一种防止晶圆表面出现损伤的方法技术

本发明专利技术提供了一种防止晶圆表面出现损伤的方法，应用于化学机械研磨工艺；其中，具体包括以下步骤：步骤S1、于晶圆的表面形成一第一研磨液体薄膜层；步骤S2、研磨装置通过第一研磨液体薄膜层对晶圆的表面进行研磨；步骤S3、对研磨后的晶圆的表面进行清洗，以去除残留于晶圆的表面以及研磨装置上的第一研磨液体薄膜层。其技术方案的有益效果在于，在首次进行研磨操作后，通过对研磨后的晶圆表面进行清洗，可以有效的去除在研磨工艺中残留于晶圆表面的第一研磨液体薄膜层即副产物，避免了副产物在后续的研磨操作中对晶圆表面的晶粒造成损伤的问题。

A method to prevent the damage of the wafer surface

The present invention provides a method to prevent damage to the surface of the wafer, used in chemical mechanical polishing process; the specific surface, which comprises the following steps: step S1, Yu Jingyuan formed a first polishing liquid film layer; step S2, grinding device for grinding the grinding liquid through the first surface of the thin film layer on the wafer; and step S3 cleaning of the wafer surface after grinding, grinding the first thin liquid layer surface to remove the residue in the wafer and polishing device. The beneficial effects of the technical scheme, for the first time in the grinding operation, the cleaning of the wafer surface after grinding, the grinding process can remove the residue on the surface of the wafer first grinding liquid film layer is by-products effectively, avoid the by-product of grain on the surface of the wafer damage problems in subsequent grinding operation in.

【技术实现步骤摘要】
一种防止晶圆表面出现损伤的方法
本专利技术涉及半导体制备领域，尤其涉及一种防止晶圆表面出现损伤的方法。
技术介绍
在晶圆制造中，随着制程技术的升级、导线与栅极尺寸的缩小，光刻(Lithography)技术对晶圆表面的平坦程度(Non-uniformity)的要求越来越高。而化学机械研磨(chemicalmechanicalpolish，CMP)亦称为化学机械抛光，其原理是化学腐蚀作用和机械去除作用相结合的加工技术，是目前机械加工中唯一可以实现表面全局平坦化的技术。但是在研磨工艺中，由于研磨盘上的抛光垫和晶圆的表面近距离接触，其研磨后形成的副产物，容易对晶圆表面的晶粒产生刮伤，进而导致晶圆在电性方面的失效。
技术实现思路
针对现有技术中在研磨工艺中存在的上述问题，现提供一种旨在研磨工艺中对残留于晶圆表面的副产物进行清洗去除，避免副产物在研磨中对晶圆的表面产生损伤，保证了晶圆电性参数的方法。具体技术方案如下：一种防止晶圆表面出现损伤的方法，应用于化学机械研磨工艺，其中，提供一抛光组件，用以固定待研磨的晶圆；提供一研磨装置，位于所述抛光组件的下方，用以对固定于所述抛光组件中的所述晶圆进行研磨；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防止晶圆表面出现损伤的方法，应用于化学机械研磨工艺，其特征在于，提供一抛光组件，用以固定待研磨的晶圆；提供一研磨装置，位于所述抛光组件的下方，用以对固定于所述抛光组件中的所述晶圆进行研磨；具体包括以下步骤：步骤S1、于所述晶圆的表面形成一第一研磨液体薄膜层；步骤S2、所述研磨装置通过所述第一研磨液体薄膜层对所述晶圆的表面进行研磨；步骤S3、对研磨后的所述晶圆的表面进行清洗，以去除残留于所述晶圆的表面以及所述研磨装置上的所述第一研磨液体薄膜层。

【技术特征摘要】
1.一种防止晶圆表面出现损伤的方法，应用于化学机械研磨工艺，其特征在于，提供一抛光组件，用以固定待研磨的晶圆；提供一研磨装置，位于所述抛光组件的下方，用以对固定于所述抛光组件中的所述晶圆进行研磨；具体包括以下步骤：步骤S1、于所述晶圆的表面形成一第一研磨液体薄膜层；步骤S2、所述研磨装置通过所述第一研磨液体薄膜层对所述晶圆的表面进行研磨；步骤S3、对研磨后的所述晶圆的表面进行清洗，以去除残留于所述晶圆的表面以及所述研磨装置上的所述第一研磨液体薄膜层。2.根据权利要求1所述的防止出现损伤的方法，其特征在于，提供一喷嘴，用以喷洒一第一研磨液；所述研磨装置提供一研磨盘，所述研磨盘的顶部设置有一抛光垫；形成所述第一研磨液体薄膜层的方法，具体包括以下步骤：步骤A1、通过所述喷嘴向所述抛光垫喷洒所述第一研磨液；步骤A2、喷洒的所述第一研磨液在所述抛光垫的旋转作用下，在所述抛光垫与所述晶圆的表面之间均匀的形成所述第一研磨液体薄膜层。3.根据权利要求1所述的防止出现损伤的方法，其特征在于，所述步骤S3后，还包括以下步骤：步骤S4、于清洗后的所述晶圆的表面再次形成一第二研磨液体薄膜层；步骤S5、所述研磨装置通过所述第二液体研磨层对所述晶圆的表面进行研磨。4.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘珩，刘超，肖瑟，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42