退火装置及退火方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种退火装置及其退火方法。所述退火装置包括退火腔体及与所述退火腔体相连通的抽气辅助器。所述退火腔体包括存放腔体、与所述存放腔体连通的输送腔体及开盖。所述输送腔体上设有输送口。所述开盖盖合所述输送口，以使所述退火腔体封闭。所述存放腔体用以对所述基板进行退火。所述输送腔体用以为所述基板进出所述存放腔体提供通道。所述输送腔体靠近所述输送口处设有通孔。所述通孔连通所述抽气辅助器。所述抽气辅助器用于在打开所述开盖后，对所述退火腔体抽气，以减少外界空气进入所述退火腔体中。

【技术实现步骤摘要】
退火装置及退火方法
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种退火装置及退火方法。
技术介绍
由于低温多晶硅(LTPS)的液晶显示器具有分辨率、亮度、尺寸及抗电磁干扰等各方面的优势，液晶显示器厂商的研发重心转向这一领域。在考虑薄薄膜质量与产量要求的情况下，在低温多晶硅工艺中常利用激光退火技术将沉积有非晶硅薄膜的基板处理成为多晶硅结构，例如准分子激光退火技术(ExcimerLaserAnnealing，ELA)，此技术是以激光作为热源，并将能量均匀分布的激光束投射于沉积有非晶硅薄膜的基板上，以使非晶硅结晶成为多晶硅结构。在低温多晶硅(LTPS)的液晶显示器生产制程中，沉积有非晶硅薄膜的基板被送进准分子激光退火设备时，需要打开准分子激光退火设备，在此过程中，会有氧气进入准分子激光退火设备中，致使准分子激光退火设备内氧气浓度偏高，导致多晶硅结构生长不均匀，从而影响LTPS的工艺制程及液晶显示器的品质。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种退火装置及退火方法，以提高液晶显示器的品质。本专利技术提供了一种退火装置，用于对基板进行退火，所述退火装置包括退火腔体及与所述退火腔体相连通的抽气辅助器，所述退火腔体包括存放腔体、与所述存放腔体连通的输送腔体及开盖，所述输送腔体上设有输送口，所述开盖盖合所述输送口，以使所述退火腔体封闭；所述存放腔体用以对所述基板进行退火，所述输送腔体用以为所述基板进出所述存放腔体提供通道，所述输送腔体设有通孔，所述通孔连通所述抽气辅助器，所述抽气辅助器用于在打开所述开盖后，对所述退火腔体抽气，以减少外界空气进入所述退火腔体中。其中，所述输送口与所述存放腔体相对设置，所述输送腔体一端固定连接所述存放腔体，另一端形成所述输送口的边缘。其中，所述输送腔体包括相对设置的内壁和外壁，所述通孔贯穿于所述内壁和所述外壁，且分别在所述内壁和所述外壁上形成第一开口和第二开口，所述第一开口和所述第二开口相错开。其中，所述第一开口位于靠近所述输送口的一侧，以抽取从所述输送口进入的空气。其中，所述退火装置还包括与所述退火腔体相连通的惰性气体注入设备，用以为所述存放腔体提供惰性气体。其中，所述第一开口位于靠近所述存放腔体的一侧，以抽取所述存放腔体内的惰性气体。其中，所述惰性气体注入设备包括吹气辅助器，所述吹气辅助器用于将所述惰性气体吹向所述输送口。其中，所述通孔的数量为多个，所述多个通孔设于所述输送口的周侧。其中，所述退火装置还包括设于所述存放腔体内的激光源，所述激光源用于对所述基板进行退火。本专利技术还提供了一种退火方法，包括以下的步骤：提供基板及退火装置，所述退火装置包括退火腔体及与所述退火腔体相连通的抽气辅助器，所述退火腔体包括存放腔体、与所述存放腔体连通的输送腔体及开盖，所述输送腔体上设有输送口，所述开盖盖合所述输送口，所述输送腔体设有通孔，所述通孔连通所述抽气辅助器；打开所述开盖，同时控制所述抽气辅助器对所述退火腔体抽气；将所述基板从所述输送口送至所述退火腔体内；关闭所述开盖，同时停止所述抽气辅助器对所述退火腔体抽气。本专利技术提供的一种退火装置及退火方法，退火装置包括相连通的输送腔体及存放腔体，输送腔体设有输送口，待退火的基板从输送口进入输送腔体，并被送至存放腔体中以进行退火，通过在输送腔体靠近输送口处开设通孔，并将通孔连通抽气辅助器，在将基板从输送口放入或取出，需要打开开盖时，抽气辅助器会抽走部分从外部环境中进入输送腔体内的氧气，以减少打开开盖时进入输送腔体及存放腔体中的氧气，从而降低氧气浓度对基板退火效果造成的不良影响，进而提高液晶显示器的显示品质。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的一种退火装置的结构示意图。图2是本专利技术实施例提供的另一种退火装置的结构示意图。图3是本专利技术第一实施例提供的一种退火装置的结构示意图。图4是本专利技术第二实施例提供的一种退火装置的结构示意图。图5是本专利技术第三实施例提供的一种退火装置的结构示意图。