一种碳化硅外延法制备石墨烯的装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种碳化硅外延法制备石墨烯的装置，包括了进气装置、反应装置和尾气处理装置，所述进气装置包括了进气管、气体流量控制器组件及控制阀门组件；所述反应装置包括了设置在反应装置内壁上铜管、感应线圈、高频感应加热设备、多个镍铬铁合金托盘和多个金属多孔板；所述反应装置的左侧设有抽气阀门，接入离所述反应装置近端的分子泵A和远端的机械泵；所述尾气处理装置包括气体流量控制器B、加热室、储气室。该装置生产出的石墨烯量多，达到工业生产的标准，同时对废气进行处理，不会对环境造成影响。

A device for the preparation of graphene by a silicon carbide epitaxy

The invention discloses a device for preparing silicon carbide epitaxial graphene, including the intake device, a reaction device and exhaust gas treatment device, wherein the air intake device includes an air inlet pipe, gas flow controller assembly and a control valve assembly; the reaction device includes a set of brass, in the reaction device on the inner wall of the induction coil, high frequency induction heating equipment, a nickel chromium iron alloy tray and a plurality of metal porous plate; the reaction device is arranged at the left side of the pumping valve and mechanical pump access from the reactor in the proximal and distal A molecular pump; the tail gas treatment device comprises a gas flow controller, a heating chamber, a gas chamber B. The amount of graphene produced by this device has reached the standard of industrial production, and the waste gas is treated at the same time, and it will not affect the environment.

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅外延法制备石墨烯的装置
本专利技术涉及一种碳化硅外延法制备石墨烯的装置。
技术介绍
石墨烯是一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的平面薄膜，只有一个碳原子厚度的二维材料。石墨烯在制作锂电池负极时，可以在两面镶嵌锂离子，从而具有普通碳材料两倍甚至更多的比容量，同时石墨烯的微观褶皱表面提供了锂离子额外的存储空间。碳化硅外延生长法制备石墨烯是以SiC单晶片为原料，进行去氧化物处理，然后在高温（通常>1400℃）和超高真空（通常<10-6Pa）（或氩气等稀有气体保护气氛）条件下使其表层中的Si原子蒸发，表面剩下的C原子通过自组形势发生重构，即可得到基于SiC单晶基底的石墨烯，被广泛认为是实现石墨烯在大规模集成电路中应用的唯一途径。目前，碳化硅外延生长法制备石墨烯的设备达不到工业生产的标准，生产的石墨烯的量较少，并且尾气处理不好，容易对环境造成影响。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种碳化硅外延法制备石墨烯的装置。本专利技术的目的通过以下技术方案来实现：一种碳化硅外延法制备石墨烯的装置，包括了进气装置、反应装置和尾气处理本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碳化硅外延法制备石墨烯的装置，包括了进气装置、反应装置和尾气处理装置，其特征在于：所述进气装置包括了进气管、气体流量控制器组件及控制阀门组件；所述反应装置包括了设置在反应装置内壁上铜管A、设置在铜管上的感应线圈A、与感应线圈相连的高频感应加热设备、多个镍铬铁合金托盘和多个金属多孔板；所述反应装置的底部和顶部分别设有多个进气口和出气口；所述反应装置的左侧设有抽气阀门，接入离所述反应装置近端的分子泵A和远端的机械泵；所述反应装置的出气口设有一个分子泵B；所述尾气处理装置包括氢气流量控制器B、加热室、储气室。

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅外延法制备石墨烯的装置，包括了进气装置、反应装置和尾气处理装置，其特征在于：所述进气装置包括了进气管、气体流量控制器组件及控制阀门组件；所述反应装置包括了设置在反应装置内壁上铜管A、设置在铜管上的感应线圈A、与感应线圈相连的高频感应加热设备、多个镍铬铁合金托盘和多个金属多孔板；所述反应装置的底部和顶部分别设有多个进气口和出气口；所述反应装置的左侧设有抽气阀门，接入离所述反应装置近端的分子泵A和远端的机械泵；所述反应装置的出气口设有一个分子泵B；所述尾气处理装置包括氢气流量控制器B、加热室、储气室。2.根据权利要求1所述的一种碳化硅外延法制备石墨烯的装置，其特征在于：所述铜管A需要进行绝缘处理，所述感应线圈A设置在所述铜管A之上后需要用绑绕耐高温绝缘胶带。3.根据权利要求1所述的一种碳化硅外延法制备石墨烯的装置，其特征在于：所述镍铬铁合金托盘两侧焊接在所述金属多孔板上，所述金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘兴翀，魏欣，魏泽忠，
申请(专利权)人：成都格莱飞科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51