高导热封装基板制造技术

高导热封装基板，用于功率半导体器件的电器绝缘，电连接，器件工作时产生热量的导出。传统的功率半导体器件安装时通过导热硅脂与热沉，或机箱固定在一起，导致热阻大，散热效果差，限制了功率半导体器件性能的发挥。本发明专利技术采用微热管和高导热陶瓷电路板通过真空焊，真空摩擦焊，活性金属钎焊，纳米银焊接等手段达到冶金结合，减少热阻，实现高效散热，为充分发挥功率半导体器件的性能奠定良好基础。

High thermal conductivity package substrate

The high thermal conductivity package substrate is used for electrical insulation, electrical connection and output of heat in the device. The traditional power semiconductor devices installed by thermal grease and heat sink, or chassis fixed together, resulting in great heat resistance, poor cooling effect, which restricted the performance of power semiconductor devices. The invention adopts the heat pipe and high thermal conductivity ceramic circuit board by vacuum vacuum welding, friction welding, active metal brazing, silver nanoparticles welding means to achieve metallurgical bonding, reduce the thermal resistance, high heat, and laid a good foundation for the full performance of power semiconductor devices.

【技术实现步骤摘要】
高导热封装基板
本专利技术涉及功率电力电子器件，功率集成电路，功率微波器件，功率LED等器件封装用的高导热封装基板，属于功率半导体封装领域和热管理领域。
技术介绍
封装技术对于发挥功率半导体器件的功能至关重要。良好电隔离和热管理，最小的寄生电容，极少的分布电感，都要通过精心设计封装结构来实现。功率半导体器件工作时产生的功耗转换成热能，使器件温度升高。半导体器件功耗超过一个临界值，就会造成热不稳定和热击穿。同时，器件的许多参数也会因温度升高而受到不良影响，如p-n结反向电流会按指数规律增大，双极器件的关断时间变长，晶闸管的转折电压降低。热击穿严重时，导致器件失效，造成经济损失和事故。因此限制功率半导体器件的管芯温度不超过一定值就显得非常重要。而这一措施是通过封装实现的。功率模块封装技术，使用陶瓷基板直接键合铜（directbondingcopper缩写DBC），一面铜箔封装器件，另一面作为模块底面用于和铜底板连接，或者与铝碳化硅底板连接，或者用来直接散热片连接。目前功率模块和散热片之间通过导热膏紧密结合。而导热膏的热阻高，影响管芯热量扩散出去。因此采用新的封装结构，减少热传递回路的整体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高导热的封装基板，由双面敷有导电层（1）的陶瓷（2）和微热管（3）构成，其特征是：导电层有图案，一面图案用于封装功率电力电子器件，功率微波器件，逻辑控制电路，检测电路，引线等；另一面图案与微热管相连。

【技术特征摘要】
1.一种高导热的封装基板，由双面敷有导电层（1）的陶瓷（2）和微热管（3）构成，其特征是：导电层有图案，一面图案用于封装功率电力电子器件，功率微波器件，逻辑控制电路，检测电路，引线等；另一面图案与微热管相连。2.按照权利要求1所述的高导热的封装基板，其特征在于：导电层是无氧铜箔或者纯铝箔，导电层厚度：0.1～0.6mm。3.按照权利要求1所述的高导热的封装基板，其特征在于：陶瓷是导热陶瓷。4.按照权利要求1所述的高导热...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓嗣，
申请(专利权)人：天津开发区天地信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：天津,12