The invention relates to a method to increase the contact area into the ladder window by ion, the method comprises the following steps: forming step of etching on the stack; step ladder stack, forming a stepped region; ion implantation is performed on the ladder ladder in the regional area, were formed with stepped distribution into the oxide layer and the nitride injection layer; for filling and replacement on the step area after ion implantation. The injection rate increases at the step of wet etching of the present invention by ion, increasing the volume after removal of silicon nitride, then step tungsten layer thickness increases, the process window, reducing the number of mask, reduce the production cost, the method increases the word line ladder in the stack area metal thickness, with a simple method increase the process window, reduce the production cost.
【技术实现步骤摘要】
一种利用离子注入增大阶梯区域接触窗口的方法
本专利技术涉及一种利用离子注入增大阶梯区域接触窗口的方法,涉及3DNAND存储器制造
技术介绍
由于3DNAND的触点结构需要穿透多层薄膜并停在不同界面,实际刻蚀的过程中由于字线的均匀性,导致不同深度的触点需要拆分开来加工(如图2所示)。如图1所示,3DNAND阶梯区域的字线厚度是均匀的,这样用同一张掩模来做触点,刻蚀开不同高度,就容易导致吃穿(右上画圈部分)。针对未来发展要求字线厚度越来越小的情况下,用一张掩模来达到多层触点的定义,预计会更加困难。
技术实现思路
本专利技术通过在阶梯区域上引入离子注入,增大氧化物/氮化硅的去除时的刻蚀速率,在通过刻蚀去除氮化硅的过程中,能够刻蚀掉更多的空间,从而在阶梯堆栈区域形成更厚的钨层。具体的,本专利技术提供了一种利用离子注入增大阶梯区域接触窗口的方法,所述方法包括如下步骤:形成阶梯堆栈;对上述阶梯堆栈进行阶梯刻蚀,形成阶梯区域;对所述阶梯区域进行离子注入,在阶梯区域分别形成呈阶梯状分布的注入氧化物层和注入氮化物层;对离子注入后的阶梯区域进行填充和置换。优选的,所述阶梯堆栈的形成方法为在硅基板上交替形成若干层氧化物层和氮化物层。优选的,所述氧化物是氧化硅,所述氮化物是氮化物。优选的,形成所述氧化物层和氮化物层的工艺使用薄膜沉淀工艺。优选的,所述薄膜沉淀工艺包括以下中的一种或多种:化学气相沉积法(CVD)、物理气相沉积法(PVD)、或原子层沉积法(ALD)。优选的,使用干法/湿法刻蚀工艺来形成所述阶梯区域优选的,所述注入氧化物层位于注入氮化物层的上表面。优选的,所述对离 ...
【技术保护点】
一种利用离子注入增大阶梯区域接触窗口的方法,所述方法包括如下步骤:形成阶梯堆栈;对上述阶梯堆栈进行阶梯刻蚀,形成阶梯区域;对所述阶梯区域进行离子注入,在阶梯区域分别形成呈阶梯状分布的注入氧化物层和注入氮化物层;对离子注入后的阶梯区域进行填充和置换。
【技术特征摘要】
1.一种利用离子注入增大阶梯区域接触窗口的方法,所述方法包括如下步骤:形成阶梯堆栈;对上述阶梯堆栈进行阶梯刻蚀,形成阶梯区域;对所述阶梯区域进行离子注入,在阶梯区域分别形成呈阶梯状分布的注入氧化物层和注入氮化物层;对离子注入后的阶梯区域进行填充和置换。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述阶梯堆栈的形成方法为在硅基板上交替形成若干层氧化物层和氮化物层。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:所述氧化物是氧化硅,所述氮化物是氮化物。4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:形成所述氧化物层和氮化物层的工艺使用薄膜沉淀工艺。5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于:所述薄膜沉淀工艺包括以下中的一种或多种:化学气相沉积法(CVD)、物理气相沉积法(PVD)、或原子层沉积法(ALD)。6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于:使用干...
【专利技术属性】
技术研发人员:姚兰,吕震宇,陈俊,
申请(专利权)人:长江存储科技有限责任公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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