层叠陶瓷电容器及其制造方法技术

本发明专利技术提供能够同时实现短路不良的抑制和电容的确保的层叠陶瓷电容器及其制造方法，层叠陶瓷电容器包括层叠部和侧边缘部，层叠部包括电容形成部和覆盖部，该电容形成部具有在第一方向上层叠的多个陶瓷层和配置在多个陶瓷层之间的以镍为主成分的多个内部电极，该覆盖部从第一方向覆盖电容形成部，侧边缘部从与第一方向正交的第二方向覆盖层叠部，多个内部电极具有与侧边缘部相邻接的、不均匀分布着与镍一起形成氧化物的金属元素的氧化区域，电容形成部包括与覆盖部相邻接的第一部分和在第一方向上与第一部分相邻接的、氧化区域的第二方向的尺寸比第一部分小的第二部分。

【技术实现步骤摘要】
层叠陶瓷电容器及其制造方法
本专利技术涉及添加有侧边缘部的层叠陶瓷电容器及其制造方法。
技术介绍
近年来，伴随电子设备的小型化和高性能化，对于电子设备中使用的层叠陶瓷电容器的大电容化等期望逐渐增强。为了响应该期望，例如将层叠陶瓷电容器的内部电极的交叉面积极力增大是有效的。为了增大内部电极的交叉面积，在使内部电极露出于侧面的层叠芯片添加用于确保内部电极的周围的绝缘性的侧边缘部的方法是有效的。由此，能够将侧边缘部较薄地形成，能够相对地得到较大的内部电极的交叉面积。另一方面，在层叠芯片的侧面添加有侧边缘部的层叠陶瓷电容器中，存在在制造过程中在层叠芯片的侧面附着来自内部电极的异物等的情况。由此，存在在层叠芯片的侧面、内部电极彼此彼此导通而发生内部电极间的短路不良的情况。为了应对该问题，例如能够如专利文献1中记载的专利技术那样，通过在内部电极的端部形成导电性低的氧化区域，防止在层叠芯片的侧面的内部电极间的短路不良。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2009-016796号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题在层叠陶瓷电容器中，不仅存在在层叠芯片的侧面添加侧边缘部的情况，而且存在由于烧制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种层叠陶瓷电容器，其特征在于，包括：具有电容形成部和覆盖部的层叠部，所述电容形成部包括在第一方向上层叠的多个陶瓷层和配置在所述多个陶瓷层之间的以镍为主成分的多个内部电极，所述覆盖部从所述第一方向覆盖所述电容形成部；和从与所述第一方向正交的第二方向覆盖所述层叠部的侧边缘部，所述多个内部电极具有与所述侧边缘部相邻接的、不均匀分布着与镍一起形成氧化物的金属元素的氧化区域，所述电容形成部包括：与所述覆盖部相邻接的第一部分；和在所述第一方向上与所述第一部分相邻接的、所述氧化区域的所述第二方向的尺寸比所述第一部分小的第二部分。

【技术特征摘要】
2016.08.30 JP 2016-1683341.一种层叠陶瓷电容器，其特征在于，包括：具有电容形成部和覆盖部的层叠部，所述电容形成部包括在第一方向上层叠的多个陶瓷层和配置在所述多个陶瓷层之间的以镍为主成分的多个内部电极，所述覆盖部从所述第一方向覆盖所述电容形成部；和从与所述第一方向正交的第二方向覆盖所述层叠部的侧边缘部，所述多个内部电极具有与所述侧边缘部相邻接的、不均匀分布着与镍一起形成氧化物的金属元素的氧化区域，所述电容形成部包括：与所述覆盖部相邻接的第一部分；和在所述第一方向上与所述第一部分相邻接的、所述氧化区域的所述第二方向的尺寸比所述第一部分小的第二部分。2.如权利要求1所述的层叠陶瓷电容器，其特征在于：所述金属元素为镁和锰中的至少一者。3.一种层叠陶瓷电容器的制造方法，其特征在于，包括：制作未烧制的层叠芯片的步骤，所述层叠芯片包括：电容形成部，其具有在第一方向上层叠的多个陶瓷层和配置在所述多...

【专利技术属性】
技术研发人员：水野高太郎，
申请(专利权)人：太阳诱电株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP