含有存储器区块电桥的三维存储器器件制造技术

单片三维存储器器件包含含有位于基板上的多个存储器子区块的第一存储器区块。每个存储器子区块包含存储器堆叠体结构的集和交替层的横向围绕存储器堆叠体结构的集的部分。交替层包含绝缘层和导电层。相邻存储器子区块的对的第一部分沿第一水平方向由背侧接触通孔结构相互横向地间隔。交替层的子集在相邻存储器子区块的对的第二部分之间连续地延伸，穿过沿着第二水平方向横向地间隔开的背侧接触通孔结构的两个部分之间的电桥区域中的间隙，以在相邻存储器子区块的对之间提供连接部分。

A three dimensional memory device containing a memory block Bridge

A single - chip 3D memory device includes a first memory block containing a plurality of memory sub blocks on a substrate. Each memory sub block consists of a set of memory stack structures and a part of a set of alternate layers around the memory stack structure. The alternating layer contains the insulating layer and the conductive layer. The first part of the pair of adjacent memory sub blocks is spaced horizontally from the back - side through - hole structure along the first horizontal direction. A subset of the alternating layers extending between adjacent sub blocks of the memory of the second part, through the gap between the two part bridge area along the transverse horizontal direction second spaced dorsal contact structure through holes in the adjacent sub blocks in memory to provide the connection part.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】含有存储器区块电桥的三维存储器器件相关申请的交叉引用本申请要求于2015年8月11日提交的序列号为14/823,274的美国非临时申请的优先权，前述申请的全部内容通过引用并入本文。
本公开总体上涉及半导体器件的领域，并且具体而言，涉及诸如垂直NAND串的三维半导体器件以及其制造方法。
技术介绍
在T.Endoh等的发表于IEDMProc.(2001)33-36的标题为“NovelUltraHighDensityMemoryWithAStacked-SurroundingGateTransistor(S-SGT)StructuredCell”的文章中公开了每单元具有一个位的三维垂直NAND串。
技术实现思路
根据本公开的方面，单片三维存储器器件包含含有位于基板上的多个存储器子区块的第一存储器区块。每个存储器子区块包含存储器堆叠体结构的集和交替层的横向围绕存储器堆叠体结构的集的部分。交替层包含绝缘层和导电层。相邻存储器子区块的对的第一部分沿第一水平方向由背侧接触通孔结构相互横向地间隔。交替层的子集在相邻存储器子区块的对的第二部分之间连续地延伸，穿过沿着第二水平方向横向地间隔开的背侧接触通孔结本文档来自技高网...

