修整抛光垫的控制方法、装置、修整器及抛光设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种修整抛光垫的控制方法、装置、修整器及抛光设备。修整抛光垫的控制方法包括以下步骤：获取修整器的基准修复压力；计算所述抛光垫的b个修复区域中每个修复区域的基准权重系数；获取所述抛光垫当前的修复区域并计算所述抛光垫当前的修复区域的实际权重系数；根据所述基准修复压力、所述抛光垫当前的修复区域的基准权重系数和实际权重系数计算所述抛光垫当前的修复区域的实际修复压力。根据本发明专利技术的修整抛光垫的控制方法，可以实时动态地修复抛光垫，更好地达到抛光垫的表面物理一致性，延长抛光垫的使用寿命，且简单有效。

Control method, device, trimmer and polishing equipment for polishing pad

The invention discloses a control method, a device, a dresser and a polishing device for dressing a polishing pad. Control method for conditioning a polishing pad comprises the following steps: acquiring pressure adjuster repair base; reference weight coefficient of each repair area B repair area calculation of the polishing pad in the polishing pad; get the repair area current and calculate the polishing pad current repair area according to the actual actual weight coefficient; repair of pressure reference weight coefficient of the reference pressure to repair the repair area, the polishing pad and the actual weight coefficient calculation of repairing area of the polishing pad of the present. According to the control method of the dressing and polishing pad of the invention, the polishing pad can be dynamically repaired in real time, so as to better achieve the physical consistency of the polishing pad surface and prolong the service life of the polishing pad, and is simple and effective.

【技术实现步骤摘要】
修整抛光垫的控制方法、装置、修整器及抛光设备
本专利技术涉及抛光
，具体而言，涉及一种修整抛光垫的控制方法、修整抛光垫的控制装置、具有所述修整抛光垫的控制装置的修整器和具有所述修整抛光垫的控制装置的抛光设备。
技术介绍
为了实时修复抛光垫并延长抛光垫的使用寿命，相关技术中，一般对修整器施以作用力，并使修整器做正弦曲线的速度运动，以达到抛光垫的表面物理一致性。然而，在化学机械抛光设备的工作过程中，由于作业产品的种类繁杂，作用于晶圆不同区域的抛光压力的大小并不相同，单一的正弦曲线速度模式难以达到抛光垫的表面物理一致性，从而会影响CMP(ChemicalMechanicalPolishing，化学机械抛光)工艺，缩短抛光垫的使用寿命。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种修整抛光垫的控制方法，所述修整抛光垫的控制方法可以实时动态地修复抛光垫，更好地达到抛光垫的表面物理一致性，延长抛光垫的使用寿命，且简单有效。本专利技术还提出一种修整抛光垫的控制装置。本专利技术还提出一种具有所述修整抛光垫的控制装置的修整器。