图6是本专利技术实施例提供的再一种退火装置的结构示意图。图7是本专利技术实施例提供的退火装置的通孔一种局部结构示意图。图8是本专利技术实施例提供的退火装置的通孔另一种局部结构示意图。图9是本专利技术实施例提供的一种退火方法的流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。请参阅图1，图1是本专利技术实施例提供的一种退火装置100。所述退火装置100用于对基板300进行退火，基板300上带有待退火材料。本实施例中，所述待退火材料是非晶硅薄膜。所述基板300应用于液晶显示器。请参阅图1，所述退火装置100包括退火腔体110及与所述退火腔体110相连通的抽气辅助器120。所述退火腔体110包括存放腔体112、与所述存放腔体112连通的输送腔体111及开盖113。所述输送腔体111上设有输送口1121。所述开盖113盖合所述输送口1121，以使所述退火腔体110封闭。所述存放腔体112用以收容基板300并对所述基板300进行退火。所述输送腔体111用以为所述基板300进出所述存放腔体112提供通道。本实施例中，所述输送腔体111的尺寸小于存放腔体112的尺寸。所述输送腔体111靠近输送口1121处设有通孔1122。所述通孔1122通过导气管121连通所述抽气辅助器120。所述抽气辅助器120用于在打开所述开盖113后，对所述退火腔体110抽气，以减少外界空气进入所述退火腔体110中。请参阅图1，所述输送口1121与所述存放腔体112相对。所述输送腔体111设于所述输送口1121与所述存放腔体112之间。所述输送腔体111一端固定连接且连通于所述存放腔体112，所述输送腔体111的另一端形成所述输送口1121的边缘。一种实施方式中，请参阅图2，所述退火装置100还包括设于所述存放腔体112内的承载台150及激光源160。所述承载台150用于承载所述基板300。所述激光源160固定在所述基板300上方，与所述基板130上的非晶硅薄膜相对，所述激光源160用于对所述基板300进行退火。所述激光源160为准分子激光器。所述激光源160产生的准分子激光束照射所述基板300表面的非晶硅薄膜，所述非晶硅薄膜吸收准分子激光束的能量后，结晶形成多晶硅薄膜，以完成退火制程。在退火制程中，退火腔体110内的氧气溶度过高，会导致多晶硅结构生长不均匀，还会引入杂质，从而影响LTPS的退火效果及液晶显示器的品质。通过在输送腔体111靠近输送口1121处开设通孔1122，并将通孔1122连通抽气辅助器120，在将基板300从输送口1121放入或取出，需要打开开盖113时，抽气辅助器120会抽走部分从外部环境中进入输送腔体111内的氧气，以减少打开开本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种退火装置，用于对基板进行退火，其特征在于，所述退火装置包括退火腔体及与所述退火腔体相连通的抽气辅助器，所述退火腔体包括存放腔体、与所述存放腔体连通的输送腔体及开盖，所述输送腔体上设有输送口，所述开盖盖合所述输送口，以使所述退火腔体封闭；所述存放腔体用以对所述基板进行退火，所述输送腔体用以为所述基板进出所述存放腔体提供通道，所述输送腔体靠近所述输送口处设有通孔，所述通孔连通所述抽气辅助器，所述抽气辅助器用于在打开所述开盖后，对所述退火腔体抽气，以减少外界空气进入所述退火腔体中。

【技术特征摘要】
1.一种退火装置，用于对基板进行退火，其特征在于，所述退火装置包括退火腔体及与所述退火腔体相连通的抽气辅助器，所述退火腔体包括存放腔体、与所述存放腔体连通的输送腔体及开盖，所述输送腔体上设有输送口，所述开盖盖合所述输送口，以使所述退火腔体封闭；所述存放腔体用以对所述基板进行退火，所述输送腔体用以为所述基板进出所述存放腔体提供通道，所述输送腔体靠近所述输送口处设有通孔，所述通孔连通所述抽气辅助器，所述抽气辅助器用于在打开所述开盖后，对所述退火腔体抽气，以减少外界空气进入所述退火腔体中。2.如权利要求1所述的退火装置，其特征在于，所述输送口与所述存放腔体相对设置，所述输送腔体一端固定连接所述存放腔体，另一端形成所述输送口的边缘。3.如权利要求2所述的退火装置，其特征在于，所述输送腔体包括相对设置的内壁和外壁，所述通孔贯穿于所述内壁和所述外壁，且分别在所述内壁和所述外壁上形成第一开口和第二开口，所述第一开口和所述第二开口相错开。4.如权利要求3所述的退火装置，其特征在于，所述第一开口位于靠近所述输送口的一侧，以抽取从所述输送口进入的空气。5.如权利要求3所述的退火装置，其特征在于，所述退火装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺凯华，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42