基板处理方法技术

一种基板处理方法，其包括：将基板水平保持的基板保持工序；在前述被保持为水平的基板的上表面相向配置相向部件的相向配置工序；由前述被保持为水平的基板、前述相向部件、以及在俯视下包围前述被保持为水平的基板及前述相向部件的挡板形成与外部的环境气体往来被限制的空间的空间形成工序；向前述空间供给非活性气体的非活性气体供给工序；通过一边维持前述空间一边使前述相向部件相对于前述被保持为水平的基板升降从而对前述基板的上表面与前述相向部件之间的间隔进行调整的间隔调整工序；在前述间隔调整工序之后向前述被保持为水平的基板的上表面供给处理液的处理液供给工序。

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法
本专利技术涉及处理基板的基板处理方法。成为处理对象的基板，例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子体显示器用基板、FED(FieldEmissionDisplay：场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等基板。
技术介绍
在由每次处理一张基板的单张式基板处理装置进行的基板处理中，例如，对被旋转卡盘大致保持水平的基板供给药液。其后，给基板供给冲洗液，由此将基板上的药液替换为冲洗液。其后，进行旋转干燥工序用于排除基板上的冲洗液。如图9所示，当在基板表面形成有微细的图案的情况下，在旋转干燥工序中因无法去除进入图案(pattern)内部的冲洗液，而有可能会产生干燥不良。进入图案内部的冲洗液在图案的内部形成液面(空气与液体之间的界面)。因此，液体表面张力作用在液面与图案之间的接触位置。在该表面张力较大的情况下，容易发生图案的坍塌。水作为典型的冲洗液，表面张力很大。因此，不能忽视旋转干燥工序中的图案的坍塌。此种情况下可以考虑，供给异丙醇(IsopropylAlcohol：IPA)，其是比水的表面张力更低的低表面张力液体，将进入图案内部的水替换为IPA，之后通过去除IPA使基板的上表面干燥。为了将IPA去除以使基板的上表面迅速干燥，需要降低基板的上表面附近的环境气体的湿度。另外，因为溶解于IPA的氧会使图案氧化，所以需要事先降低基板的上表面附近的环境气体的氧浓度，以使溶解于IPA的氧的量降低。然而，因为处理腔体的内部空间收纳有旋转卡盘等部件，所以很难充分地降低处理腔体内的环境气体整体的氧浓度及湿度。在美国专利申请公开第2011/240601号说明书中揭示了一种基板处理装置，其能够向被水平保持在收纳部分旋转卡盘的密闭腔体内的晶片表面供给处理液。密闭腔体具备带有开口的腔体本体和用于对开口进行开关的盖部件。腔体本体与盖部件之间由液体密封构造密封，从而将密闭腔体的内部空间与密闭腔体的外部环境气体隔开。在腔体本体的隔挡壁上形成插入孔，在该插入孔中插入喷嘴臂。在喷嘴臂上安装有处理液喷嘴。通过使喷嘴臂移动，从而能够使处理液喷嘴在晶片的表面上移动。另外，在盖部件上固定着中空旋转轴。在旋转轴中插入着处理液上喷嘴。在密闭腔体的内部空间与密闭腔体的外部的环境气体隔开的状态下，能够从处理液喷嘴或处理液上喷嘴给晶片供给处理液。在美国专利申请公开第2011/240601号说明书的基板处理装置中，通过对腔体本体的上部开口进行封闭，从而将密闭腔体的内部空间与密闭腔体的外部的环境气体隔开。但是，在腔体本体的上部开口被封闭的状态下，基板与腔体本体的隔挡壁的相对位置在上下方向被固定。因此，假设有无需从处理液喷嘴向基板供给处理液的旋转干燥等时，想要将盖部件与基板之间的距离变小的情况，或者为了防止处理液反弹并附着在盖部件想要将盖部件与基板之间的距离变大的情况。美国专利申请公开第2011/240601号说明书的基板处理装置无法应对这些情况。正因如此，美国专利申请公开第2011/240601号说明书中记载的基板处理装置，无法适应基板处理的内容来适当地改变基板与盖部件之间的距离。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是提供一种基板处理方法，其在降低水平保持的基板与相向部件之间的环境气体的氧浓度及湿度，并且将基板与相向部件之间保持在适当间隔的状态下，能够对基板进行处理。本专利技术提供一种基板处理方法，包含：将基板保持为水平的基板保持工序；在前述被保持为水平的基板的上表面相向配置相向部件的相向配置工序；由前述被保持为水平的基板、前述相向部件、以及在俯视下包围前述被保持为水平的基板及前述相向部件的挡板形成与外部的环境气体往来被限制的空间的空间形成工序；向前述空间供给非活性气体的非活性气体供给工序；通过一边维持前述空间一边使前述相向部件相对于前述被保持为水平的基板升降，来对前述基板的上表面与前述相向部件之间的间隔进行调整的间隔调整工序；在前述间隔调整工序之后向前述被保持为水平的基板的上表面供给处理液的处理液供给工序。