本专利技术还提出一种具有所述修整抛光垫的控制装置的抛光设备。根据本专利技术第一方面实施例的修整抛光垫的控制方法，包括以下步骤：获取修整器的基准修复压力；计算所述抛光垫的b个修复区域中每个修复区域的基准权重系数；获取所述抛光垫当前的修复区域并计算所述抛光垫当前的修复区域的实际权重系数；根据所述基准修复压力、所述抛光垫当前的修复区域的基准权重系数和实际权重系数计算所述抛光垫当前的修复区域的实际修复压力。根据本专利技术实施例的修整抛光垫的控制方法，可以实时动态地修复抛光垫，更好地达到抛光垫的表面物理一致性，延长抛光垫的使用寿命，且简单有效。另外，根据本专利技术实施例的修整抛光垫的控制方法还具有如下附加的技术特征：根据本专利技术的一些实施例，分别获取所述抛光垫所抛光的晶圆的a个施压区域中每个施压区域的基准抛光压力，根据所述a个施压区域中每个施压区域的面积、所述每个施压区域的基准抛光压力和所述每个修复区域的面积计算所述基准权重系数。进一步地，根据所述每个施压区域的半径、所述基准抛光压力和所述每个修复区域的半径计算所述基准权重系数。根据本专利技术的一些实施例，分别获取所述抛光垫所抛光的晶圆的a个施压区域中每个施压区域的实际抛光压力，根据所述每个施压区域的面积、所述每个施压区域的实际抛光压力和所述抛光垫当前的修复区域的面积计算所述实际权重系数。进一步地，根据所述每个施压区域的半径、所述实际抛光压力和所述抛光垫当前的修复区域的半径计算所述实际权重系数。根据本专利技术的一些实施例，根据以下公式计算所述抛光垫当前的修复区域的实际修复压力：Pb＝(Mb＇/Mb)*B，其中，Pb为所述当前修复区域的实际修复压力，Mb＇为所述抛光垫当前的修复区域的实际权重系数，Mb为所述抛光垫当前的修复区域的基准权重系数，B为修整器的基准修复压力。根据本专利技术第二方面实施例的修整抛光垫的控制装置，包括：第一获取模块，所述第一获取模块用于获取修整器的基准修复压力；第一计算模块，所述第一计算模块用于计算所述抛光垫的b个修复区域中每个修复区域的基准权重系数；第二获取模块，所述第二获取模块用于获取所述抛光垫当前的修复区域并计算所述抛光垫当前的修复区域的实际权重系数；第二计算模块，所述第二计算模块根据所述基准修复压力、所述抛光垫当前的修复区域的基准权重系数和实际权重系数计算所述抛光垫当前的修复区域的实际修复压力。根据本专利技术实施例的修整抛光垫的控制装置，可以实时动态地修复抛光垫，更好地达到抛光垫的表面物理一致性，延长抛光垫的使用寿命，且简单有效。另外，根据本专利技术实施例的修整抛光垫的控制装置还具有如下附加的技术特征：根据本专利技术的一些实施例，所述第一获取模块还用于分别获取所述抛光垫所抛光的晶圆的a个施压区域中每个施压区域的基准抛光压力，所述第一计算模块根据所述a个施压区域中每个施压区域的面积、所述每个施压区域的基准抛光压力和所述每个修复区域的面积计算所述基准权重系数。进一步地，所述第一计算模块根据所述每个施压区域的半径、所述基准抛光压力和所述每个修复区域的半径计算所述基准权重系数。根据本专利技术的一些实施例，所述第一获取模块还用于分别获取所述抛光垫所抛光的晶圆的a个施压区域中每个施压区域的实际抛光压力，所述第二获取模块根据所述每个施压区域的面积、所述每个施压区域的实际抛光压力和所述抛光垫当前的修复区域的面积计算所述实际权重系数。进一步地，所述第二获取模块根据所述每个施压区域的半径、所述实际抛光压力和所述抛光垫当前的修复区域的半径计算所述实际权重系数。根据本专利技术的一些实施例，所述第二计算模块根据以下公式计算所述抛光垫当前的修复区域的实际修复压力：Pb＝(Mb＇/Mb)*B，其中，Pb为所述当前修复区域的实际修复压力，Mb＇为所述抛光垫当前的修复区域的实际权重系数，Mb为所述抛光垫当前的修复区域的基准权重系数，B为修整器的基准修复压力。根据本专利技术第三方面实施例的修整器，包括根据本专利技术第二方面实施例所述的修整抛光垫的控制装置。根据本专利技术实施例的修整器，通过利用如上所述的修整抛光垫的控制装置，可以实时动态地修复抛光垫，更好地达到抛光垫的表面物理一致性，延长抛光垫的使用寿命，且简单有效。根据本专利技术第四方面实施例的抛光设备，包括根据本专利技术第二方面实施例所述的修整抛光垫的控制装置。根据本专利技术实施例的抛光设备，通过利用如上所述的修整抛光垫的控制装置，可以实时动态地对抛光垫进行修复，更好地达到抛光垫的表面物理一致性，延长抛光垫的使用寿命，且简单有效。