【技术实现步骤摘要】
一种大面积染料敏化太阳能电池-光电极串联结构光电催化装置
本专利技术属于太阳能电池
和光电催化
,具体涉及一种大面积染料敏化太阳能电池-光电极串联结构光电催化装置和应用。
技术介绍
目前,随着工业的发展,伴随而来的环境问题也日益凸显,水污染、大气污染、固体废弃物污染等现象层出不穷,如何处理当今面临的环境污染问题越发引起了人们的注意。基于半导体的光催化技术因其能耗低,工艺简单,反应条件温和等突出优点,在环境保护中日益受到人们的重视。光电催化,即电辅助光催化技术,将光催化剂制成电极形式,可借助外加偏压抑制光生空穴-电子对的复合而提高光催化效率及量子效率。与传统的基于粉体的光催化相比,这种电辅助的光催化水处理技术克服了催化剂难回收以及光生载流子易复合的缺点,显著地增加了水处理效率。具体而言,该技术是把光催化剂负载在导电基底上,同时在光电极和对电极之间施加一定的偏压,将光生电子驱赶至外电路,以阻止电子-空穴对(光生载流子)的复合。光电催化技术特点之一在于能直接利用太阳能。然而,以太阳能作为唯一的能量来源,才能实现真正意义上的节能环保。而传统光电催化技术运行过程中所施加的外加偏压所需要的电能通常并不是直接来源于太阳能,如何利用太阳能来直接提供此偏压所需的电能,实现完全由太阳能来驱动的光电催化,是一条新的研究思路,对于实际应用与节能环保具有重要的作用。通过光电极与太阳能电池组成串联结构,以太阳能电池所提供的电能来提供光电催化所需的外加偏压,实现完全由太阳能驱动的光电催化,是一种可行的方案。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种大面积染料敏化太阳能电池-光 ...
【技术保护点】
大面积染料敏化太阳能电池‑光电极串联结构光电催化装置,其特征在于,结构主要包括:光电极、对电极、染料敏化太阳能电池、光电反应池、蓄电池、磁力搅拌系统;染料敏化太阳能电池正极通过开关连接光电极,染料敏化太阳能电池负极连接对电极,光电极与对电极同时浸没于光电反应池的电解液中构成回路;光电反应池的电解液中具有磁力搅拌系统,光电反应池采用透光材料;染料敏化太阳能电池通过开关还与蓄电池连接形成回路;蓄电池、染料敏化太阳能电池与光电反应池的光电极相互连接,通过开关控制,太阳能电池直接为光电反应池的反应体系供电,过剩的电量由蓄电池储存,太阳能供电不足时可由蓄电池为反应体系辅助供电,整个过程无需外加电源。
【技术特征摘要】
1.大面积染料敏化太阳能电池-光电极串联结构光电催化装置,其特征在于,结构主要包括:光电极、对电极、染料敏化太阳能电池、光电反应池、蓄电池、磁力搅拌系统;染料敏化太阳能电池正极通过开关连接光电极,染料敏化太阳能电池负极连接对电极,光电极与对电极同时浸没于光电反应池的电解液中构成回路;光电反应池的电解液中具有磁力搅拌系统,光电反应池采用透光材料;染料敏化太阳能电池通过开关还与蓄电池连接形成回路;蓄电池、染料敏化太阳能电池与光电反应池的光电极相互连接,通过开关控制,太阳能电池直接为光电反应池的反应体系供电,过剩的电量由蓄电池储存,太阳能供电不足时可由蓄电池为反应体系辅助供电,整个过程无需外加电源。2.按照权利要求1所述的大面积染料敏化太阳能电池-光电极串联结构光电催化装置,其特征在于,染料敏化太阳能电池为经乙酸处理并表面包覆TiO2超薄层的氧化锌基大面积染料敏化太阳能电池(ZnO-DSC),其结构包括太阳能电池对电极、太阳能电池电解质、Surlyn膜和光阳极;光阳极层为经乙酸处理并表面包覆TiO2超薄层的氧化锌半导体膜,光阳极层上表面具有被导电银栅隔开的凸起的经乙酸处理并表面包覆TiO2超薄层的氧化锌半导体膜格栅,每格导电银栅对应一个凸起的经乙酸处理并表面包覆TiO2超薄层的氧化锌半导体膜格栅,并且两者之间形成环状空隙,用于填充太阳能电池电解质,导电银栅上面为Surlyn膜,Surlyn膜与导电银栅位置相同且对应,Surlyn膜上面为太阳能电池对电极层,太阳能电池对电极层上设有毛细孔用于注入太阳能电池电解质,太阳能电池对电极层接触Surlyn膜一面有导电银栅,位置相同且对应。3.按照权利要求2所述的大面积染料敏化太阳能电池-光电极串联结构光电催化装置,其特征在于,单块电池单元面积为100cm2,通过导线串或/和并连形成太阳能电池列阵。4.按照权利要求2所述的大面积染料敏化太阳能电池-光电极串联结构光电催化装置,其特征在于,光阳极制备方法,其中包括光阳极层对应的导电银栅,包括如下步骤:(1)制备乙酸修饰的ZnO纳晶聚集体浆料,以100mL:1~3g的比例均匀混合一缩二乙二醇(DEG)和二水合醋酸锌,冷凝回流条件下100~200℃,搅拌5~10h;自然冷却后离心去除上层清液,使用无水乙醇洗涤三遍,在真空干燥箱中烘干,得ZnO纳晶聚集体;取ZnO纳晶聚集体、乙基纤维素和松油醇,三种物质的用量之比为1g:0.1~2g:1~2mL,无水乙醇作溶剂并加入一定量无水乙酸,乙酸、乙醇与ZnO纳晶聚集体的用量关系为0.5~3mL:10~30mL:1g,强力超声使其完全溶解,旋转蒸发除去无水乙醇即得乙酸修饰的ZnO纳晶聚集体浆料;(2)制备乙酸修饰的ZnO半导体膜:在清洗干净的导电玻璃上印刷导电银栅,马弗炉中高温固化,升温程序为:130-160℃煅烧10-30min,350-400℃煅烧10-1hmin,500-600℃煅烧10-40min,升温速度均为1~5℃/min,自然冷却;用丝网印刷机将步骤(1)乙酸修饰的ZnO纳晶聚集体浆料印刷至导电玻璃;在真空干燥箱中干燥后直接放入马弗炉中煅烧,煅烧程序为:升温至300-400℃,并恒温煅烧0.5-1h,然后升温至420-500℃后自然降温,两段升温过程的升温速度分别为1~3℃/min和4~6℃/min;(3)包覆TiO2...
【专利技术属性】
技术研发人员:陶霞,方华斌,张小红,郑言贞,
申请(专利权)人:北京化工大学,
类型:发明
国别省市:北京,11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。