高散热等线距堆栈芯片封装结构及其封装方法技术

本发明专利技术提供一种高散热等线距堆栈芯片的封装结构，其包含：第一玻璃基板、第一集成电路装置、第一异方性导电胶、第二玻璃基板、第二集成电路装置、第二异方性导电胶以及封装主体。

【技术实现步骤摘要】
高散热等线距堆栈芯片封装结构及其封装方法
本专利技术是关于堆栈芯片封装结构及其封装方法，尤其关于一种利用晶粒玻璃接合技术而堆栈芯片封装结构及其制造方法。
技术介绍
因数据量庞大，对于效能需求的增加，目前服务器大多需使用多个中央处理器(CentralProcessingUnit,CPU)进行运算处理，不论是双处理器、四处理器或是更多的处理器，在现有的架构，都是将每个处理器分别设置在主板的各个位置，再进行电路设计布局。此种方式至少有两个重大的缺失，其一是每个处理器都具有多个针脚需连接于主板，且还有时序的问题，因此大幅度地增加电路布线的复杂度；其二是每个处理器都会占用主板的空间，当处理器数量的增加，对应也需不断地扩大主板的尺寸，使得主机的体积会非常庞大，以上两个缺失的结合，会造成服务器整体结构设计非常困难。虽有习知技术将多个CPU的积体电路（也称集成电路，IC)，或称芯片(chip)、晶粒(die)、裸晶进行堆栈后封装，但这些先前技术分别仍有缺失和相异于本专利技术之处如下述说明。中国专利技术专利CN101107710B所堆栈的为不同尺寸的集成电路（即积体电路），其作用也不相同，上面集成电路本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高散热等线距堆栈芯片封装结构，其特征是，包含：第一玻璃基板，其包含第一基板表面、第二基板表面及贯通所述第一基板表面和所述第二基板表面的第一导溢孔，所述第一导溢孔设于所述第一玻璃基板的中央，所述第一基板表面包含第一基板线路，所述第一基板线路包含复数个第一基板接点和复数个第一基板导电凸块，所述这些第一基板导电凸块设于所述第一玻璃基板的边缘，这些第一基板接点设于所述第一导溢孔的周围；第一积体电路装置，其包含复数个第一装置导电凸块，是这些第一装置导电凸块电性连接于这些第一基板接点；第一异方性导电胶，其设于所述第一装置导电凸块和所述第一基板接点的周围，并通过所述第一导溢孔导溢；第二玻璃基板，其包含第...

【技术特征摘要】
1.一种高散热等线距堆栈芯片封装结构，其特征是，包含：第一玻璃基板，其包含第一基板表面、第二基板表面及贯通所述第一基板表面和所述第二基板表面的第一导溢孔，所述第一导溢孔设于所述第一玻璃基板的中央，所述第一基板表面包含第一基板线路，所述第一基板线路包含复数个第一基板接点和复数个第一基板导电凸块，所述这些第一基板导电凸块设于所述第一玻璃基板的边缘，这些第一基板接点设于所述第一导溢孔的周围；第一积体电路装置，其包含复数个第一装置导电凸块，是这些第一装置导电凸块电性连接于这些第一基板接点；第一异方性导电胶，其设于所述第一装置导电凸块和所述第一基板接点的周围，并通过所述第一导溢孔导溢；第二玻璃基板，其包含第三基板表面、第四基板表面及贯通所述第三基板表面和所述第四基板表面的第二导溢孔，所述第二导溢孔设于所述第二玻璃基板的中央，所述第三基板表面包含第二基板线路，所述第二基板线路包含复数个第二基板接点和复数个第二基板导电凸块，所述这些第二基板导电凸块设于所述第二玻璃基板的边缘，所述第二基板接点设于所述第二导溢孔的周围；第二积体电路装置，其包含复数个第二装置导电凸块，所述第二装置导电凸块电性连接于所述第二基板接点；第二异方性导电胶，其设于所述第二装置导电凸块和所述第二基板接点的周围，并通过所述第二导溢孔导溢；以及封装主体，其包含第一主体表面及第二主体表面，所述第一主体表面包含凹槽及主体线路，所述第一积体电路装置和所述第一玻璃基板设于所述凹槽内，所述第一基板导电凸块电性连接于所述主体线路，所述第二积体电路装置和所述第二玻璃基板设于所述第一玻璃基板的上方，所述第二基板导电凸块电性连接于所述主体线路。2.如权利要求1所述高散热等线距堆栈芯片封装结构，其特征是，所述第一玻璃基板进一步包含抗干扰金属线路镀层。3.如权利要求1所述的高散热等线距堆栈芯片封装结构，其特征是，所述第二玻璃基板进一步包含抗干扰金属线路镀层。4.如权利要求1所述的高散热等线距堆栈芯片封装结构，其特征是，所述第一积体电路装置和所述第二积体电路装置为具有相同功能的积体电路装置，且所述第一积体电路装置和所述第二积体电路装置的尺寸相同。5.如权利要求1所述的高散热等线距堆栈芯片封装结构，其特征是，所述凹槽为阶梯状。6.如权利要求1所述的高散热等线距堆栈芯片封装结构，其特征是，所述第一主体表面还包含复数个锡球，所述锡球电性连接于所述主体线路。7.如权利要求6所...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱能煌，江进良，
申请(专利权)人：贵州贵芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：贵州,52