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一种晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法技术
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文档序号:17469868
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本发明提供一种晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法,包括选择合适的基础钕铁硼并将基础钕铁硼磁体切成厚度小于8mm的薄片,得到钕铁硼薄片;将钕铁硼薄片浸泡在盐酸溶液或硝酸溶液中5~20min后再于120~140℃环境中干燥20~120min;利用蒸镀...
该专利属于宁德市星宇科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过宁德市星宇科技有限公司授权不得商用。
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