用于形成细间距特征的光刻图案制造技术

本发明专利技术涉及用于形成细间距特征的光刻图案，揭示用于形成一芯片的互连结构的光刻图案的方法。一硬掩膜层形成于一介电层上。一牺牲层形成于该硬掩膜层上。第一开口与第二开口形成于该牺牲层中，并延伸通过该牺牲层至该硬掩膜层。一抗蚀层形成于该牺牲层上。一开口形成于横向位于该第一牺牲层的该第一开口以及该第一牺牲层的该第二开口之间的该抗蚀层中。该抗蚀层由对该硬掩膜层具有可移除选择性的一金属氧化物抗蚀材料所组成。

A photolithography pattern used to form a fine spacing feature

The present invention relates to a photolithography pattern for forming fine spacing features, and a method of revealing a photolithography pattern for forming an interconnect structure of a chip. A hard mask is formed on a dielectric layer. A sacrificial layer is formed on the hard mask layer. The first opening and the second opening are formed in the sacrificial layer and extended through the sacrificial layer to the hard mask layer. An anticorrosion layer is formed on the sacrificial layer. The first opening is formed in the anticorrosion layer between the first opening laterally located at the first sacrifice layer and the second opening of the first sacrificial layer. The anticorrosion layer is composed of a metal oxide corrosion resistant material with removable selectivity to the hard mask layer.

【技术实现步骤摘要】
用于形成细间距特征的光刻图案
本专利技术涉及集成电路以及半导体装置制造，尤指用于形成一芯片的互连结构的光刻图案的方法。
技术介绍
一后段制程(back-end-of-line；BEOL)互连结构可用于电性耦接在前段制程(front-end-of-line；FEOL)工艺期间制作在一衬底上的装置结构。该后段制程互连结构可以使用一双镶嵌(dual-damascene)工艺而形成，其中，蚀刻于一介电层中的通孔以及沟槽同时填充金属以生成一金属化层(metallizationlevel)。于先通孔(via-first)、后沟槽(trench-last)的双镶嵌工艺中，通孔形成于一介电层中，然后一沟槽形成于该通孔上方的该介电层中，该通孔于形成该沟槽的蚀刻工艺期间未被填充。于一单镶嵌工艺中，该通孔以及沟槽形成于不同的介电层中并分别填充金属。干蚀刻工艺通常在涉及铜和一低K介电材料的双镶嵌工艺期间用于制造沟槽和通孔。随着半导体装置技术节点向更小的尺寸发展，半导体装置的尺寸减小却增加了控制通孔和沟槽的轮廓的难度。金属硬掩膜(hardmask)已被用于提高低K介电材料的蚀刻选择性，从而于蚀刻期间提高轮廓的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成互连层级的方法，其特征在于，该方法包括：形成一硬掩膜层于一介电层上；形成一第一牺牲层于该硬掩膜层上；形成一第一开口与一第二开口于该第一牺牲层中，并延伸通过该第一牺牲层至该硬掩膜层；形成一第一抗蚀层于该第一牺牲层上；以及形成延伸通过该第一抗蚀层的一第一开口，该第一抗蚀层横向位于该第一牺牲层中的该第一开口以及该第一牺牲层中的该第二开口之间，其中，该第一抗蚀层由对该硬掩膜层具有可移除选择性的一金属氧化物抗蚀材料所组成。

【技术特征摘要】
2016.07.20 US 15/214,5851.一种形成互连层级的方法，其特征在于，该方法包括：形成一硬掩膜层于一介电层上；形成一第一牺牲层于该硬掩膜层上；形成一第一开口与一第二开口于该第一牺牲层中，并延伸通过该第一牺牲层至该硬掩膜层；形成一第一抗蚀层于该第一牺牲层上；以及形成延伸通过该第一抗蚀层的一第一开口，该第一抗蚀层横向位于该第一牺牲层中的该第一开口以及该第一牺牲层中的该第二开口之间，其中，该第一抗蚀层由对该硬掩膜层具有可移除选择性的一金属氧化物抗蚀材料所组成。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还包括：形成一第二抗蚀层于该第一抗蚀层上；以及形成延伸通过该第二抗蚀层的一开口，该第二抗蚀层横向位于该第一牺牲层中的该第一开口与该第一抗蚀层中的该第一开口之间。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，该第二抗蚀层由金属氧化物抗蚀材料所组成。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，该方法还包括：使该第二抗蚀层中的该开口延伸通过该第一抗蚀层而形成该第一抗蚀层中的一第二开口。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，该第二抗蚀层中的该第二开口延伸通过该第一抗蚀层包括：移除该第二抗蚀层，其中，当该第二抗蚀层被移除时，该第二开口形成于该第一抗蚀层中。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，该方法还包括：于形成该开口在该第二抗蚀层中之前，形成位于该第一抗蚀层以及该第二抗蚀层之间的一第二牺牲层，并包括填充该第一抗蚀层中的该第一开口的一部分；以及于形成该第二开口在该第一抗蚀层中之后，移除该第二抗蚀层，其中，当该第二抗蚀层被移除时，该第二抗蚀层中的该开口延伸通过该第一抗蚀层，且该第二抗蚀层对该第二牺牲层具有可移除选择性。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该第一开口以及该第二开口于该第一牺牲层中并延伸至该硬掩膜层包括：暴露该第一牺牲层于通过一光掩模投射的一曝光源的一辐射图案中；以及于曝光之后，使用一化学显影剂进行显影以形成该第一开口以及该第二开口于该第一牺牲层中。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，该第一牺牲层由该金属氧化物抗蚀材料所组成。9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，该方法还包括：形成位于该第一牺牲层以及该第一抗蚀层之间的一第二牺牲层，并具有分别填充该第一牺牲层中该第一开口以及该第一牺牲层中该第二开口的部分，其中，该第二牺牲层由对该第一抗蚀层以及该第一牺牲层具有可移除选择性的一介电材料所组成。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该方法还包括：使该第一抗蚀层中的该第一开口延伸通过该第二牺牲层以形成一第三开口于该第一牺牲层中；以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：尚尼尔·K·辛，S·S·梅塔，许杰安·希恩，瑞义·P·斯瑞泛斯特法，
申请(专利权)人：格罗方德半导体公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛,KY