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本发明提供了一种防止晶圆表面出现损伤的方法，应用于化学机械研磨工艺；其中，具体包括以下步骤：步骤S1、于晶圆的表面形成一第一研磨液体薄膜层；步骤S2、研磨装置通过第一研磨液体薄膜层对晶圆的表面进行研磨；步骤S3、对研磨后的晶圆的表面进行清洗...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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