一种用于半导体晶圆的光刻胶清洗液制造技术

本发明专利技术公开了一种用于半导体晶圆的光刻胶清洗液，包括以下质量百分比的原料：季铵氢氧化物32‑36％、醇胺14‑18％、季戊四醇7‑11％、六元醇6‑8％、3‑氨基‑5‑巯基‑1，2，4‑三氮唑0.1‑1％、表面活性剂22‑26％，其余为助溶剂。与现有技术相比，本发明专利技术选用合适的季铵氢氧化物/醇胺的比例有利于协调光刻胶去除能力和金属微球的防腐蚀；采用了六元醇对金属铝和铜同时具有较强的腐蚀抑制能力；采用了醇胺作为溶剂溶解氢氧化钾和季戊四醇，去除能力强。

A photoresist cleaning solution for semiconductor wafer

The invention discloses a cleaning liquid photoresist for semiconductor wafer, which comprises the following raw materials: the mass percentage of quaternary ammonium hydroxide 32 36%, 18%, 14 alcohol amine pentaerythritol 7 11%, six yuan, 3 alcohol 6 8% amino 5 thiol 1, 2, 4 three triazole 0.1 1%, surface active agent 22 26%, remaining as cosolvent. Compared with the prior art, the invention selects the appropriate quaternary ammonium hydroxide / alcohol amine corrosion ratio is conducive to the coordination of photoresist removal ability and metal microspheres; using six alcohol can restrain the corrosion of metal aluminum and copper; using alcohol amine as the solvent of potassium hydroxide and pentaerythritol, removal ability.

【技术实现步骤摘要】
一种用于半导体晶圆的光刻胶清洗液
本专利技术涉及半导体晶圆
，具体涉及一种用于半导体晶圆的光刻胶清洗液。
技术介绍
在通常的半导体制造工艺中，通过在一些材料的表面上形成光刻胶的掩膜，曝光后进行图形转移，在得到需要的图形之后，进行下一道工序之前，需要剥去残留的光刻胶。在这个过程中要求完全除去不需要的光刻胶，同时不能腐蚀任何基材。目前，光刻胶清洗液主要由极性有机溶剂、强碱和/或水等组成，通过将半导体晶片浸入清洗液中或者利用清洗液冲洗半导体晶片，去除半导体晶片上的光刻胶。将晶片浸入该清洗液中，在40-90℃下除去金属和电介质基材上的厚膜光刻胶，其对半导体晶片基材的腐蚀较高。随着半导体的快速发展，特别是凸球封装领域的发展，对光刻胶残留物的清洗要求也相应提高；主要是随着在单位面积上引脚数(I/O)越来越多，光刻胶的去除也变得越来越困难。
技术实现思路
本专利技术旨在提供了一种用于半导体晶圆的光刻胶清洗液。本专利技术提供如下技术方案：一种用于半导体晶圆的光刻胶清洗液，包括以下质量百分比的原料：季铵氢氧化物32-36％、醇胺14-18％、季戊四醇7-11％、六元醇6-8％、3-氨基-5-巯基-1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于半导体晶圆的光刻胶清洗液，其特征在于，包括以下质量百分比的原料：季铵氢氧化物32‑36％、醇胺14‑18％、季戊四醇7‑11％、六元醇6‑8％、3‑氨基‑5‑巯基‑1，2，4‑三氮唑0.1‑1％、表面活性剂22‑26％，其余为助溶剂。

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体晶圆的光刻胶清洗液，其特征在于，包括以下质量百分比的原料：季铵氢氧化物32-36％、醇胺14-18％、季戊四醇7-11％、六元醇6-8％、3-氨基-5-巯基-1，2，4-三氮唑0.1-1％、表面活性剂22-26％，其余为助溶剂。2.根据权利要求1所述的一种用于半导体晶圆的光刻胶去除剂，其特征在于：所述季铵氢氧化物选自四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、甲基三乙基氢氧化铵、羟乙基三甲基氢氧化铵、十六烷基三甲基氢氧化铵和苄...

【专利技术属性】
技术研发人员：江富杰，张飞凡，
申请(专利权)人：合肥新汇成微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34