一种阵列基板及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种阵列基板及其制造方法，所述制造方法包括：在衬底基板表面形成栅极层；在所述栅极表面形成绝缘层；在所述绝缘层表面形成具有分隔部的多晶硅层；在所述具有分隔部的多晶硅层表面形成源极漏极层，使所述源极漏极层不直接与所述多晶硅层接触。通过上述方式，有效提高了源极漏极层和非晶硅层接触电阻，从而有效减小了漏电，大幅度改善了TFT器件的特性。

An array substrate and its manufacturing method

The present invention provides an array substrate and a manufacturing method thereof. The method includes: forming a gate layer on the substrate surface of the substrate; forming an insulating layer on the surface of a gate layer formed on the surface of the polysilicon layer; with the dividing part in the insulation; in the Department has a separate polycrystalline silicon layer formed on the surface of the source drain polar layer, the source drain layer and the polysilicon layer does not directly contact. Through the above way, the contact resistance between the source drain layer and the amorphous silicon layer is effectively improved, which effectively reduces the leakage and greatly improves the characteristics of the TFT device.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制造方法
本专利技术涉及液晶显示器
，特别是涉及一种阵列基板及其制造方法。
技术介绍
液晶显示器件(LiquidCrystalDisplay，LCD)以及有机电致发光显示器(OrganicLight-emittingDiode，OLED)通过电场来控制液晶(LiquidCrystal，LC)的透光率显示图像，或通过电流来控制有机发光材料显示图像。此类显示器一般都需要通过薄膜晶体管(Thin-FilmTechnology，TFT)阵列基板来实现对像素的驱动以及控制。为了实现高分辨率的要求，目前TFT阵列基板多采用低温多晶硅(Low-Temperaturepolysilicontechnology，LTPS)的制造工艺，LTPS由于电子迁移率高，亚阈值摆幅好，开关态电流比大，耗电低，且可以应用在柔性OLED基板上等特点，近几年引起了广泛的关注；但是传统的LTPS制作采用准分子镭射退火结晶(Excimerlaserannealing，ELA)来结晶，机台昂贵，制作成本高，而且在ELA结晶时由于均一性不好，容易产生亮度不均，无法制作大尺寸显示面板；固相结晶(solidphasecrystallization，SPC)由于成本低且结晶均一性好，且在结晶前注入一定剂量的硼离子可以大幅度降低结晶需要的温度和时间，这种新型的SPC结晶又开始引起业界的关注。LTPS传统的制作方法将非晶硅注入硼离子，通过快速热退火结晶的方式处理非晶硅，非晶硅上表面会形成阻抗很小的多晶硅导体层101，下部会形成半导体状的多晶硅层102；利用源极漏极层103金属电极为掩模进行干法刻蚀，将沟道区域上表面的多晶硅导体层101刻蚀掉，形成沟道，最后盖上一层钝化层104，完成所述TFT器件；但是源极漏极层103和下部的半导体状的多晶硅层102接触，会增大漏电流的路径，使漏电流增大，影响TFT的特性，如图1所示。因此，提供一种阵列基板及其制造方法实为必要。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是，提供一种阵列基板及其制造方法，通过改变传统结构中源极漏极层和非晶硅层直接接触，达到减小漏电的目的，从而可以大幅度改善TFT器件的特性。为解决上述技术问题，本专利技术采用的第一个技术方案是：提供一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：在衬底基板表面形成栅极层；在所述栅极表面形成绝缘层；在所述绝缘层表面形成具有分隔部的多晶硅层；在所述具有分隔部的多晶硅层表面形成源极漏极层，在所述具有分隔部的多晶硅层表面形成源极漏极层；所述分隔部将所述源极漏极层与所述多晶硅层隔开。所述在所述绝缘层表面形成具有分隔部的多晶硅层，使所述分隔部的电子迁移率比所述多晶硅的电子迁移率低的步骤具体包括：在所述绝缘层上图案化形成非晶硅层；在图案化的非晶硅层设置光阻，所述光阻的开口宽度小于非晶硅层的宽度；光罩后去除光阻，对所述非晶硅层进行结晶。进一步的，所述在所述绝缘层表面形成具有分隔部的多晶硅层，使所述分隔部的电子迁移率比所述多晶硅的电子迁移率低的步骤具体包括：在所述绝缘层预定区域形成凹槽，在所述凹槽内形成非晶硅层，在所述非晶硅层上形成多晶硅导体层，对所述非晶硅层进行结晶。其中，所述对所述非晶硅层进行结晶的步骤具体包括：采用快速热退火在650℃对所述非晶硅层实现结晶。