一种新型双层磁性绝缘硅复合材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种新型双层磁性绝缘硅复合材料及其制备方法，包含由磁性层和绝缘层组成的中间层；所述中间层的上表面和下表面分别设置有单晶硅片；所述绝缘层，包含二氧化硅基多元复合材料层；所述二氧化硅基多元复合材料层的上表面设置有磁性层；所述磁性层的上表面设置有第一二氧化硅膜层；所述二氧化硅基多元复合材料层的下表面设置有第二二氧化硅膜层；本发明专利技术的新型双层磁性绝缘硅复合材料具有完整的单晶硅晶格结构，所述磁性层和绝缘层的各组分的厚度和深度分布可调，制成的产品同时具有电学和磁性性能，且性能优良，不需采用复杂昂贵设备，整体制备工艺简单、易行、低成本。

【技术实现步骤摘要】
一种新型双层磁性绝缘硅复合材料及其制备方法
本专利技术新型涉及一种低成本、高性能、易加工的新型双层磁性绝缘硅复合材料及其制备方法。
技术介绍
SOI（SiliconOnInsulator）绝缘硅材料因其独特优良的性能近期得到了广泛的重视和应用。通过绝缘埋层，SOI绝缘硅材料实现了片上器件与衬底的全介质隔离，从而减小了寄生电容、降低了功耗、提高了运算速度、消除了闩锁效应；又由于与现有硅半导体工艺兼容，使其被公认为“21世纪的硅集成电路技术”，发展前景不可限量。单晶硅是一种半导体材料，可以根据半导体的特性掺杂来改变自身的性质，因此可以向硅中掺入磁性元素使其具有磁性，通过这种方式制成的磁性半导体材料兼具半导体性质和磁学性质。以前制备SOI绝缘硅材料的方法主要有两大类型：离子注入法和键合法，前者通过离子注入在硅片表面下一定距离内形成氧化硅埋层，后者通过硅片间水或其它物质在高温下形成片间氧化硅层并使两片硅片合二为一。上述两大类型制备工艺均具有严重的缺陷，离子注入会使单晶硅晶格结构遭受严重破坏，能量越高损伤越大；注入的离子虽经退火后可以在表面下一定空间内形成氧化硅层，但这只是SiO2和SiOx的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型双层磁性绝缘硅复合材料，包含由磁性层和绝缘层组成的中间层；所述中间层的上表面和下表面分别设置单晶硅片；其特征在于：所述绝缘层，包含二氧化硅基多元复合材料层；所述磁性层，包含磁性功能材料层；磁性层的上表面设置有第一二氧化硅膜层，下表面设置二氧化硅基多元复合材料层，二氧化硅基多元复合材料层的下表面设置有第二二氧化硅膜层。

【技术特征摘要】
1.一种新型双层磁性绝缘硅复合材料，包含由磁性层和绝缘层组成的中间层；所述中间层的上表面和下表面分别设置单晶硅片；其特征在于：所述绝缘层，包含二氧化硅基多元复合材料层；所述磁性层，包含磁性功能材料层；磁性层的上表面设置有第一二氧化硅膜层，下表面设置二氧化硅基多元复合材料层，二氧化硅基多元复合材料层的下表面设置有第二二氧化硅膜层。2.根据权利要求1所述的新型双层磁性绝缘硅复合材料，其特征在于：所述二氧化硅基多元复合材料层由二氧化硅基多元无机复合材料制成；所述磁性层是由铁氧体材料制成。3.根据权利要求1所述的新型双层磁性绝缘硅复合材料，其特征在于：所述新型双层磁性绝缘硅复合材料的层间结构为Si-SiO2-磁性材料层-复合材料层-SiO2-Si。4.上述权利要求之一所述新型双层磁性绝缘硅复合材料的制备方法：包含以下步骤：①、分别在单晶硅片A和B的一个表面上热生长出一层二氧化硅膜层；②、采用溅射成膜工艺将磁性材料均匀涂镀于硅片A的二氧化硅膜层外表面，形成平整的复合材料层；③、将二氧化硅基多元复合材料用有机挥发性溶剂溶解分散后，分别均匀涂镀于硅片A和B的膜层外表面上，形成平整的二氧化硅基多元复合材料层；④、将③中获得的两份样品相对叠加在一起，使两者的二氧化硅基多元复合材料层紧密贴合在一起，然后均匀加压；⑤、将④中获得的样品送入超净真空炉内，然后缓慢升温，至熔凝温度后恒温，...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄志强，
申请(专利权)人：常州晶麒新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32