【技术保护点】
单片三维存储器器件，包括含有位于基板上的多个存储器子区块的第一存储器区块，其中：每个存储器子区块包括存储器堆叠体结构的集和交替层的横向围绕所述存储器堆叠体结构的集的部分；所述交替层包括绝缘层和导电层；相邻存储器子区块的对的第一部分沿第一水平方向由背侧接触通孔结构相互横向地间隔；并且所述交替层的子集在所述相邻存储器子区块的对的第二部分之间连续地延伸穿过所述背侧接触通孔结构的两个部分之间的电桥区域中的间隙，以在所述相邻存储器子区块的对之间提供连接部分，所述背侧接触通孔结构沿着第二水平方向横向地间隔开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.11 US 14/823,2741.单片三维存储器器件，包括含有位于基板上的多个存储器子区块的第一存储器区块，其中：每个存储器子区块包括存储器堆叠体结构的集和交替层的横向围绕所述存储器堆叠体结构的集的部分；所述交替层包括绝缘层和导电层；相邻存储器子区块的对的第一部分沿第一水平方向由背侧接触通孔结构相互横向地间隔；并且所述交替层的子集在所述相邻存储器子区块的对的第二部分之间连续地延伸穿过所述背侧接触通孔结构的两个部分之间的电桥区域中的间隙，以在所述相邻存储器子区块的对之间提供连接部分，所述背侧接触通孔结构沿着第二水平方向横向地间隔开。2.如权利要求1所述的单片三维存储器器件，其中，所述背侧接触通孔结构是一体化构造，并且包含覆于所述交替层的位于所述电桥区域中的部分之上的电桥部分。3.如权利要求2所述的单片三维存储器器件，还包括隔离电介质结构，所述隔离电介质结构包括电介质材料并且位于所述电桥部分的下面，其中所述隔离电介质结构接触所述交替层的位于所述交替层的子集的上方的另一个子集的侧壁。4.如权利要求3所述的单片三维存储器器件，还包括横向地围绕所述背侧接触结构的绝缘间隔体；其中所述绝缘间隔体接触所述交替层的子集的侧壁，并且所述绝缘间隔体接触所述隔离电介质结构的侧壁。5.如权利要求2所述的单片三维存储器器件，还包括至少一个接触级电介质层，所述接触级电介质层覆于所述交替层和所述存储器堆叠体结构的集之上；其中，所述背侧接触通孔结构的顶表面与所述至少一个接触级电介质层的最顶层表面是共面的；并且其中，所述电桥部分的底表面位于覆于所述交替堆叠体的最顶层表面之上的水平平面内。6.如权利要求1所述的单片三维存储器器件，其中，每个存储器堆叠体结构延伸穿过所述交替堆叠体，并且从外侧到内侧包括：至少一个阻挡电介质，存储器材料层，隧穿电介质，以及接触上覆的漏极区域的垂直半导体沟道。7.如权利要求6所述的单片三维存储器器件，还包括后退阶梯式的电介质材料部分和源极区域，所述后退阶梯式的电介质材料部分具有接触所述交替堆叠体内的多个导电层的侧壁，所述源极区域在所述背侧接触通孔结构的下面且位于所述基板中或所述基板上；其中，半导体沟道在每个漏极区域与所述源极区域中的一个源极区域之间连续地延伸；并且其中，背侧接触通孔结构包括源电极或者源极侧本地互连。8.如权利要求1所述的单片三维存储器器件，还包括：接触区域，其位于含有所述第一存储器区块的器件区域附近；所述接触区域的阶梯式表面的多个集，其位于所述器件区域中的所述第一存储器区块内的相应的存储器子区块附近；阶梯式表面的第一集，其包含所述导电层的位于级的第一集处的第一子集的垂直重合侧壁的第一集；阶梯式表面的第二集，其包含所述导电层的位于级的第二集处的第二子集的垂直重合侧壁的第二集；以及所述级的第一集和所述级的第二集相对于彼此是错开的。9.如权利要求8所述的单片三维存储器器件，其中：所述接触区域中的阶梯式表面的第一集中的阶梯的顶部处暴露的每个导电层由相应的控制栅极接触通孔结构接触；所述所接触的导电层从所述接触区域中的阶梯式表面的第一集延伸到所述接触区域中的第一存储器区块中，使得所述所接触的导电层存在于所述第一存储器区块中的所有存储器子区块中，并且在所述第一存储器区块中的所有存储器子区块中是电连续的；所述接触区域中的阶梯式表面的第一集中的所述所接触的导电层覆于所述阶梯式表面的第一集中的一个或多个下面的导电层之上；所述下面的导电层不被所述阶梯式表面的第一集中的相应的控制栅极接触通孔结构接触；并且所述阶梯式表面的第一集中的每个下面的导电层被阶梯式表面的不同集中的相应的控制栅极接触通孔结构接触。10.如权利要求8所述的单片三维存储器器件，还包括位于所述第一存储器区块和第二存储器区块之间的区块级背侧接触通孔结构，其中在所述区块级背侧接触通孔结构中不存在间隙，并且所述交替层在所述存储器区块和所述第二存储器区块之间不连续地延伸。11.如权利要求1所述的单片三维存储器器件，其中：所述单片三维存储器器件包括位于所述基板之上的垂直NAND器件；所述导电层包括或电连接到所述垂直NAND器件的相应的字线；所述基板包括硅基板；所述垂直NAND器件包括所述硅基板之上的单片三维NAND串的阵列；所述单片三维NAND串的阵列的第一器件级中的至少一个存储器单元位于所述单片三维NAND串的阵列的第二器件级中的另一个存储器单元之上；所述硅基板含有集成电路，所述集成电路包括位于所述硅基板上的所述存储器器件的驱动电路；并且所述单片三维NAND串的阵列包括：多个半导体沟道，其中所述多个半导体沟道中的每一个的至少一个端部部分实质上垂直于所述基板的顶表面延伸；多个电荷储存元件，每个电荷储存元件位于所述多个半导体沟道中的相应的一个附近；以及多个控制栅电极，所述多个栅电极具有实质上平行于所述基...

【专利技术属性】
技术研发人员：Z卢，J阿尔斯梅尔，D毛，S史，S科卡，RS马卡拉，G马塔米斯，李耀升，C葛，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国,US