其中，所述在所述具有分隔部的多晶硅层表面形成源极漏极层的步骤具体包括：沉积源极漏极层并图案化；蚀刻形成沟槽；其中，所述源极与所述漏极通过所述沟道相隔开；在所述源极以及漏极的表面沉积钝化层。其中，所述在衬底基板表面形成栅极层的步骤具体包括：采用气象沉积的方式在所述衬底基板上形成金属层；蚀刻所述金属层形成所述栅极层。所述在所述栅极表面形成绝缘层的步骤具体包括：采用物理或化学沉积的方式在所述栅极上形成绝缘层。为解决上述技术问题，本专利技术采用的第二个技术方案是：提供一种阵列基板包括：依次形成在衬底基板上的栅极层、绝缘层、多晶硅层和源极漏极层；其中，所述多晶硅层包括分隔部，所述分隔部将所述源极漏极层和所述多晶硅层隔开，所述分隔部的电子迁移率比所述多晶硅的电子迁移率低。其中，所述绝缘层上蚀刻有凹槽，所述分隔部为所述绝缘层上凹槽的侧壁。可选的，所述分隔部是由非晶硅材料形成的分隔部。本专利技术的有益效果是：本专利技术通过改变传统结构中源极漏极层和多晶硅层直接接触，使用分隔部将多晶硅层和源极漏极层隔开，使接触电阻大幅提高，从而可以达到大幅减小漏电的目的，大幅度改善了TFT器件的特性。此外，本专利技术采用注入硼离子的固相结晶的方式来代替准分子镭射退火结晶，有效改善了准分子镭射退火结晶带来的均一性问题，同时大幅度降低结晶需要的温度和时间，有效降低了生产成本。附图说明图1是现有技术阵列基板的结构示意图；图2是本专利技术阵列基板的制造方法一实施例的流程示意图；图3是本专利技术阵列基板第一实施例的结构示意图；图4是本专利技术阵列基板第二实施例的结构示意图；图5是本专利技术阵列基板第三实施例的结构示意图；图6是本专利技术阵列基板第四实施例的结构示意图；图7是本专利技术阵列基板第五实施例的结构示意图；图8是本专利技术阵列基板第六实施例的结构示意图。具体实施方式请参阅图2，图2是本专利技术阵列基板的制造方法一实施例的流程图，本实施例的阵列基板的制造方法包括如下步骤：201：在衬底基板表面形成栅极层。具体的，将衬底基板放入沉积腔室中，沉积一层金属层，并对该金属层图案化形成栅极。其中，在形成该金属层之前，先在该衬底基板上沉积缓冲层，缓冲层根据阵列基板的用途可以加设遮光层和离子阻挡层，在此不在赘述。上述衬底基板为玻璃、石英中的至少一种，在其它实施方式中，也可以为其它透明材质，在此不做限定。202：在栅极表面形成绝缘层。其中，该栅极绝缘层通过物理或化学气相沉积的方式形成。其中，栅极绝缘层包括氮化硅SiNx，非晶氧化硅SiOx中的至少一种。203：在绝缘层表面形成具有分隔部的多晶硅层；具体的，在绝缘层上图案化形成非晶硅层，在图案化的非晶硅层设置光阻，并在非晶硅层注入硼离子，注入硼离子后将经过光罩处理后的光阻剥离；其中，光阻开开口宽度小于非多晶硅层的宽度。可选的，在绝缘层中部预定区域形成凹槽，在绝缘层上沉积非晶硅层，并保留凹槽内非晶硅层；在凹槽内沉积形成多晶硅导体层，在多晶硅导体层注入的硼离子，对非晶硅层进行结晶。在一个可选的实施方式中，可采用快速热退火技术对上述多晶硅层形成结晶。在一个具体的实施方式中，可通过650℃的温度对该上述多晶硅层形成结晶。在其它实施方式中，也可通过其它温度，如700摄氏度、640摄氏度等，只要能够按照标准实现该多晶硅的结晶即可，在此不做奠定。烘烤时间可以为15min，也可以为14分钟、16分钟，在此不做限定。在另一个实施方式中，还可以通过准分子镭射退火的方式使掺杂离子即硼离子和磷离子扩散，以形成多晶硅层，在此不做限定。204：在具有分隔部的多晶硅层表面形成源极漏极层，使源极漏极层不直接与多晶硅层接触。其中，沉积源极漏极层并图案化；蚀刻形成沟槽；其中，源极与漏极通过沟道相隔开；在源极以及漏极的表面沉积钝化层。具体地，在多晶硅层上形成以一沟道分隔开的源极和漏极，最后在栅极、源极和漏极形成以后，在薄膜晶体管的表面沉积绝缘钝化层。下面将结合附图对本专利技术作进一步说明。如图3～5所示，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：在衬底基板表面形成栅极层；在所述栅极表面形成绝缘层；在所述绝缘层表面形成具有分隔部的多晶硅层；在所述具有分隔部的多晶硅层表面形成源极漏极层；所述分隔部将所述源极漏极层与所述多晶硅层隔开。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：在衬底基板表面形成栅极层；在所述栅极表面形成绝缘层；在所述绝缘层表面形成具有分隔部的多晶硅层；在所述具有分隔部的多晶硅层表面形成源极漏极层；所述分隔部将所述源极漏极层与所述多晶硅层隔开。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述绝缘层表面形成具有分隔部的多晶硅层，使所述分隔部的电子迁移率比所述多晶硅的电子迁移率低的步骤具体包括：在所述绝缘层上图案化形成非晶硅层；在图案化的非晶硅层设置光阻，所述光阻的开口宽度小于非晶硅层的宽度；光罩后去除光阻，对所述非晶硅层进行结晶。3.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述绝缘层表面形成具有分隔部的多晶硅层，使所述分隔部的电子迁移率比所述多晶硅的电子迁移率低的步骤具体包括：在所述绝缘层预定区域形成凹槽，在所述凹槽内形成非晶硅层，在所述非晶硅层上形成多晶硅导体层，对所述非晶硅层进行结晶。4.根据权利要求2或3所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述对所述非晶硅层进行结晶的步骤具体包括：采用快速热退火在650℃对所述非晶硅层实现结...

【专利技术属性】
技术研发人员：余威，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42