【技术实现步骤摘要】
一种全光二极管实现方法
本专利技术涉及全光二极管技术,特别涉及一种基于表面等离激元波导的全光二极管实现方法。
技术介绍
在信息量日益膨胀的今天,传统信息网络已不再满足人们的需求,然而随着通信业务需求的增加,各种新技术不断改进和完善,全光网络随之被提出,这一技术避免了传统通信网络中中间节点电子瓶颈问题,受到世界各国的重视,必将成为未来网络发展的最终趋势。全光二极管作为未来全光信号处理的关键部件之一,必须不断的研究其实现方法,加以改进和完善使其能够更方便,更高效的实现正向导通,反向截止的功能。表面等离激元(SurfacePlasmonPolaritons,SPPs)是当光场入射到金属-介质的交界面时,金属中的自由电子在入射光子的作用下与同频率的入射光产生的集体振荡现象。它是一种沿金属-介质界面传播并且束缚于金属表面的电子疏密波,在亚波长范围内实现对光传播的有效控制。SPPs之所以能将电磁场能量局域在纳米尺度范围内,是因为其电场强度在垂直于金属-介质交界面方向上急剧衰减。表面等离子体的存在实现了纳米级金属光器件对光场的限制、局域及传输。将输入的光信号首先转化成表面等离子 ...
【技术保护点】
一种全光二极管实现方法,其特征在于,在介质波导与两侧背景的金属构成的金属‑介质‑金属表面等离激元波导结构的旁侧设计一个Fano短腔;在Fano短腔附近的表面介质波导中增加反射层,并且所述反射层的位置向介质波导正对Fano短腔位置偏离10‑20
【技术特征摘要】
1.一种全光二极管实现方法,其特征在于,在介质波导与两侧背景的金属构成的金属-介质-金属表面等离激元波导结构的旁侧设计一个Fano短腔;在Fano短腔附近的表面介质波导中增加反射层,并且所述反射层的位置向介质波导正对Fano短腔位置偏离10-20nm;入射光工作波长选择在靠近Fano短腔共振峰右侧的反射区域内;从正向入射端口入射的光强达到激发Fano短腔的非线性...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘彬,胡金凤,梁红勤,
申请(专利权)人:南昌航空大学,
类型:发明
国别省市:江西,36
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