多晶硅片及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种多晶硅片，所述多晶硅片表面分布数个晶粒，所述晶粒的长轴尺寸小于157毫米，短轴尺寸小于或等于80毫米，所述晶粒的长轴方向与晶粒生长方向一致。多晶硅片具有平行于晶粒生长取向的具有较大晶粒，减少了晶粒晶界，提高了硅片质量。还提出一种多晶硅片的制备方法。

Polysilicon wafers and their preparation methods

The invention relates to a polycrystalline silicon wafer, which distributes several grains on the surface of the polysilicon wafer, and the size of the long axis of the grain is less than 157 millimeters, and the size of the short shaft is less than or equal to 80 millimeters. The direction of the long axis of the grain is consistent with the direction of grain growth. The polycrystalline silicon chip has larger grain size parallel to the grain growth orientation, which reduces grain boundary and improves the quality of silicon wafer. A method for preparing polysilicon wafers is also proposed.

【技术实现步骤摘要】
多晶硅片及其制备方法
本专利技术涉及多晶硅片的制备领域，具体涉及一种多晶硅片及其制备方法。
技术介绍
多晶硅是目前太阳能电池行业最主要的衬底材料之一，根据生长方法的不同，在凝固过程中控制固液界面的温度梯度，形成单方向热流，实行可控的定向凝固，则形成物理机械性能各向异性的多晶柱状晶，目前的多晶硅硅锭大多采用该定向凝固方法生产，铸锭得到的多晶晶粒沿着垂直于坩埚底面的方向形核生长，接着对所形成的整个多晶硅硅锭进行切割，其流程如图1所示：先将整个硅锭竖直开方成预设尺寸的如5×5块或6×6块的小方锭，再对得到的小方锭进行头尾料截断，然后对截断后的小方锭沿着垂直于晶体生长方向进行切片，这样得到所需厚度的多晶硅片，其晶粒取向是垂直于硅锭晶粒的生长方向。由于多晶硅片属于多晶构造，晶粒之间存在着晶界，切割方向垂直于晶粒生长方向所得到的硅片，晶界布满硅片表面。当电子在晶体中迁移时，晶粒间的晶界会增加其位能势垒，使其传输阻力增大，降低电子迁移能力和基体材料的光电转换效率，降低产品质量。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种能减少硅片中的晶粒晶界数量，同时提升晶体转换效率的多晶硅片。还提出一种上述多晶硅片的制备本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅片，其特征在于，所述多晶硅片表面分布数个晶粒，所述晶粒的长轴尺寸小于157毫米，短轴尺寸小于或等于80毫米，所述晶粒的长轴方向与晶粒生长方向一致。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅片，其特征在于，所述多晶硅片表面分布数个晶粒，所述晶粒的长轴尺寸小于157毫米，短轴尺寸小于或等于80毫米，所述晶粒的长轴方向与晶粒生长方向一致。2.如权利要求1所述的多晶硅片，其特征在于，各个晶粒具有相同方向的长轴和短轴。3.如权利要求1所述的多晶硅片，其特征在于，所述多晶硅片的缺陷密度小于10％。4.如权利要求1所述的多晶硅片，其特征在于，所述多晶硅片的晶粒为长条状。5.如权利要求1所述的多晶硅片，其特征在于，所述硅片为正方形，边长为125毫米或156毫米。6.一种多晶硅片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供多晶硅锭；沿平行于晶粒生产方向将所述多晶硅锭切割成硅片，得到平行于晶粒生长方向的硅片，所述多晶硅片表面分布数个晶粒，所述晶粒的长轴尺寸小于157毫米，短轴尺寸小于或等于80毫米，所述晶粒的长轴方向与晶粒生长方向一致。7.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：游达，汪晨，胡亚兰，黄春来，
申请(专利权)人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32