【技术实现步骤摘要】
一种导流筒支撑装置
本技术属于单晶硅生产设备领域,尤其是涉及一种导流筒支撑装置。
技术介绍
目前直拉单晶生长热系统中,热屏支撑板处缺少隔热层,无法阻隔盖板下边的热辐射带来的热量,另外热屏热导率小,无法吸收更多来自于单晶和热场的热量,不利于增大单晶的纵向温度梯度,导致单晶生长速率低。
技术实现思路
有鉴于此,本技术旨在提出一种导流筒支撑装置,以解决现有导流筒支撑板因隔热效果低造成的单晶硅生长速率低的问题。为达到上述目的,本技术的技术方案是这样实现的:一种导流筒支撑装置,在导流筒顶部外缘设有环状支撑平板,环状支撑平板设有安装孔,所述环状支撑平板顶面上固定有环状碳毡层,所述环状碳毡层顶面固定有环状钼层,所述环状碳毡层和环状钼层分别设有和环状支撑平板的安装孔正对的过孔。进一步的,所述环状碳毡层厚度为10mm。进一步的,所述环状钼层厚度为3mm。进一步的,所述环状碳毡层和环状钼层通过螺丝固定在环状支撑平板上。相对于现有技术,本技术所述的一种导流筒支撑装置具有以下优势:本技术所述的一种导流筒支撑装置,在支撑平板上设置了碳毡层和钼层,利用碳毡隔热好的物理特性,阻隔来自于熔融态硅液对支撑板的热辐射,从而减小热屏支撑板对单晶的热辐射,增大单晶的纵向温度梯度,提高单晶生产速率,利用钼的高热导率(140.6W/m.K)的物理特性,能够带走更多的来自于单晶和热场的热量,从而增大单晶纵向温度,提高单晶生长速率。附图说明构成本技术的一部分的附图用来提供对本技术的进一步理解,本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术,并不构成对本技术的不当限定。在附图中:图1为本技术实施例所述的一种导流筒 ...
【技术保护点】
一种导流筒支撑装置,其特征在于:在导流筒(4)顶部外缘设有环状支撑平板(1),环状支撑平板(1)设有安装孔,所述环状支撑平板(1)顶面上固定有环状碳毡层(2),所述环状碳毡层(2)顶面固定有环状钼层(3),所述环状碳毡层(2)和环状钼层(3)分别设有和环状支撑平板(1)的安装孔正对的过孔。
【技术特征摘要】
1.一种导流筒支撑装置,其特征在于:在导流筒(4)顶部外缘设有环状支撑平板(1),环状支撑平板(1)设有安装孔,所述环状支撑平板(1)顶面上固定有环状碳毡层(2),所述环状碳毡层(2)顶面固定有环状钼层(3),所述环状碳毡层(2)和环状钼层(3)分别设有和环状支撑平板(1)的安装孔正对的过孔。2....
【专利技术属性】
技术研发人员:刘学,武志军,张文霞,张全顺,刘伟,尚伟泽,孙晨光,谷守伟,张雪囡,
申请(专利权)人:内蒙古中环光伏材料有限公司,
类型:新型
国别省市:内蒙古,15
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