暴露（110）晶面的BiOX微米棒及其合成方法技术

本发明专利技术公开了一种暴露(110)晶面的BiOX微米棒及其合成方法，本发明专利技术填补了科研的空白，并且该合成方法将含有Bi

BiOX micron rods exposed to (110) crystal surfaces and their synthesis methods

The invention discloses a BiOX micron rod which exposes (110) crystal surface and its synthesis method. The invention fills the blank of scientific research, and the synthetic method will contain Bi

【技术实现步骤摘要】
暴露(110)晶面的BiOX微米棒及其合成方法
本专利技术涉及纳米材料，具体地，涉及一种暴露(110)晶面的BiOX微米棒及其合成方法。
技术介绍
化石燃料在我们生活的各个环节都是不可或缺的，不可再生和逐渐减少的储量已经造成了能源危机，而且消耗时也伴随着严重的环境污染。目前，半导体光催化技术被认为是解决这两个问题较有前景的技术，通过水分解生成氢气，光催化还原二氧化碳产生碳氢燃料，并对有毒污染物进行光降解来弥补环境污染问题。近来，由于面依赖性光催化、光电和其它表面相关性质，社会各界已经对单晶半导体的晶面调控制备给予了相当大的关注。另外，表面性质对于半导体的光催化性能至关重要，其敏感性取决于其具有不同暴露的晶面。自从杨等人在2008年开创性报道了具有47％(001)暴露面的锐钛型二氧化钛薄片后，晶面工程正在成为获得高催化活性的光催化剂的重要手段。在过去十年中，激烈的理论和实验研究着重于制备具有不同晶面的二氧化钛。结果表明，晶面对光催化活性的影响主要是由电子结构和原子结构两个方面引起的。最近，暴露不同晶面的BiOX(X＝Cl，Br或I)的合成和光催化活性研究引起了人们极大的兴趣。这些BiO本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种暴露(110)晶面的BiOX微米棒，其特征在于，所述BiOX微米棒的X射线衍射图(XRD)中(110)晶面衍射峰的强度高于(001)晶面衍射峰；其中，X为Cl、Br和I中的一种。

【技术特征摘要】
1.一种暴露(110)晶面的BiOX微米棒，其特征在于，所述BiOX微米棒的X射线衍射图(XRD)中(110)晶面衍射峰的强度高于(001)晶面衍射峰；其中，X为Cl、Br和I中的一种。2.根据权利要求1所述的暴露(110)晶面的BiOX微米棒，其中，BiOX微米棒的宽度为0.6-3μm。3.根据权利要求1所述的暴露(110)晶面的BiOX微米棒，其中，BiOX微米棒为BiOCl微米棒；优选地，BiOCl微米棒中(110)晶面和(003)晶面之间的角度为90°，BiOCl微米棒的(110)晶面间距为0.273nm，(003)晶面间距为0.247nm。4.一种权利要求1-3中任一项所述的暴露(110)晶面的BiOX微米棒的合成方法，其特征在于，包括将含有Bi3+、[C6O7H5]3-和X-的水溶液进行加热反应的步骤，其中，水溶液中Bi3+与[C6O7H5]3-的物质的量之比为1:0.8-1.2；其中，X为Cl、Br和I中的一种。5.根据权利要求4所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭银，毛艳鸽，刘婷，徐健，
申请(专利权)人：安徽师范大学，
类型：发明
国别省市：安徽,34