【技术实现步骤摘要】
用于冷却包封式芯片的具有部分地包封式冷却通道的封装体
本申请涉及一种功率模块,一种封装体,一种车辆,一种使用方法,一种制造功率模块的方法,以及一种制造封装体的方法。
技术介绍
例如用于汽车应用场合的功率模块对功率部件提供了物理容纳作用,所述功率部件通常是成包括一个或多个集成电路元件的电子芯片形式的功率半导体装置。功率模块的集成电路元件的示例是绝缘栅双极晶体管(IGBT,insulated-gatebipolartransistor)和二极管。仍存在可能的空间来降低制造成本,并简化功率模块的电子芯片到外部电路的连接,同时高效地散热。
技术实现思路
需要一种封装体,其使得能够高效地散除工作过程中所产生的热量,同时制造起来简单。根据一个示例性实施例,提供了一种功率模块,其包括:半导体芯片;至少一个冷却板,其具有至少一个冷却通道,所述至少一个冷却通道热耦接至半导体芯片且配置成使得冷却剂(比如流体,即气体和/或液体)能够被引导通过所述至少一个冷却通道;和包封材料,其包封半导体芯片的至少一部分和所述至少一个冷却通道的至少一部分;其中,冷却板的主表面的至少一部分形成功率模块的外表面的一部分。根据另一示例性实施例,提供了一种封装体,其包括:电子芯片,其具有第一主表面和相反的第二主表面;第一冷却通道,其热耦接至电子芯片的第一主表面,且配置成使得冷却剂能够被引导通过第一冷却通道;第二冷却通道,其热耦接至电子芯片的第二主表面,且配置成使得冷却剂能够被引导通过第二冷却通道;和包封材料,其包封电子芯片的至少一部分、第一冷却通道的至少一部分和第二冷却通道的至少一部分;其中,第一冷却通道和 ...
【技术保护点】
一种功率模块(100),包括:·半导体芯片(102);·至少一个冷却板(120),其具有至少一个冷却通道(104),所述至少一个冷却通道(104)热耦接至半导体芯片(102)且配置成使得冷却剂能够被引导通过所述至少一个冷却通道(104);和·包封材料(108),其包封半导体芯片(102)的至少一部分和所述至少一个冷却通道(104)的至少一部分;·其中,冷却板(120)的主表面的至少一部分形成功率模块(100)的外表面的一部分。
【技术特征摘要】
2016.08.02 DE 102016114303.01.一种功率模块(100),包括:·半导体芯片(102);·至少一个冷却板(120),其具有至少一个冷却通道(104),所述至少一个冷却通道(104)热耦接至半导体芯片(102)且配置成使得冷却剂能够被引导通过所述至少一个冷却通道(104);和·包封材料(108),其包封半导体芯片(102)的至少一部分和所述至少一个冷却通道(104)的至少一部分;·其中,冷却板(120)的主表面的至少一部分形成功率模块(100)的外表面的一部分。2.根据权利要求1所述的功率模块(100),其特征在于,所述至少一个冷却通道(104)包括第一冷却通道,所述第一冷却通道热耦接至半导体芯片(102)的第一主表面。3.根据权利要求2所述的功率模块(100),其特征在于,所述至少一个冷却通道(104)包括至少一个另外的第一冷却通道,所述至少一个另外的第一冷却通道热耦接至半导体芯片(102)的第一主表面。4.根据权利要求2或3所述的功率模块(100),其特征在于,第一冷却通道和所述至少一个另外的第一冷却通道形成同一冷却板(120)的一部分,该同一冷却板尤其布置成大致平行于半导体芯片(102)的第一主表面。5.根据权利要求2-4中任一项所述的功率模块(100),其特征在于,该功率模块(100)包括布置在半导体芯片(102)与第一冷却通道之间的间隔体(130),尤其是导热式间隔体(130)。6.根据权利要求2-5中任一项所述的功率模块(100),其特征在于,所述至少一个冷却通道(104)包括第二冷却通道,所述第二冷却通道尤其通过直接的金属或塑料接触而热耦接至半导体芯片(102)的与第一主表面相反的第二主表面。7.根据权利要求6所述的功率模块(100),其特征在于,所述至少一个冷却通道(104)包括至少一个另外的第二冷却通道,所述至少一个另外的第二冷却通道尤其通过直接的金属或塑料接触而热耦接至半导体芯片(102)的第二主表面。8.根据权利要求6或7所述的功率模块(100),其特征在于,第二冷却通道和所述至少一个另外的第二冷却通道形成另一共同冷却板(122)的一部分,该另一共同冷却板尤其布置成大致平行于半导体芯片(102)的第二主表面。9.根据权利要求1-8中任一项所述的功率模块(100),其特征在于,所述冷却板(120)和所述至少一个冷却通道(104)中的至少一个包括由以下组成的组中的至少一个或由由以下组成的组中的至少一个组成:陶瓷体和金属体,尤其具有电介质涂层的金属体。10.根据权利要求1-9中任一项所述的功率模块(100),其特征在于,该功率模块(100)包括导电式布线结构(143),所述导电式布线结构(143)布置在所述至少一个冷却通道(104)与半导体芯片(102)之间,且配置成将半导体芯片(102)电连接至外界。11.根据权利要求1-10中任一项所述的功率模块(100),其特征在于,所述包封材料(108)包括模制型包封材料(108)或由模制型包封材料(108)组成。12.根据权利要求1-11中任一项所述的功率模块(100),其特征在于,该功率模块(100)包括冷却剂供送单元(126),该冷却剂供送单元(126)配置成用于驱动冷却剂、尤...
【专利技术属性】
技术研发人员:A·格拉斯曼,W·哈布莱,J·赫格尔,I·尼基廷,A·施特拉斯,
申请(专利权)人:英飞凌科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:德国,DE
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