本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。附图说明图1是根据本专利技术实施例的修整抛光垫的控制方法的流程图；图2是根据本专利技术实施例的抛光垫所加工的晶圆的a个施压区域和抛光垫的b个修复区域的分区示意图；图3是根据本专利技术实施例的修整器的速度和修复区域的关系示意图；图4是根据本专利技术实施例的修整抛光垫的控制装置的结构示意图。附图标记：修整抛光垫的控制装置1，第一获取模块10，第二获取模块20，第一计算模块30，第二计算模块40。具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。本申请基于专利技术人对以下事实和问题的发现和认识作出的：在化学机械抛光机理中，抛光垫的物理特性对CMP工艺具有极大的影响。在实际生产过程中，抛光垫的物理特性会随着使用周期而发生变化，故，在化学机械抛光设备中，通常采用安装在摆动臂上的修整器对抛光垫进行修复，其中，影响修复效果的参数主要包括修整器的种类型号、压力、速度、频率、作用区间等。由于晶圆不同抛光区域的抛光压力不尽相同，从而造成抛光垫的磨损状况不一致，进而影响晶圆的表面抛光。为此，本专利技术提出一种修整抛光垫的控制方法，该修整抛光垫的控制方法可以实时动态地修复抛光垫，更好地达到抛光垫的表面物理一致性，延长抛光垫的使用寿命，且简单有效。下面参考附图描述根据本专利技术第一方面实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种修整抛光垫的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：获取修整器的基准修复压力；计算所述抛光垫的b个修复区域中每个修复区域的基准权重系数；获取所述抛光垫当前的修复区域并计算所述抛光垫当前的修复区域的实际权重系数；根据所述基准修复压力、所述抛光垫当前的修复区域的基准权重系数和实际权重系数计算所述抛光垫当前的修复区域的实际修复压力。

【技术特征摘要】
1.一种修整抛光垫的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：获取修整器的基准修复压力；计算所述抛光垫的b个修复区域中每个修复区域的基准权重系数；获取所述抛光垫当前的修复区域并计算所述抛光垫当前的修复区域的实际权重系数；根据所述基准修复压力、所述抛光垫当前的修复区域的基准权重系数和实际权重系数计算所述抛光垫当前的修复区域的实际修复压力。2.根据权利要求1所述的修整抛光垫的控制方法，其特征在于，分别获取所述抛光垫所抛光的晶圆的a个施压区域中每个施压区域的基准抛光压力，根据所述a个施压区域中每个施压区域的面积、所述每个施压区域的基准抛光压力和所述每个修复区域的面积计算所述基准权重系数。3.根据权利要求2所述的修整抛光垫的控制方法，其特征在于，根据所述每个施压区域的半径、所述基准抛光压力和所述每个修复区域的半径计算所述基准权重系数。4.根据权利要求1所述的修整抛光垫的控制方法，其特征在于，分别获取所述抛光垫所抛光的晶圆的a个施压区域中每个施压区域的实际抛光压力，根据所述每个施压区域的面积、所述每个施压区域的实际抛光压力和所述抛光垫当前的修复区域的面积计算所述实际权重系数。5.根据权利要求4所述的修整抛光垫的控制方法，其特征在于，根据所述每个施压区域的半径、所述实际抛光压力和所述抛光垫当前的修复区域的半径计算所述实际权重系数。6.根据权利要求1所述的修整抛光垫的控制方法，其特征在于，根据以下公式计算所述抛光垫当前的修复区域的实际修复压力：Pb＝(Mb＇/Mb)*B，其中，Pb为所述当前修复区域的实际修复压力，Mb＇为所述抛光垫当前的修复区域的实际权重系数，Mb为所述抛光垫当前的修复区域的基准权重系数，B为修整器的基准修复压力。7.一种修整抛光垫的控制装置，其特征在于，包括：第一获取模块，所述第一获取模块用于获取修整器的基准修复压力；第一计算模块，所述第一计算模块用于计算所述抛光垫的b个修复区域中每个修复区域的基准权重系数；第二获取模块，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张敬业，路新春，沈攀，王同庆，
申请(专利权)人：清华大学，天津华海清科机电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11