多层陶瓷电容器和多层陶瓷电容器的制造方法技术

本发明专利技术提供一种多层陶瓷电容器，其包括：多层结构，其中多个陶瓷电介质层中的每一层和多个包括陶瓷共用材料的内部电极层中的每一层交替层叠，其中共用材料中的Mo浓度小于陶瓷电介质层中陶瓷晶粒中的Mo浓度。

【技术实现步骤摘要】
多层陶瓷电容器和多层陶瓷电容器的制造方法
本专利技术的某方面涉及多层陶瓷电容器和多层陶瓷电容器的制造方法。
技术介绍
最近，例如智能电话或移动电话的电子装置的尺寸正在变小。因此，电子装置上安装的电子组件的尺寸在迅速变小。例如，在多层陶瓷电容器代表的芯片型多层陶瓷电子组件领域，尽管性能得以保证，但陶瓷层和内部电极的厚度减小，以降低芯片的大小。通常，作为共用材料(co-material)使用的陶瓷晶粒(ceramicgrain)的组成与电介质层相同(例如，参见日本专利申请公开第2010-103198号、第2014-067775号和第2014-236214号)。
技术实现思路
当将Mo添加到电介质层中时，电介质层的寿命特性得以提高，并且多层陶瓷电容器的可靠性得以提高。但是，Mo可能影响内部电极层的连续性模量(continuitymodulus)劣化。当内部电极层的连续性模量劣化的作用大于电介质层寿命特性提高的作用时，多层陶瓷电容器的可靠性可能变差。本专利技术的一目的是提供能够实现电介质层的寿命特性和内部电极层的高连续性模量的多层陶瓷电容器和多层陶瓷电容器的制造方法。根据本专利技术一方面，提供一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多层陶瓷电容器，其包括：多层结构，其中多个陶瓷电介质层中的每一层和多个包括共用材料的内部电极层中的每一层交替层叠，其中所述共用材料中的Mo浓度小于所述陶瓷电介质层中陶瓷晶粒中的Mo浓度。

【技术特征摘要】
2016.09.06 JP 2016-1741011.一种多层陶瓷电容器，其包括：多层结构，其中多个陶瓷电介质层中的每一层和多个包括共用材料的内部电极层中的每一层交替层叠，其中所述共用材料中的Mo浓度小于所述陶瓷电介质层中陶瓷晶粒中的Mo浓度。2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中所述陶瓷晶粒中主要组分陶瓷中的Mo浓度为0.2atm％或更高。3.根据权利要求1或2所述的多层陶瓷电容器，其中所述共用材料不包括Mo。4.根据权利要求1或2所述的多层陶瓷电容器，其中所述陶瓷晶粒和所述共用材料的主要组分是钛酸钡。5.根据权利要求1或2所述的多层陶瓷电容器，其中所述内部电极层的主要组分是Ni。6.一种制...

【专利技术属性】
技术研发人员：千辉纪之，
申请(专利权)人：太阳诱电株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP