一种石墨烯转移与掺杂方法技术

本发明专利技术公开了一种石墨烯转移与掺杂方法，其包括如下步骤：在衬底两面生长石墨烯；将生长石墨烯后衬底的一面与过渡基底贴合；在目标基底上涂布带有掺杂质的胶层；将生长石墨烯后衬底的另一面涂布有掺杂质胶层的目标基底贴合；固化胶层；将衬底与石墨烯完全剥离；将生长在目标基底上的石墨烯和生长在过渡基底上的石墨烯贴合，再去掉过渡基底；目标基底上转移多层石墨烯层。本发明专利技术实现大尺寸高质量的石墨烯的转移并且转移与掺杂同时进行不需要额外进行掺杂，石墨烯掺杂分布均匀且稳定性好，转移多层石墨烯时目标基底的附着力好。

A method of transfer and doping of graphene

【技术实现步骤摘要】
一种石墨烯转移与掺杂方法
本专利技术涉及石墨烯领域，尤其涉及一种石墨烯转移与掺杂方法。
技术介绍
石墨烯是碳原子呈六角形网状键合的材料，具有很多出色的电特性与机械特性，有望用于高速晶体管、触摸面板、太阳能电池用透明导电膜等。自从2004年被发现后，石墨烯一直以来是前沿研究热点。在其所有的潜在应用中，透明导电膜是最接近实用化的应用例，能作为目前普遍使用的透明导电膜的替代材料，用于触摸面板、柔性液晶面板及有机发光二极管等。透明导电膜这一用途备受期待的原因在于石墨烯具备较高的载流子迁移率且厚度较薄，透明性较高。然而，石墨烯作为透明导电膜应用，得先解决如何能把石墨烯无缺陷转移到需要的材料上，并通过掺杂使得石墨烯与掺杂质之间电荷迁移，改变石墨烯的费米能级分布，从而改变其电性能。目前用气泡剥离转移石墨烯的方法，一般是先在生长有石墨烯的生长基底表面涂覆PMMA，然后通过气泡剥离方法将生长基底与PMMA/石墨烯复合层剥离，然后将PMMA/石墨烯复合层与目标基底的结合，然后再将PMMA溶解去除。该方法工艺步骤繁琐，时间长；气泡剥离过程中产生的气泡尺寸不易控制，容易产生大气泡破坏石墨烯结构；PMMA/石本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石墨烯转移与掺杂方法，其特征在于，其包括如下步骤：在衬底两面生长石墨烯；将生长石墨烯后衬底的一面与过渡基底贴合；在目标基底上涂布带有掺杂质的胶层；将生长石墨烯后衬底的另一面涂布有掺杂质胶层的目标基底贴合；固化胶层；将衬底与石墨烯完全剥离；将生长在目标基底上的石墨烯和生长在过渡基底上的石墨烯贴合，再去掉过渡基底；目标基底上转移多层石墨烯层。

【技术特征摘要】
1.一种石墨烯转移与掺杂方法，其特征在于，其包括如下步骤：在衬底两面生长石墨烯；将生长石墨烯后衬底的一面与过渡基底贴合；在目标基底上涂布带有掺杂质的胶层；将生长石墨烯后衬底的另一面涂布有掺杂质胶层的目标基底贴合；固化胶层；将衬底与石墨烯完全剥离；将生长在目标基底上的石墨烯和生长在过渡基底上的石墨烯贴合，再去掉过渡基底；目标基底上转移多层石墨烯层。2.根据权利要求1所述的石墨烯转移与掺杂方法，其特征在于：所述过渡基底为粘性膜或热释放膜，所述粘性膜为硅胶粘性膜、亚克力胶粘性膜或树脂类粘性膜。3.根据权利要求1所述的石墨烯转移与掺杂方法，其特征在于：所述步骤在目标基底上涂布带有掺杂质的胶层包括：将掺杂质和胶按照重量比为1:10～1:30的比例混合；在室温条件下超声20～30min使掺杂质和胶充分溶解；在目标基底上涂布5～50μm厚度均匀的掺杂质和胶溶解后的液体；将目标基底在500～1000W的紫外光下辐射1～3min；所述胶为UV胶、UV压敏胶或UV热溶胶，所述掺杂质为FeCl3或AuCl3；所述胶包括黏度调节剂、光固化剂以及粘合剂，所述粘合剂为烯酸羟乙酯、丙烯酸...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨与畅，
申请(专利权)人：福建新峰二维材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35