光电转换元件制造技术

本发明专利技术公开了一种光电转换元件，其具有基板、和被设置在基板上且相互隔着沟槽而被配置的多个导电层。该光电转换元件具有至少一个光电转换单元。光电转换单元具有：多个导电层中的一个导电层，与导电层对置的对置基板，以及被设置在导电层和对置基板之间的氧化物半导体层；在基板上沿着多个导电层彼此之间的沟槽的长度方向设置有导电性膜，在导电性膜中，以沿着沟槽的长度方向的每100μm长度为15个以上的比例存在长度5μm以上的裂缝。

Photoelectric conversion element

The present invention discloses a photoelectric conversion element, which has a substrate, and a plurality of conductive layers disposed on a substrate and separated from each other with a groove. The photoelectric conversion element has at least one photoelectric conversion unit. The photoelectric conversion unit has a plurality of conductive layer of a conductive layer, and a conductive layer facing the opposite substrate, and is disposed between the conductive layer and the opposite substrate of the oxide semiconductor layer on the substrate; the length direction along the groove between the plurality of conductive layers to each other is provided with a conductive film, conductive film in the groove along the length direction of each of the 100 m length is more than 15 of the proportion of the length of more than 5 m crack.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电转换元件
本专利技术涉及一种光电转换元件。
技术介绍
作为光电转换元件，由于便宜且能够获得高的光电转换效率，因此使用了色素的光电转换元件备受瞩目，并且对使用了色素的光电转换元件进行各种开发。使用了色素的光电转换元件至少具备一个光电转换单元，光电转换单元一般具备：在基板上设置了导电层的导电性基板；与导电层对置的对置基板；被设置在导电层和对置基板之间的氧化物半导体层(例如参照下述专利文献1)。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-192008号公报
技术实现思路
但是，上述的专利文献1所记载的光电转换元件在光电转换特性的方面还有改善的余地。本专利技术为鉴于上述情况而被作出的，其目的在于提供一种能够充分提高光电转换特性的光电转换元件。本专利技术人为了解决上述课题而对上述专利文献1所记载的光电转换元件进行了研究。其结果，对光电转换元件所包含的相邻的两个光电转换单元的导电层彼此之间的电阻值进行了测定，结果得知电阻值比较小。由此，本专利技术人想到了是否为，在相邻的两个光电转换单元的导电层彼此之间的沟槽的底部中，即，沿着沟槽的长度方向，在基板上残留由导电性物质构成的导电性膜，并且由该残本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电转换元件，其具有基板、和被设置在所述基板上且相互隔着沟槽而被配置的多个导电层，其中，所述光电转换元件具有至少一个光电转换单元，所述光电转换单元具有：所述多个导电层中的一个导电层，与所述导电层对置的对置基板，以及被设置在所述导电层和所述对置基板之间的氧化物半导体层，在所述基板上沿着所述多个导电层彼此之间的所述沟槽的长度方向设置有导电性膜，在所述导电性膜中，以沿着所述沟槽的长度方向的每100μm长度为15个以上的比例存在长度5μm以上的裂缝。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.06 JP 2015-1555651.一种光电转换元件，其具有基板、和被设置在所述基板上且相互隔着沟槽而被配置的多个导电层，其中，所述光电转换元件具有至少一个光电转换单元，所述光电转换单元具有：所述多个导电层中的一个导电层，与所述导电层对置的对置基板，以及被设置在所述导电层和所述对置基板之间的氧化物半导体层，在所述基板上沿着所述多个导电层彼此之间的所述沟槽的长度方向设置有导电性膜，在所述导电性膜中，以沿着所述沟槽的长度方向的每100μm长度为15个以上的比例存在长度5μm以上的裂缝。2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述导电性膜由与所述导电层相同的材料构成。3.根据权利要求1或2所述的光电转换元件，其中，在所述导电性膜中，以沿着所述沟槽的长度方向的每100μm长度为200个以下的比例存在长度5μm以上的裂缝。4.根据权利要求3所述的光电转换元件，其中，在所述导电性膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：胜亦健治，
申请(专利权)人：株式会社藤仓，
类型：发明
国别省市：日本,JP