一种低功耗亚阈值全MOS管的基准电压源的设计制造技术
Design of a low power subthreshold all MOS tube reference voltage source
The invention belongs to the field of analog integrated circuit, and relates to a low power reference voltage source circuit. The circuit consists of a reference core circuit and a starting circuit. A low power full MOS reference voltage source circuit is designed by analyzing the current characteristics of MOS transistors in sub threshold region, linear region and saturation region. The characteristics of MOS transistor operating in the linear region to replace the ordinary routine resistance of the entire circuit to achieve full MOS reference source, and can effectively reduce the circuit area; starting circuit for power supply in power up to just the whole circuit provides a starting current, to eliminate the degeneracy point. Compared with the traditional reference voltage source circuit, the present invention can not only achieve very low power consumption, but also have low temperature coefficient.
【技术实现步骤摘要】
一种低功耗亚阈值全MOS管的基准电压源的设计
本专利技术属于模拟集成电路领域，涉及到集成电路中基准电压产生技术，更确切的说是一种低功耗亚阈值全MOS基准电压源的设计。
技术介绍
基准电压源是模拟电路中的重要模块，常常被应用于电源管理芯片、数模转换器等电路中，为电路其他模块提供电压参考。在基准电压源的研究中，研究更多的是如何实现低温漂特性，对功耗研究较少，并且很多都是基于带隙基准，然而带隙基准对电源电压要求较高，并且常规电阻的使用导致芯片面积较大，因此，有必要设计一种具有低功耗全MOS管亚阈值特性的基准源电路。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提供一种新型的适用于低电源电压的低功耗亚阈值全MOS管基准电压源电路，电路具有在很宽温度范围内的低温度系数特性，使用工作于线性区的MOS管代替电阻实现全MOS结构并减小电路芯片面积，并且输出基准电压为线性区MOS管提供偏置电压，避免设计额外的偏置电路以进一步降低功耗。本专利技术的技术方案为：一种低功耗亚阈值全MOS基准电压源电路，该电路包括基准核心电路、启动电路。所述基准核心电路由PMOS管M1、M2、M3、M4、M8和NMO...
【技术保护点】
一种低功耗亚阈值全MOS管基准电压源的设计，其包含基准核心电路以及启动电路，所述基准核心电路，用于产生基准电压，其特征在于：通过对工作在亚阈值区、线性区和饱和区的MOS晶体管不同电流特性的分析设计了一种低功耗全MOS基准电压源电路。
【技术特征摘要】
1.一种低功耗亚阈值全MOS管基准电压源的设计，其包含基准核心电路以及启动电路，所述基准核心电路，用于产生基准电压，其特征在于：通过对工作在亚阈值区、线性区和饱和区的MOS晶体管...
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