一种基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架及其封装芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架及其封装芯片，包括蚀刻区和基岛固定区，蚀刻区位于基岛固定区的周围；蚀刻区与基岛固定区之间不直接接触，蚀刻区包括多个引脚，引脚包括引脚根部、引脚中部和引脚前部；引脚前部位于靠近基岛的蚀刻区内边上，引脚根部位于远离基岛的蚀刻区外边上，引脚根部和引脚前部之间通过引脚中部连接；引脚根部和引脚前部未蚀刻或部分半蚀刻，引脚中部为半蚀刻；还包括焊线，焊线的一端连接引脚前部，另一端连接芯片的焊接点。本实用新型专利技术通过引脚中部半蚀刻部分加长引脚替代一部分的焊线，缩短了所需焊线的长度，能够极大程度的避免焊线在塑封时发生漂移短路现象，能够增加成品率，提高生产效益。

A QFN frame and its encapsulation chip based on lengthened semi etched arch inner pin

The utility model discloses a lengthened half etched inside the arch frame and pin QFN package based on the chip, including etching area and base area around the island is fixed, etching area is located in the fixed zone between the island area and the island; etching fixed area direct contact etch area includes a plurality of pins, pin pin pin, including root the middle and front side etching area pin; the front pin is located near the island, outside the island away from the base pin roots in etching area, between pin and pin is connected through the root pin pin pin front and middle; the root not etched or semi etching, pin middle half etching; including wire welding. One end of the wire connecting pin is connected with the other end of the chip welding point. The utility model replaces part of the welding line through the half etching part lengthening pin of the middle part of the pin, shortens the length of the required welding line, and avoids the drift short circuit phenomenon of the welding wire in plastic sealing to a great extent, and it can increase the finished product rate and increase the production benefit.

【技术实现步骤摘要】
一种基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架及其封装芯片
本技术涉及引脚框架
，尤其涉及一种基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架及其封装芯片。
技术介绍
在半导体QFN封装的引线框设计时，内引脚设计因基岛设计尺寸尽可能大而变短，当芯片封装在这种大基岛框架中时，则需要从芯片引脚拉出较长的焊线才能与内引脚联通。在一些焊线布局复杂情况下，焊线与焊线之间因为线长，导致焊线漂移短路，电阻值变高等异常，使得产品良率因此损失，功能达不到设计要求等问题。
技术实现思路
技术目的：为了解决现有技术存在的缺点，尽量避免焊线在塑封时发生漂移短路现象，本技术提供一种基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架。本技术的另一目的是提供一种基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架的封装芯片。技术方案：一种基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架，包括蚀刻区和基岛固定区，所述蚀刻区位于基岛固定区的周围，蚀刻区与基岛固定区之间设有基岛支架，基岛支架为半蚀刻，基岛固定区包括基岛，所述基岛固定在基岛支架顶部，基岛用于固定芯片；蚀刻区与基岛固定区之间不直接接触，蚀刻区包括多个引脚，引脚包括引脚根部、引脚中部和引脚前部；引脚前部位于靠近基岛的蚀刻区内边上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架，包括蚀刻区和基岛固定区，其特征在于，所述蚀刻区位于基岛固定区的周围，蚀刻区与基岛固定区之间设有基岛支架，基岛支架为半蚀刻，基岛固定区包括基岛，所述基岛固定在基岛支架顶部，基岛用于固定芯片；蚀刻区与基岛固定区之间不直接接触，蚀刻区包括多个引脚，引脚包括引脚根部、引脚中部和引脚前部；引脚前部位于靠近基岛的蚀刻区内边上，引脚根部位于远离基岛的蚀刻区外边上，引脚根部和引脚前部之间通过引脚中部连接；引脚根部和引脚前部为未蚀刻或部分半蚀刻，引脚中部为半蚀刻；还包括焊线，焊线的一端连接引脚前部，焊线的另一端连接芯片的焊接点。

【技术特征摘要】
1.一种基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架，包括蚀刻区和基岛固定区，其特征在于，所述蚀刻区位于基岛固定区的周围，蚀刻区与基岛固定区之间设有基岛支架，基岛支架为半蚀刻，基岛固定区包括基岛，所述基岛固定在基岛支架顶部，基岛用于固定芯片；蚀刻区与基岛固定区之间不直接接触，蚀刻区包括多个引脚，引脚包括引脚根部、引脚中部和引脚前部；引脚前部位于靠近基岛的蚀刻区内边上，引脚根部位于远离基岛的蚀刻区外边上，引脚根部和引脚前部之间通过引脚中部连接；引脚根部和引脚前部为未蚀刻或部分半蚀刻，引脚中部为半蚀刻；还包括焊线，焊线的一端连接引脚前部，焊线的另一端连接芯片的焊接点。2.根据权利要求1所述的基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架，其特征在于，所述引脚根部和引脚前部均为细长的矩形。3.根据权利要求1或2所述的基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架，其特征在于，所述引脚前部靠近基岛的一端部分半蚀刻，引脚前部远离基岛的一端未蚀刻。4.根据权利要求1或2所述的基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架，其特征在于，还包括塑封料，所述塑封料将蚀刻区和基岛固定区密封起来，所述塑封料为长方体或圆柱状，且由塑封料粉...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭林源，王玲，
申请(专利权)人：南京矽邦半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32