【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶圆的清洗方法
本专利技术涉及半导体晶圆
,具体涉及一种半导体晶圆的清洗方法。
技术介绍
在晶圆背面的清洗过程中,一般采用HNO3和HF混合溶剂清洗晶圆背面的污染物,主要清洗对象是化学制剂残留及金属污染物。然而,由于清洗溶剂的刻蚀速率选择性,晶圆背面被氧化的部位不能够被清洗液腐蚀,只能腐蚀其它部位,从而在晶圆背面形成了大量的网格状台阶形貌,造成晶圆背面的色差。例如,正照式晶圆流通到后续工艺中时,由于晶圆背面的网格状色差,有可能导致后续背照式晶圆的工艺不能进行。
技术实现思路
本专利技术旨在提供了一种半导体晶圆的清洗方法。本专利技术提供如下技术方案:一种半导体晶圆的清洗方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)提供半导体晶圆,半导体晶圆的正面涂布一层光刻胶;向半导体晶圆正面的光刻胶注入离子掺杂,以硬化该光刻胶;用浓氢氟酸溶剂刻蚀半导体晶圆背面的层次;去除半导体晶圆正面的光刻胶;(2)旋转半导体晶圆并使兆声波发生器从半导体晶圆边缘向半导体晶圆中心运动并过半导体晶圆中心点,在兆声波发生器的运动过程中,改变兆声波发生器在半导体晶圆表面停留的时间;(3)再向半导体晶圆的边缘表面喷涂去离子水和稀氢氟酸对所述半导体晶圆外表面进行清洗;(4)对上述清洗的半导体晶圆进行吹干处理,吹干处理采用的气体为氮气,所述吹干处理采用的温度范围为45℃~65℃,所述吹干处理采用的时间范围为80s~160s。所述步骤(1)中涂布的光刻胶的厚度为200nm-2000nm。所述步骤(3)中稀氢氟酸中氟化氢与水的体积比浓度为0.1%~5.0%,所述稀氢氟酸的清洗时间为5s~25s。所述步 ...
【技术保护点】
一种半导体晶圆的清洗方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)提供半导体晶圆,半导体晶圆的正面涂布一层光刻胶;向半导体晶圆正面的光刻胶注入离子掺杂,以硬化该光刻胶;用浓氢氟酸溶剂刻蚀半导体晶圆背面的层次;去除半导体晶圆正面的光刻胶;(2)旋转半导体晶圆并使兆声波发生器从半导体晶圆边缘向半导体晶圆中心运动并过半导体晶圆中心点,在兆声波发生器的运动过程中,改变兆声波发生器在半导体晶圆表面停留的时间;(3)再向半导体晶圆的边缘表面喷涂去离子水和稀氢氟酸对所述半导体晶圆外表面进行清洗;(4)对上述清洗的半导体晶圆进行吹干处理,吹干处理采用的气体为氮气,所述吹干处理采用的温度范围为45℃~65℃,所述吹干处理采用的时间范围为80s~160s。
【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆的清洗方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)提供半导体晶圆,半导体晶圆的正面涂布一层光刻胶;向半导体晶圆正面的光刻胶注入离子掺杂,以硬化该光刻胶;用浓氢氟酸溶剂刻蚀半导体晶圆背面的层次;去除半导体晶圆正面的光刻胶;(2)旋转半导体晶圆并使兆声波发生器从半导体晶圆边缘向半导体晶圆中心运动并过半导体晶圆中心点,在兆声波发生器的运动过程中,改变兆声波发生器在半导体晶圆表面停留的时间;(3)再向半导体晶圆的边缘表面喷涂去离子水和稀氢氟酸对所述半导体晶圆外表面进行清洗;(4)对上述清洗的半导体晶圆进行吹干处理,吹干处理采用的气体为氮气,所述吹干处理采用的温度范围为45℃~65℃,所述吹干处理采用的时间范围为80s~160s。2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆的清洗方法,其特征在于:所述步骤(1)中...
【专利技术属性】
技术研发人员:江富杰,张飞凡,
申请(专利权)人:合肥新汇成微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽,34
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