根据本方法，由被保持为水平的基板、在基板的上表面相向配置的相向部件、以及在俯视下包围基板及相向部件的挡板，形成与外部的环境气体往来被限制的空间。通过向该空间供给非活性气体以非活性气体置换环境气体，从而迅速降低基板与相向部件之间的环境气体的氧浓度及湿度。通过一边维持该空间一边使相向部件相对于基板升降，从而在降低了基板与相向部件之间的环境气体的氧浓度及湿度的状态下适当调整基板的上表面与相向部件之间的间隔。因此，在降低了基板与相向部件之间的环境气体的氧浓度及湿度且适当保持基板与相向部件之间间隔的状态下，能够向基板供给处理液。在本专利技术的一个实施方式中，前述间隔调整工序包括维持前述相向部件的外缘部与前述挡板的内缘部相向状态的工序。根据本方法，在对基板的上表面与相向部件之间的间隔进行调整的过程中维持了相向部件的外缘部与挡板的内缘部相向的状态。因此，能够进一步限制由基板、相向部件和挡板形成的空间与空间的外部之间的环境气体往来。在本专利技术的一个实施方式中，前述间隔调整工序包括使前述挡板与前述相向部件一起相对于前述被保持为水平的基板升降的工序。根据本方法，通过使挡板随着相向部件一起相对于基板升降，从而使对由基板、相向部件和挡板形成的空间的维持变得更容易。因此，提高了基板的上表面与相向部件之间的间隔的调整的自由度。在本专利技术的一个实施方式中，前述间隔调整工序包括使前述相向部件与前述挡板以相同的速度相对于前述被保持为水平的基板升降的工序。根据本方法，通过使相向部件与挡板以相同的速度相对于基板升降，由此在基板的上表面与相向部件之间的间隔调整中，能够抑制相向部件与挡板之间的间隙变大的情况。因此，能够更进一步制限由基板、相向部件和挡板形成的空间与空间外部之间的环境气体往来。在本专利技术的一个实施方式中，前述间隔调整工序包括使前述相向部件与前述挡板同时相对于前述被保持为水平的基板升降的工序。基于本方法，因为相向部件和挡板同时相对于基板升降，所以能够更进一步制限由基板、相向部件和挡板形成的空间与空间外部之间的环境气体往来。在本专利技术的一个实施方式中，前述间隔调整工序包括调整前述被保持为水平的基板的上表面与相向部件之间的间隔，使得从前述挡板延伸至前述空间的内侧的处理液供给喷嘴能够在前述被保持为水平的基板与前述相向部件之间移动的工序。基于本方法，对基板的上表面与相向部件之间的间隔进行了调整，使得从前述挡板延伸至前述空间的内侧的处理液供给喷嘴能够在前述被保持为水平的基板与前述相向部件之间移动。因此，处理液供给喷嘴能够在将该空间内的环境气体置换为非活性气体的状态下，即在环境气体中的氧浓度及湿度被降低的状态下，向基板的上表面供给处理液。在本专利技术的一个实施方式中，前述非活性气体供给工序开始于前述间隔调整工序结束之前。因此，在基板处理中，在基板与相向部件之间的环境气体的氧浓度及湿度已降低，并且基板的上表面与相向部件之间的间隔已适当调整的状态下，缩短了到开始向基板的上表面供给处理液为止的时间。通过参照附图描述的以下的实施方式的说明，将使本专利技术的上述的或进一步的其他的目的、特点和效果更清楚。附图说明图1是用于说明本专利技术的一实施方式的基板处理本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理方法，包含：基板保持工序，将基板保持为水平；相向配置工序，在被保持为水平的所述基板的上表面相向配置相向部件；空间形成工序，由被保持为水平的所述基板、所述相向部件、以及在俯视下包围被保持为水平的所述基板及所述相向部件的挡板形成与外部的环境气体往来被限制的空间；非活性气体供给工序，向所述空间供给非活性气体；间隔调整工序，通过一边维持所述空间一边使所述相向部件相对于被保持为水平的所述基板升降，来调整所述基板的上表面与所述相向部件之间的间隔；处理液供给工序，在所述间隔调整工序之后向被保持为水平的所述基板的上表面供给处理液。

【技术特征摘要】
2016.08.31 JP 2016-1701701.一种基板处理方法，包含：基板保持工序，将基板保持为水平；相向配置工序，在被保持为水平的所述基板的上表面相向配置相向部件；空间形成工序，由被保持为水平的所述基板、所述相向部件、以及在俯视下包围被保持为水平的所述基板及所述相向部件的挡板形成与外部的环境气体往来被限制的空间；非活性气体供给工序，向所述空间供给非活性气体；间隔调整工序，通过一边维持所述空间一边使所述相向部件相对于被保持为水平的所述基板升降，来调整所述基板的上表面与所述相向部件之间的间隔；处理液供给工序，在所述间隔调整工序之后向被保持为水平的所述基板的上表面供给处理液。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述间隔调整工序包括：维持所述相向部件的外缘部与所述挡板的内缘部相向的状态的工...

【专利技术属性】
技术研发人员：日野出大辉，藤井定，武明励，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：日本,JP