【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路(IC)制造
，特别涉及检测铝连接线过热缺 陷的方法。
技术介绍
芯片金属化是应用化学或物理处理方法在芯片上淀积导电金属薄膜的过程。这一 过程与介质的淀积紧密相连，金属线在集成电路中传导信号，介质层则保证信号不受邻近 金属线的影响。金属化对于不同金属连接有专门的术语名称。互连(interconnect)意指 由导电材料制成的连接线将电信号传输到芯片的不同部分。在半导体集成电路制造业中，最早且最普遍用作连接线的金属是铝。图1所示芯 片上的铝连接线截面的示意图。其中左图为正常情况下的截面。在铝103a构成的连接线 的上层有一层钛/氮化钛102a，铝连接线的下层有一层钛/氮化钛104a，钛/氮化钛10 和钛/氮化钛10 形成阻挡层。然后在钛/氮化钛10 的上面，生长作为层间介质IOla 的氧化物薄膜。在生长上面的氧化物薄膜时会要求特定的温度。由于铝的熔点较低且活性较高， 如果温度超过特定值，下面的铝会和钛反应，形成导电性差的铝钛混合相，从而使金属连线 电阻值升高，芯片整体失效，这被称为铝连接线过热缺陷。出现铝连接线过热缺陷的截面 如...
【技术保护点】
一种检测铝连接线过热缺陷的方法，在晶圆的铝连线层以及钛／氮化钛阻挡层沉积完成后，沉积包含多个层间介质子层的层间介质，其特征在于，在任意一个或者多个层间介质子层沉积完成后，执行如下步骤：用具有连续光谱的光束倾斜照射晶圆表面，并用椭圆偏光计接收晶圆反射、折射和／或散射的光线，将所接收光线的光谱与预先形成的标准光谱进行比较，如果两者的差距超过阈值，则判定最后沉积的层间介质子层出现异常；如果没有超过阈值，则判定该层间介质子层正常。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：简志宏，王志高，容劲文，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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