一种晶圆表面凸点结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种晶圆表面凸点结构，涉及半导体技术领域，晶圆表面绝缘层设有开口以露出内部金属导线；凸点结构包括：导电金属层，其第一表面覆盖开口并与开口表面重合；焊料缓冲层，其第一表面与导电金属层层的第二表面相适应并重合，第二表面为平面或向背离晶圆表面的方向凸出；导电金属柱，其第一表面与焊料缓冲层的第二表面相适应并重合，第二表面为平面或向背离晶圆表面的方向突出；焊帽，其第一表面与导电金属柱的第二表面相适应并重合，第二表面向背离晶圆表面的方向突出。当上述凸点倒装焊接时，焊帽的焊料回流包覆焊接点，由于导电金属柱的第二表面为平面或者向外微微突出，因此焊接点不会形成孔洞，从而使得焊接强度较高。

A bump structure on the surface of a wafer

The utility model discloses a convex surface of the wafer structure, relates to the field of semiconductor technology, the wafer surface of the insulating layer is provided with an opening to expose the internal metal wire; including bump structure: conductive metal layer, the first surface covering the opening and the opening surface coincide; solder buffer layer, the first surface and the second surface conductive metal layers adapted to and coincidence, second surface is flat or convex to deviate from the surface of the wafer direction; the conductive metal column, the first surface and the second surface of the solder buffer layer to overlap, second surface is flat or prominent to deviate from the surface of the wafer direction; the welding cap, the first surface and the second surface of the conductive metal column to coincide, the second for departure from the surface of the wafer to highlight the direction. When the above bump is flip chip, the solder of the welding cap is reflued to cover the welding point. Because the second surface of the conductive metal column is plane or slightly protruding outwards, the welding point will not form holes, which will make the welding strength higher.

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆表面凸点结构
本技术涉及半导体
，具体涉及一种晶圆表面凸点结构。
技术介绍
凸点是封装结构所预留，用于对器件进行进一步封装、或与其他器件电性连接的接口。例如，对晶圆上的器件进行进一步封装；或者一片晶圆上的器件设置有凸点，另一晶圆上对应位置设置有焊盘，当两片晶圆的凸点和焊盘相对放置并焊接即可实现两片晶圆上器件的电连接。现有凸点结构如图1所示。011为晶圆表面的绝缘层，012为晶圆表面绝缘层内部的金属导线层，013为晶圆金属导线层内部的其他结构，014为导电金属柱，015为焊帽。021为基板表面的绝缘层，022为基板表面绝缘层内部的金属导线层，023为基板金属导线层内部的其他结构，024为基板表面的焊盘。在晶圆表面制备凸点结构时，先在绝缘层011表面设置开口，露出内部金属导线层012，进而在开口处电镀导电金属，进而形成导电金属柱014，并在导电金属柱表面进一步电镀焊料形成向外突出的焊帽015。然而，由于在开口处绝缘层011表面与金属导线层012表面存在高度差，则电镀形成的导电金属柱014表面也相应存在高度差，使得导电金属柱014背离晶圆表面的一面向内凹陷。如图2所示，当晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆表面凸点结构，其特征在于，所述晶圆表面为绝缘层，所述绝缘层设有开口以露出内部金属导线；所述凸点结构包括：导电金属层，其第一表面覆盖所述开口并与所述开口表面重合；焊料缓冲层，其第一表面与所述导电金属层的第二表面相适应并重合，所述焊料缓冲层的第二表面为平面或向背离所述晶圆表面的方向凸出；导电金属柱，其第一表面与所述焊料缓冲层的第二表面相适应并重合，所述导电金属柱的第二表面为平面或向背离所述晶圆表面的方向突出；焊帽，其第一表面与所述导电金属柱的第二表面相适应并重合，所述焊帽的第二表面向背离所述晶圆表面的方向突出；其中，所述第一表面为朝向所述晶圆表面的一面；所述第二表面为背离所述晶圆表面的一面...

【技术特征摘要】
1.一种晶圆表面凸点结构，其特征在于，所述晶圆表面为绝缘层，所述绝缘层设有开口以露出内部金属导线；所述凸点结构包括：导电金属层，其第一表面覆盖所述开口并与所述开口表面重合；焊料缓冲层，其第一表面与所述导电金属层的第二表面相适应并重合，所述焊料缓冲层的第二表面为平面或向背离所述晶圆表面的方向凸出；导电金属柱，其第一表面与所述焊料缓冲层的第二表面相适应并重合，所述导电金属柱的第二表面为平...

【专利技术属性】
技术研发人员：耿菲，孙鹏，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32