穿层间绝缘层的第二过孔与有源层连接；钝化层的部分区域覆盖在漏极位于第二过孔内的部分上；像素电极通过贯穿钝化层的第三过孔与漏极连接。

An array substrate and display device

The embodiment of the utility model provides an array substrate and display device, and relates to the display technology field, so that the exhaust from the organic material below or below the pixel electrode is hard to penetrate into the active layer below, which ensures the stability of the TFT device. The array substrate includes an active layer; a gate insulating layer; gate; interlayer insulating layer; the source electrode and the drain electrode; passivation layer; a pixel electrode; the source through the interlayer insulating layer, a gate insulating layer of the first through-hole and the active layer connected through the drain layer, a gate insulating layer between the insulating layer the second hole and connected through the active layer; or, the source through the first interlayer insulating layer and the active layer connection hole, drain through the interlayer insulating layer and the active layer second vias connected by a passivation layer covering part of the area; the drain hole is located in the second part; the pixel electrode through the passivation layer third is connected to the drain hole.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及显示装置
本技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。
技术介绍
阵列基板通常包括设置在基板上的呈阵列排布的多个像素单元，每个像素单元具体包括：TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)和由该TFT控制的像素电极。在TFT的结构中，相对于作为衬底的基板，漏极通常设置在有源层上方，并通过位于二者之间的绝缘层上的过孔与下方的有源层连接；像素电极通常设置在TFT的上方，并通过位于二者之间的绝缘层上的过孔与下方的TFT漏极连接。像素电极通常设置在平坦层或钝化层表面，当像素电极具体为OLED器件(OrganicLight-EmittingDiode，有机电致发光二极管)的阳极时，其上还设置有像素界定层，由于平坦层、像素界定层通常均为有机材料，有机材料中排出的气体容易通过像素电极与有源层之间的各过孔结构渗透到下方的有源层中，影响有源层的材料稳定性，进而影响TFT的电学特性。
技术实现思路
鉴于此，为解决现有技术的问题，本技术的实施例提供一种阵列基板及显示装置，该阵列基板中TFT的漏极与有源层相连的过孔处还覆盖有钝化层作为保护，使得像素电极下方或上方的有机材料中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括衬底基板；所述衬底基板划分有多个像素区域；其特征在于，所述阵列基板还包括：位于所述衬底基板上方、且设置在每个所述像素区域内的有源层；位于所述有源层上方的栅极绝缘层；位于所述栅极绝缘层上方、且对应于所述有源层的栅极；位于所述栅极上方的层间绝缘层；位于所述层间绝缘层上方的源极、漏极；位于所述源极、所述漏极上方的钝化层；位于所述钝化层上方的像素电极；其中，所述源极通过贯穿所述层间绝缘层、所述栅极绝缘层的第一过孔与所述有源层连接，所述漏极通过贯穿所述层间绝缘层、所述栅极绝缘层的第二过孔与所述有源层连接；或者，所述栅极绝缘层仅位于所述有源层上对应于所述栅极的区域内，所述源极通过贯穿所述...

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括衬底基板；所述衬底基板划分有多个像素区域；其特征在于，所述阵列基板还包括：位于所述衬底基板上方、且设置在每个所述像素区域内的有源层；位于所述有源层上方的栅极绝缘层；位于所述栅极绝缘层上方、且对应于所述有源层的栅极；位于所述栅极上方的层间绝缘层；位于所述层间绝缘层上方的源极、漏极；位于所述源极、所述漏极上方的钝化层；位于所述钝化层上方的像素电极；其中，所述源极通过贯穿所述层间绝缘层、所述栅极绝缘层的第一过孔与所述有源层连接，所述漏极通过贯穿所述层间绝缘层、所述栅极绝缘层的第二过孔与所述有源层连接；或者，所述栅极绝缘层仅位于所述有源层上对应于所述栅极的区域内，所述源极通过贯穿所述层间绝缘层的第一过孔与所述有源层连接，所述漏极通过贯穿所述层间绝缘层的第二过孔与所述有源层连接；所述钝化层的部分区域覆盖在所述漏极位于所述第二过孔内的部分上；所述像素电极通过贯穿所述钝化层的第三过孔与下方的所述漏极连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述漏极包括：位于所述第二过孔内的漏极第一部分和位于所述层间绝缘层上的漏极第二部分；所述第三过孔对应于所述漏极第二部分。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：设置在所述钝化层上的平坦层；所述平坦层上设置有对应于所述第三过孔的第四过孔；所述像素电极包括：位于所述第三过孔内的像素电极第一部分、位于所述第四过孔内的像素电极第二部分和位于所述平坦层上的像素电极第三部分；其中，所述第四过孔在所述衬底基板上的正投影完全覆盖所述第三过孔在所述衬底基板上的正投影；所述像素电极第一部分与所述漏极第二部分直接相连。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：程鸿飞，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11