半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置，实现单位晶体管的最高温度的下降或温度偏差的降低。半导体装置具备：半导体基板，含具有第一方向的第一边及第二方向的第二边的主面；多个晶体管列，形成在半导体基板的第一边侧的区域；多个凸块，多个凸块包括第一方向上的长度长的第一及第二凸块，第一边和第一凸块的距离比第一边和第二凸块的距离短，多个晶体管列包括第一及第二晶体管列，第一晶体管列具有沿第一方向配置为与第一凸块重叠的多个第一单位晶体管，第二晶体管列具有沿第一方向配置为与第二凸块重叠的多个第二单位晶体管，在半导体基板的主面的俯视下，第一单位晶体管的平均每一个的第一凸块的面积比第二单位晶体管的平均每一个的第二凸块的面积大。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
在便携式电话等移动通信设备中，为了放大向基站发送的无线频率(RF：RadioFrequency；射频)信号的功率而使用功率放大电路。在功率放大电路中，为了满足高的输出功率水平，可使用在半导体基板配置有被并联连接的多个单位晶体管的结构(以下，也称为多指结构。)。在上述的多指结构中，根据单位晶体管的配置，在单位晶体管间可能产生温度偏差。在此，晶体管一般具有温度越高则流过越多电流这样的温度特性。因此，若在多个单位晶体管间产生温度偏差，则在温度比较高的单位晶体管会流过许多电流，从而存在输出功率不足、功率效率恶化、进而导致起因于热失控的晶体管的破坏这样的问题。为了应对该问题，例如在专利文献1中公开了如下的结构，即，多个单位晶体管被配置为与半导体基板的外侧相比配置在内侧的单位晶体管的数目少。在该结构中，基于半导体基板的内侧的温度变得最高这一前提，通过减少配置在内侧的单位晶体管的数目，从而降低基板整体的温度的偏差。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2006—186159号公报然而，在专利文献1中并未考虑半导体基板中的散热程度的差异。即，在半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，具备：半导体基板，具有大致矩形状的主面，所述主面具有第一方向的第一边以及与所述第一方向交叉的第二方向的第二边；多个晶体管列，在所述半导体基板之中，相对于该半导体基板的在所述第一方向上延伸的中心线而形成在所述第一边侧的区域；以及多个凸块，形成在所述区域，所述多个凸块包括：第一凸块以及第二凸块，在所述半导体基板的主面的俯视下，与所述第二方向上的长度相比，所述第一方向上的长度长，所述第一凸块以及所述第二凸块沿着所述第二方向配置为，在所述半导体基板的主面的俯视下，与所述第一边和所述第二凸块的所述第二方向上的距离相比，所述第一边和所述第一凸块的所述第二方向上的距离短，所述多个晶体管列包括...

【技术特征摘要】
2016.08.25 US 62/379,3361.一种半导体装置，具备：半导体基板，具有大致矩形状的主面，所述主面具有第一方向的第一边以及与所述第一方向交叉的第二方向的第二边；多个晶体管列，在所述半导体基板之中，相对于该半导体基板的在所述第一方向上延伸的中心线而形成在所述第一边侧的区域；以及多个凸块，形成在所述区域，所述多个凸块包括：第一凸块以及第二凸块，在所述半导体基板的主面的俯视下，与所述第二方向上的长度相比，所述第一方向上的长度长，所述第一凸块以及所述第二凸块沿着所述第二方向配置为，在所述半导体基板的主面的俯视下，与所述第一边和所述第二凸块的所述第二方向上的距离相比，所述第一边和所述第一凸块的所述第二方向上的距离短，所述多个晶体管列包括沿着所述第二方向配置的第一晶体管列以及第二晶体管列，所述第一晶体管列具有沿着所述第一方向配置为在所述半导体基板的主面的俯视下至少一部分与所述第一凸块重叠的多个第一单位晶体管，所述第二晶体管列具有沿着所述第一方向配置为在所述半导体基板的主面的俯视下至少一部分与所述第二凸块重叠的多个第二单位晶体管，在所述半导体基板的主面的俯视下，所述多个第一单位晶体管的每个第一单位晶体管的所述第一凸块的面积比所述多个第二单位晶体管的每个第二单位晶体管的所述第二凸块的面积大。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一晶体管列中的相邻的两个第一单位晶体管的所述第一方向上的间隔比所述第二晶体管列中的相邻的两个第二单位晶体管的所述第一方向上的间隔宽。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一晶体管列中包含的所述多个第一单位晶体管的数目比所述第二晶体管列中包含的所述多个第二单位晶体管的数目少。4.根据权利要求2所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木健次，岛本健一，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP