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本发明涉及用于形成细间距特征的光刻图案，揭示用于形成一芯片的互连结构的光刻图案的方法。一硬掩膜层形成于一介电层上。一牺牲层形成于该硬掩膜层上。第一开口与第二开口形成于该牺牲层中，并延伸通过该牺牲层至该硬掩膜层。一抗蚀层形成于该牺牲层上。一开...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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