一种晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法技术

本发明专利技术提供一种晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法，包括选择合适的基础钕铁硼并将基础钕铁硼磁体切成厚度小于8mm的薄片，得到钕铁硼薄片；将钕铁硼薄片浸泡在盐酸溶液或硝酸溶液中5～20min后再于120～140℃环境中干燥20～120min；利用蒸镀法在干燥后的钕铁硼薄片表面附上一层重稀土金属；将表面蒸镀有重稀土金属的钕铁硼薄片先在750～790℃条件下真空渗透1～2h，然后再于951～1000℃条件下继续真空渗透处理2～4h；将真空渗透后的钕铁硼薄片在500～600℃条件下进行真空时效后再于400～450℃条件下进行真空时效，得目标产物。本发明专利技术制备方法在能提高磁体矫顽力的同时对剩磁影响小。

【技术实现步骤摘要】
一种晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法
本专利技术涉及磁体制备
，特别涉及一种晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法。
技术介绍
烧结NdFeB磁体因其高饱和磁感、高矫顽力及高磁能积等优良磁性能而得到广泛应用，尤其在新能源汽车领域，NdFeB磁体的需求量急剧增长。但由于新能源汽车，其工作温度一般在200℃左右，要求矫顽力高同时要求钕铁硼磁体具有高的剩磁。用合金化法添加重稀土，形成高磁晶各向异性的(NdDy)2Fe14B硬磁相，能明显提高磁体的矫顽力，减少高温引起的磁性能衰减，但同时，Dy原子与Fe原子会形成反铁耦合，造成剩磁的下降，永磁体在高温下的极限环境下，产生的磁场强度也会下降。所以传统方法制备得到的钕铁硼磁体虽然提高了矫顽力，但是由于剩磁下降过多，也无法满足新能源汽车马达的应用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服了上述缺陷，提供一种能提高磁体矫顽力且对剩磁影响小的晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法。为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：本专利技术提供一种晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法，包括以下步骤：步骤1：将基础钕铁硼磁体切成厚度小于8mm的薄片，得到钕铁硼薄片，所述基础钕铁硼磁体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将基础钕铁硼磁体切成厚度小于8mm的薄片，得到钕铁硼薄片，所述基础钕铁硼磁体的按质量百分比组成为：Pr：5.9％；Nd：23.4％；Dy：1％；B：0.98％；Al：0.1％；Cu：0.1％；Zr：0.1％及Fe：68.42％；步骤2：将步骤1的钕铁硼薄片浸泡在体积浓度为3～5％的盐酸溶液或体积浓度为3～5％的硝酸溶液中5～20min后再于120～140℃环境中干燥20～120min；步骤3：利用蒸镀法在步骤2处理后的钕铁硼薄片表面附上一层重稀土金属；步骤4：将步骤3处理后的钕铁硼薄片先在750～790℃条件下真空渗透1～2h...

【技术特征摘要】
1.一种晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将基础钕铁硼磁体切成厚度小于8mm的薄片，得到钕铁硼薄片，所述基础钕铁硼磁体的按质量百分比组成为：Pr：5.9％；Nd：23.4％；Dy：1％；B：0.98％；Al：0.1％；Cu：0.1％；Zr：0.1％及Fe：68.42％；步骤2：将步骤1的钕铁硼薄片浸泡在体积浓度为3～5％的盐酸溶液或体积浓度为3～5％的硝酸溶液中5～20min后再于120～140℃环境中干燥20～120min；步骤3：利用蒸镀法在步骤2处理后的钕铁硼薄片表面附上一层重稀土金属；步骤4：将步骤3处理后的钕铁硼薄片先在750～790℃条件下真空渗透1～2h，然后再于951～1000℃条件下继续真空渗透处理2～4h；步骤5：将步骤4处理后的钕铁硼薄片在500～600℃条件下进行真空时效后再于400～450℃条件下进行真空时效，得目标产物。2.根据权利要求1所述的晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕竹风，黄家炽，
申请(专利权)人：宁德市星宇科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35