具有氧化物层的晶片的抛光系统技术方案

本实用新型专利技术涉及具有氧化物层的晶片的抛光系统，该晶片的底面形成有透光性材质的抛光层，其包括：抛光垫，在抛光平板上进行旋转；光照射部，向晶片的抛光层照射光；调节器，一边对抛光垫进行加压，一边进行改性；光接收部，用于接收从抛光层的互不相同的第一位置反射的第一光干涉信号和从第二位置反射的第二光干涉信号；抛光头，调节对晶片进行加压的压力和调节器的压力中的任意一种以上，以消除第一光干涉信号和第二光干涉信号的偏差。由此，无需在抛光工序计算出晶片抛光层厚度，能够通过调节为从晶片抛光层所接收的反射光中消除光干涉信号的偏差的形态，进行具有可靠性且准确、简单的控制，使抛光结束时间点的晶片抛光层的厚度分布变得均匀。

Polishing system of wafer with oxide layer

【技术实现步骤摘要】
具有氧化物层的晶片的抛光系统
本技术涉及一种化学机械抛光系统，更详细地，涉及一种在抛光工序中即使不完全计算出抛光层的厚度也准确地控制抛光层的厚度的化学机械抛光系统。
技术介绍
化学机械抛光(CMP)装置是用于对晶片的表面进行精密抛光加工的装置，以谋求在半导体元件的制作过程中去除在反复执行掩膜、蚀刻及配线工序等过程中生成的晶片表面的凹凸所导致的单元区域和周边回路区域之间的高度差的广域平坦化，以及基于回路形成用触点/配线膜分离及高集成元件化的晶片表面的粗糙度的提高等。在这种化学机械抛光装置中，承载头以使晶片的抛光面在抛光工序前后与抛光垫对置的状态，对所述晶片进行加压来执行抛光工序，并且，若结束抛光工序，则以直接或间接的方式对晶片进行真空吸附，并以把持的状态向下一工序移动。图1a为化学机械抛光装置1的简图。如图1所示，化学机械抛光装置1一边借助承载头20在进行旋转11d的抛光平板10的抛光垫11上加压晶片W，一边实现抛光，同时，在抛光垫11上，一边从浆料供给部(未图示)供给浆料，一边实现湿式抛光。而且，在这一过程中，调节器40一边进行旋转40d运动和回旋运动，一边使调节盘对抛光垫11进行表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有氧化物层的晶片的抛光系统，所述晶片的底面形成有透光性材质的抛光层，其特征在于，包括：抛光垫，在抛光平板上进行旋转；光照射部，向所述晶片的抛光层照射光；调节器，一边对所述抛光垫进行加压，一边进行改性；光接收部，用于接收从所述抛光层的互不相同的第一位置反射的第一光干涉信号和从第二位置反射的第二光干涉信号；抛光头，用于调节对所述晶片进行加压的压力和调节器的压力中的任意一种以上，以消除所述第一光干涉信号和所述第二光干涉信号的偏差。

【技术特征摘要】
2016.05.11 KR 10-2016-00573081.一种具有氧化物层的晶片的抛光系统，所述晶片的底面形成有透光性材质的抛光层，其特征在于，包括：抛光垫，在抛光平板上进行旋转；光照射部，向所述晶片的抛光层照射光；调节器，一边对所述抛光垫进行加压，一边进行改性；光接收部，用于接收从所述抛光层的互不相同的第一位置反射的第一光干涉信号和从第二位置反射的第二光干涉信号；抛光头，用于调节对所述晶片进行加压的压力和调节器的压力中的任意一种以上，以消除所述第一光干涉信号和所述第二光干涉信号的偏差。2.根据权利要求1所述的具有氧化物层的晶片的抛光系统，其特征在于，所述抛光头包括压力腔室，所述压力腔室被分割为包括第一压力腔室和第二压力腔室在内的多个，用于对晶片进行加压，所述抛光头独立调节被分割为包括所述第一压力腔室和所述第二压力腔室在内的多个的所述压力腔室的压力，从而调节所述晶片的压力。3.根据权利要求1所述的具有氧化物层的晶片的抛光系统，其特征在于，所述偏差为在规定的第一时刻中的光干涉信号的偏差。4.根据权利要求1所述的具有氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：金圣教，
申请(专利权)人：凯斯科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国,KR