一种半导体晶圆的保护方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体晶圆的保护方法，包括以下步骤：(1)提供一半导体晶圆，该晶圆具有相对的主要前表面及后表面，施加一高分子涂布于该晶圆的该侧边，该高分子涂布施加于该侧边但是没有施加于该晶圆的该主要前表面及后表面的至少一部分；(2)在所述晶圆前表面形成缓冲层；在上述缓冲层上形成保护层,进行晶圆背部制程；去除保护层，再用清洗剂去除所述缓冲层。与现有技术相比，本发明专利技术的有益效果是：本发明专利技术利用光阻层作为晶圆正面与保护胶带间的缓冲层，除具有保护晶圆正面器件的功能外，还可有效避免残胶滞留在器件表面，进而提高器件的性能和良率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶圆的保护方法
本专利技术涉及半导体晶圆
，具体涉及一种半导体晶圆的保护方法。
技术介绍
在半导体产业中，一半导体装置的制造包括对一晶圆的制造，其包括前段工艺及后段工艺以将电子元件(例如晶体管、电阻、电容等)在晶体中图案化且形成内连线以构成集成电路。在晶圆制造结束之后，此晶圆被切割成单独的晶粒然后进行封装。在前段工艺中的一部分，此晶圆可以进行嵌镶工艺以形成例如是导线、接触窗或是介层孔的电子内连线。为了形成嵌镶结构，介电层形成于具有导电区域于其中的一基板之上。然后形成一开口于介电层中。此开口可以是接触窗开口、介层孔开口、导线沟渠或是嵌镶开口。此开口将此基板中的导电区域一部分裸露出来。一层金属层然后形成于基板之上且完全覆盖此开口。许多合适的金属材料可以作为此金属层，但在此处所描述的一范例中，此金属层是使用铜或是铜合金(通常称为铜)。在一范例中，此金属层可以先形成一层薄的铜种子层然后再形成一层厚的金属层，其通常被称为“嵌镶层”。在一范例中，此层薄的铜种子层可以使用物理气相沉积(PVD)、或是化学气相沉积(CVD)形成，而铜嵌镶层可以使用电化学镀(ECD)方式形成。在施加金属层于基板上之后，此晶圆可以藉由将其浸泡于溶液中来清洁以除去于施加此铜层时所产生的微粒。此清洁后的晶圆也可以利用例如是藉由旋转此晶圆的方式加以干燥。最后，进行退火及化学机械研磨(CMP)以除去开口外的多余金属材料。此晶圆通常包括相对的主要前表面及后表面，并由一侧边连接在一起，此侧边通常是倾斜的。在嵌镶工艺中，通常希望电镀沉积的金属层靠近晶圆的侧边但不会覆盖其侧边。类似地，通常也不希望电镀沉积的金属层延伸于晶圆的侧边。因此，某些技术被开发出来以除去形成于晶圆侧边的电镀沉积金属层的部分，但相关业者仍希望对现存的技术做进一步的改进。
技术实现思路
本专利技术旨在提供了一种半导体晶圆的保护方法。本专利技术提供如下技术方案：一种半导体晶圆的保护方法，包括以下步骤：(1)提供一半导体晶圆，该晶圆具有相对的主要前表面及后表面，施加一高分子涂布于该晶圆的该侧边，该高分子涂布施加于该侧边但是没有施加于该晶圆的该主要前表面及后表面的至少一部分；(2)在所述晶圆前表面形成缓冲层；在上述缓冲层上形成保护层,进行晶圆背部制程；去除保护层，再用清洗剂去除所述缓冲层。所述步骤(1)中高分子涂布是形成一高分子层作为防止该嵌镶层形成于该晶圆的该侧边的一阻障层。所述步骤(1)中高分子涂布是在具有低压力的惰性气体下进行，以至少降低晶圆在该高分子液体固化时被氧化。所述步骤(2)中缓冲层为光阻层。所述步骤(2)中保护层为保护胶带。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术利用光阻层作为晶圆正面与保护胶带间的缓冲层，除具有保护晶圆正面器件的功能外，还可有效避免残胶滞留在器件表面，进而提高器件的性能和良率。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例一种半导体晶圆的保护方法，包括以下步骤：(1)提供一半导体晶圆，该晶圆具有相对的主要前表面及后表面，施加一高分子涂布于该晶圆的该侧边，该高分子涂布施加于该侧边但是没有施加于该晶圆的该主要前表面及后表面的至少一部分；(2)在所述晶圆前表面形成缓冲层；在上述缓冲层上形成保护层,进行晶圆背部制程；去除保护层，再用清洗剂去除所述缓冲层。所述步骤(1)中高分子涂布是形成一高分子层作为防止该嵌镶层形成于该晶圆的该侧边的一阻障层。所述步骤(1)中高分子涂布是在具有低压力的惰性气体下进行，以至少降低晶圆在该高分子液体固化时被氧化。所述步骤(2)中缓冲层为光阻层。所述步骤(2)中保护层为保护胶带。对于本领域技术人员而言，显然本专利技术不限于所述示范性实施例的细节，而且在不背离本专利技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本专利技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本专利技术的范围由所附权利要求而不是所述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本专利技术内。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体晶圆的保护方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)提供一半导体晶圆，该晶圆具有相对的主要前表面及后表面，施加一高分子涂布于该晶圆的该侧边，该高分子涂布施加于该侧边但是没有施加于该晶圆的该主要前表面及后表面的至少一部分；(2)在所述晶圆前表面形成缓冲层；在上述缓冲层上形成保护层,进行晶圆背部制程；去除保护层，再用清洗剂去除所述缓冲层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆的保护方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)提供一半导体晶圆，该晶圆具有相对的主要前表面及后表面，施加一高分子涂布于该晶圆的该侧边，该高分子涂布施加于该侧边但是没有施加于该晶圆的该主要前表面及后表面的至少一部分；(2)在所述晶圆前表面形成缓冲层；在上述缓冲层上形成保护层,进行晶圆背部制程；去除保护层，再用清洗剂去除所述缓冲层。2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆的保护方法，其特征在于：所述步骤(1)中...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜维成，孙虹艳，
申请(专利权)人：合肥新汇成微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34