一种拉晶炉的拉晶机构制造技术

本发明专利技术提供一种拉晶炉的拉晶机构，包括：热屏蔽反射器，位于坩埚上方，围绕坩埚形成一个中央开口，使由坩埚内熔体提拉生长的晶锭从所述中央开口穿过；籽晶夹，位于坩埚上方，设有固定结构夹持籽晶；提拉部件，与所述籽晶夹连接，控制所述籽晶夹在由坩埚内熔体提拉生长晶锭的提拉方向上提升或下降；其中，所述籽晶夹具有在垂直所述提拉方向上的横向延伸部分，且所述籽晶夹在垂直于所述提拉方向的平面上的投影覆盖由坩埚内熔体提拉生长的晶锭在所述平面上的投影。本发明专利技术的拉晶机构使晶锭顶端的热场更加稳定，明显改善了晶锭前端部分的均匀性和内部缺陷，同时也减少了热量损耗，节约能源，降低了成本。

The pulling mechanism of a crystal pulling furnace

The present invention provides a crystal pulling mechanism, crystal pulling furnace comprises a heat shield reflector, located above the crucible, around the crucible to form a central opening, which passes by the crucible Czochralski grown ingots from the central opening; seed chuck, located above the crucible, a fixed clamping structure of seed crystal; Czochralski components that clip is connected with the seed, the seed control clip in the pulling direction by the crucible Czochralski grown ingots on the rise or fall; among them, the seed holder having laterally extending in the vertical part of the pulling direction, projection and the seed holder in a plane perpendicular to the the dip direction of the projection covered by the crucible Czochralski grown ingots in the plane. The pulling mechanism of the present invention to the top of the ingot thermal field is more stable, improve the uniformity of the front part of the ingot and internal defects, but also reduce the heat loss, save energy and reduce the cost.

【技术实现步骤摘要】
一种拉晶炉的拉晶机构
本专利技术涉及晶圆制造
，特别是涉及一种拉晶炉的拉晶机构。
技术介绍
在晶圆制造工艺中，单晶半导体材料通常用提拉法(Czochralski，CZ)制作，例如提拉生长单晶硅晶锭。提拉法的过程一般是：在坩埚内熔化诸如多晶硅的多晶半导体原料，然后将籽晶降至熔化的多晶半导体原料再缓慢升高从而在籽晶的基础上生长出单晶晶锭。生长晶锭时，通过降低拉速和/或熔体温度形成上部尾锥，从而扩大晶锭直径直至达到目标直径。达到目标直径后，通过控制拉速和熔体温度形成晶锭的圆柱主体。接近生长工艺后期并在坩埚变空之前，缩减晶锭直径形成下部尾锥，下部尾锥离开熔体得到半导体材料的最终晶锭。拉晶炉通常包括炉腔、位于炉腔内的坩埚、坩埚加热部件、籽晶夹以及提拉机构等，坩埚内承载并熔化多晶半导体原料，籽晶夹固定籽晶，提拉机构控制籽晶夹的升降，从而在籽晶的基础上拉制出单晶晶锭。在拉晶炉内晶体固化和冷却时周围的温度环境对晶锭的均匀性和内部缺陷有很大影响。为了提高单晶半导体材料的质量，减少内在缺陷，有的拉晶炉内设置了热屏蔽装置，热屏蔽定位在坩埚内熔体表面上方来保存晶锭和熔体材料之间界面处的热量，防止其从熔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种拉晶炉的拉晶机构，所述拉晶炉包括炉腔和位于炉腔内的坩埚，其特征在于，所述拉晶机构包括：热屏蔽反射器，位于所述坩埚上方，围绕所述坩埚形成一个中央开口，使由所述坩埚内熔体提拉生长的晶锭从所述中央开口穿过；籽晶夹，位于所述坩埚上方，设有固定结构夹持籽晶；提拉部件，与所述籽晶夹连接，控制所述籽晶夹在由所述坩埚内熔体提拉生长晶锭的提拉方向上提升或下降；其中，所述籽晶夹具有在垂直所述提拉方向上的横向延伸部分，且所述籽晶夹在垂直于所述提拉方向的平面上的投影覆盖由所述坩埚内熔体提拉生长的晶锭在所述平面上的投影。

【技术特征摘要】
1.一种拉晶炉的拉晶机构，所述拉晶炉包括炉腔和位于炉腔内的坩埚，其特征在于，所述拉晶机构包括：热屏蔽反射器，位于所述坩埚上方，围绕所述坩埚形成一个中央开口，使由所述坩埚内熔体提拉生长的晶锭从所述中央开口穿过；籽晶夹，位于所述坩埚上方，设有固定结构夹持籽晶；提拉部件，与所述籽晶夹连接，控制所述籽晶夹在由所述坩埚内熔体提拉生长晶锭的提拉方向上提升或下降；其中，所述籽晶夹具有在垂直所述提拉方向上的横向延伸部分，且所述籽晶夹在垂直于所述提拉方向的平面上的投影覆盖由所述坩埚内熔体提拉生长的晶锭在所述平面上的投影。2.根据权利要求1所述的拉晶炉的拉晶机构，其特征在于：所述籽晶夹在垂直于所述提拉方向的平面上的投影覆盖所述热屏蔽反射器形成的所述中央开口。3.根据权利要求1所述的拉晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：张汝京，肖德元，邓先亮，李寅锋，温雅楠，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31