功率电子设备模块制造技术

功率电子设备模块（10）包括：第一液体冷却器（12a），包括用于接收冷却液体的冷却通道（22），其中第一液体冷却器（12a）包括提供功率电子设备模块（10）的第一端子（24）的金属本体（20）；第二液体冷却器（12b），包括用于接收冷却液体的冷却通道（22），其中第二液体冷却器（12b）包括提供功率电子设备模块（10）的第二端子（24）的金属本体（20）；多个半导体芯片（14），布置在第一液体冷却器（12a）和第二液体冷却器（12b）之间，使得每个半导体芯片（14）的第一电极（32a）接合到第一液体冷却器（12a），使得第一电极（32a）与第一液体冷却器（12a）电接触，并且每个半导体芯片（14）的相反的第二电极（32b）与第二液体冷却器（12b）电接触；以及绝缘包装（18），其通过将第一液体冷却器（12a）、第二液体冷却器（12b）和多个半导体芯片（14）模塑到绝缘材料（16）中来形成，使得第一液体冷却器（12a）、第二液体冷却器（12b）和多个半导体芯片（14）至少部分嵌入到绝缘材料（16）上。

Power electronic device module

Power electronics module (10) includes a first liquid cooler (12a), including the cooling channel for receiving cooling liquid (22), wherein the first liquid cooler (12a) including power electronics module (10) of the first terminal (24) of the metal body (20); second (12b), liquid cooler including the cooling channel for receiving cooling liquid (22), of which second liquid coolers (12b) including power electronics module (10) of the second terminal (24) of the metal body (20); a plurality of semiconductor chips (14), arranged in the first liquid cooler (12a) and second (12b) liquid cooler between each semiconductor chip (14) of the first electrode (32a) bonded to the first liquid cooler (12a), the first electrode (32a) and 12a (the first liquid cooler. ) electrical contact, and each of the semiconductor chip (14) of the second opposite electrode (32b) and second liquid coolers (12b) electrical contact; and (18), the insulating packaging through the first liquid cooler (12a), second (12b) liquid cooler and a plurality of semiconductor chips (14) molded insulation the material (16) to form, so that the first liquid cooler (12a), second (12b) liquid cooler and a plurality of semiconductor chips (14) at least partially embedded into the insulating material (16).

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】功率电子设备模块
本专利技术涉及高功率半导体的封装领域。具体来说，本专利技术涉及功率电子设备模块并且涉及用于电转换器的功率单元。
技术介绍
与基于Si衬底的类似的装置一样，例如基于SiC衬底的宽带隙半导体装置能够提供更高的最大阻挡电压。与SiC半导体装置的更低切换损耗组合的更高最大阻挡电压允许用于中压和高压应用的转换器设计的更多的灵活性。例如，MV应用的整个电压范围可采用简单的两电平电压源转换器拓扑结构来覆盖。更高的切换频率可显著降低总谐波失真。对于高压应用中的典型的两电平或三电平拓扑结构，串联连接的半导体的数量可急剧减少。这也可减少栅极驱动器的数量和堆叠的冷却器和模块的数量。对于高压应用中的模块化多电平转换器或级联的半桥拓扑结构，转换器单元的数量可急剧减少。这又可减少栅极驱动器的数量和堆叠的冷却器和模块的数量。此外，整个转换器的体积可显著减少。另外，高压SiC装置可提供更高的宇宙射线鲁棒性。此外，SiC装置将允许高温和高电流操作，并且可潜在地允许SiC区域和功率模块覆盖区的显著收缩。最后，用于基于SiC的高压应用的模块化多电平转换器和级联的半桥拓扑结构可降低对于短路失效模式（SCF本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率电子设备模块（10），包括:第一液体冷却器（12a），包括用于接收冷却液体的冷却通道（22），其中所述第一液体冷却器（12a）包括提供所述功率电子设备模块（10）的第一端子（24）的金属本体（20）；第二液体冷却器（12b），包括用于接收冷却液体的冷却通道（22），其中所述第二液体冷却器（12b）包括提供所述功率电子设备模块（10）的第二端子（24）的金属本体（20）；多个半导体芯片（14），布置在所述第一液体冷却器（12a）和所述第二液体冷却器（12b）之间，使得每个半导体芯片（14）的第一电极（32a）接合到所述第一液体冷却器（12a），使得所述第一电极（32a）与所述第一液体冷却...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.04.13 EP 15163368.21.一种功率电子设备模块（10），包括:第一液体冷却器（12a），包括用于接收冷却液体的冷却通道（22），其中所述第一液体冷却器（12a）包括提供所述功率电子设备模块（10）的第一端子（24）的金属本体（20）；第二液体冷却器（12b），包括用于接收冷却液体的冷却通道（22），其中所述第二液体冷却器（12b）包括提供所述功率电子设备模块（10）的第二端子（24）的金属本体（20）；多个半导体芯片（14），布置在所述第一液体冷却器（12a）和所述第二液体冷却器（12b）之间，使得每个半导体芯片（14）的第一电极（32a）接合到所述第一液体冷却器（12a），使得所述第一电极（32a）与所述第一液体冷却器（12a）电接触，并且每个半导体芯片（14）的相反的第二电极（32b）与所述第二液体冷却器（12b）电接触；绝缘包装（18），其通过将所述第一液体冷却器（12a）、所述第二液体冷却器（12b）和所述多个半导体芯片（14）模塑到绝缘材料（16）中来形成，使得所述第一液体冷却器（12a）、所述第二液体冷却器（12b）和所述多个半导体芯片（14）至少部分嵌入到所述绝缘材料（16）上。2.如权利要求1所述的功率电子设备模块（10），其中第一冷却器（12a）和第二冷却器（12b）嵌入到所述绝缘材料（16）中，使得仅端子（34）和冷却液体连接（26）从所述绝缘材料（26）突出；和/或其中所述多个半导体芯片（14）完全嵌入在所述绝缘材料（16）中。3.如权利要求1或2所述的功率电子设备模块（10),其中第一冷却器(12a)包括腔(34),所述半导体芯片(14)接合到所述腔(34)中。4.如前述权利要求中的一项所述的功率电子设备模块(10),其中半导体芯片(14)接合到从所述第二液体冷却器(12b)突出的柱状物(36);和/或其中所述柱状物(36)的至少一个是所述第二液体冷却器(12b)的所述金属本体(20)的一部分,或者所述柱状物(36)的至少一个接合到所述第二液体冷却器(12b)。5.如前述权利要求中的一项所述的功率电子设备模块(10),其中所述半导体芯片(14)承载宽带隙半导体装置。6.如前述权利要求中的一项所述的功率电子设备模块(10),其中所述第一液体冷却器(12a)和所述第二液体冷却器(12b)与至少一个通孔销(52)对齐。7.如前述权利要求中的一项所述的功率电子设备模块(10),其中所述第一液体冷却器(12a)的所述金属本体(20)提供从所述绝缘材料(16)突出的平坦第一端子（24'），并且所述第二液体冷却器（12b）的所述金属本体（20）提供在相反方向上从所述绝缘材料（16）突出的平坦第二端子（24'），使得所述功率电子设备模块（10）可与同等设计的功率电子设备模块堆叠以用于将功率电子设备模块与所述同等设计的功率电子设备模块...

【专利技术属性】
技术研发人员：J舒德雷，F莫恩，D克特，F特劳布，D卡尼，
申请(专利权)人：ABB瑞士股份有限公司，
类型：发明
国别省市：瑞士,CH