低缺陷多孔抛光垫制造技术

抛光垫适用于使用抛光流体以及所述抛光垫与半导体、光学和磁衬底中的至少一个之间的相对运动来抛光或平面化半导体、光学和磁衬底中的所述至少一个。抛光层具有开孔聚合基质、抛光表面，所述抛光层中的多个凹槽。多个凸出槽脊区域用从所述底部多个凸出槽脊区域向外并且向下延伸的锥形支撑结构支持。所述多个凸出槽脊区域具有小于所述多个凹槽的平均宽度的平均宽度，以便减少所述凸出槽脊区域的抛光停留时间并且增加所述凹槽区域的碎屑去除停留时间到大于所述抛光停留时间的值。

Low defect porous polishing pad

The polishing pad is suitable for polishing or planarization of at least one of the semiconductor, optical and magnetic substrates using the polishing fluid and the relative movement between the polishing pad and at least one of the semiconductor, optical and magnetic substrates. The polishing layer has an opening polymerization matrix, a polished surface, and a plurality of grooves in the polishing layer. A plurality of convex trough ridges are supported by a conical support structure that extends outward from the ridge regions of the bottom of the trough and extends downward. The plurality of convex slot ridge areas has an average width smaller than the average width of the plurality of grooves, so as to reduce the polishing residence time of the convex ridge area and increase the removal time of the debris removal to the value of the polishing residence time.

【技术实现步骤摘要】
低缺陷多孔抛光垫
本专利技术涉及化学机械抛光垫和形成所述抛光垫的方法。更具体来说，本专利技术涉及多孔性化学机械抛光垫和形成多孔性抛光垫的方法。
技术介绍
在集成电路和其它电子装置的制造中，多个导电、半导电和介电材料层沉积到半导体晶片的表面上并且从其去除。薄的导电、半导电和介电材料层可以使用多种沉积技术沉积。现代晶片加工中的常见沉积技术尤其包含也称为溅射的物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)和电化学电镀(ECP)。常见去除技术尤其包含湿式和干式各向同性和各向异性蚀刻。因为依序沉积和去除材料层，所以晶片的最上表面变成非平面的。因为后续半导体加工(例如，光刻)需要晶片具有平坦表面，所以晶片需要平面化。平坦化可用于去除非所期望的表面形状和表面缺陷，例如粗糙表面、聚结材料、晶格损坏、刮痕和被污染的层或材料。化学机械平面化或化学机械抛光(CMP)是一种用以平面化或抛光工件(例如半导体晶片)的常见技术。在常规CMP中，晶片载具或抛光头安装在载具组合件上。抛光头固持晶片并且将晶片定位得与安装在CMP设备内的平台或台板上的抛光垫的抛光层接触。载具组合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抛光垫，其适用于使用抛光流体以及所述抛光垫与半导体、光学和磁衬底中的至少一个之间的相对运动来抛光或平面化半导体、光学和磁衬底中的所述至少一个，所述抛光垫包括以下各项：具有开孔聚合基质、抛光表面和厚度的抛光层，所述开孔聚合基质具有垂直孔隙和互连所述垂直孔隙的开放通道；所述抛光层中的多个凹槽，所述凹槽具有邻近抛光表面测量的平均宽度，在以固定速率旋转的半导体、光学和磁衬底中的所述至少一个上的点越过所述多个凹槽的所述宽度时所述多个凹槽具有碎屑去除停留时间；以及所述多个凹槽内的多个凸出槽脊区域，所述多个凸出槽脊区域用从所述底部多个凸出槽脊区域向外并且向下延伸的锥形支撑结构支持，所述多个槽脊区域具有由...

【技术特征摘要】
2016.08.04 US 15/2289961.一种抛光垫，其适用于使用抛光流体以及所述抛光垫与半导体、光学和磁衬底中的至少一个之间的相对运动来抛光或平面化半导体、光学和磁衬底中的所述至少一个，所述抛光垫包括以下各项：具有开孔聚合基质、抛光表面和厚度的抛光层，所述开孔聚合基质具有垂直孔隙和互连所述垂直孔隙的开放通道；所述抛光层中的多个凹槽，所述凹槽具有邻近抛光表面测量的平均宽度，在以固定速率旋转的半导体、光学和磁衬底中的所述至少一个上的点越过所述多个凹槽的所述宽度时所述多个凹槽具有碎屑去除停留时间；以及所述多个凹槽内的多个凸出槽脊区域，所述多个凸出槽脊区域用从所述底部多个凸出槽脊区域向外并且向下延伸的锥形支撑结构支持，所述多个槽脊区域具有由含有所述垂直孔隙的所述聚合物基质形成所述抛光表面的截头或非尖顶部，在以固定速率旋转的半导体、光学和磁衬底中的所述至少一个上的点越过邻近所述多个凹槽的所述多个凸出槽脊区域时所述多个凸出槽脊区域具有抛光停留时间，所述多个凸出槽脊区域具有小于所述多个凹槽的平均宽度的平均宽度，以便减少所述凸出槽脊区域的抛光停留时间并且增加所述凹槽区域的所述碎屑去除停留时间到大于所述抛光停留时间的值。2.根据权利要求1所述的抛光垫，其中所述垂直孔隙具有平均高度并且所述多个凹槽具有大于所述垂直孔隙的所述平均高度的平均深度。3.根据权利要求1所述的抛光垫，其中所述垂直孔隙具有在所述抛光表面下方增加的平均直径。4.根据权利要求1所述的抛光垫，其中所述凸出槽脊区域具有选自半球形、截头角锥形、截头梯形和其组合的形状，所述多个凹槽以线性方式延伸于所述凸出槽脊区域之间。5.根据权利要求1所述的抛光垫，其中多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：H·桑福德克瑞，罗水源，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US