金属膜蚀刻液组合物及显示装置用阵列基板的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种金属膜蚀刻液组合物及显示装置用阵列基板的制造方法，上述金属膜蚀刻液组合物包含A)过氧化氢(H2O2)、B)含氟化合物、C)烷基四唑系化合物、D)咪唑系化合物、E)一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物、F)硫酸盐、和G)多元醇型表面活性剂，从而具有使随处理张数增加而变化的蚀刻结束所需时间(End Point Detection；EPD)、侧蚀(Side etch)、锥角(Taper angle)的变化量最小化的效果。

Fabrication method of metal film etching liquid composition and array substrate for display device

【技术实现步骤摘要】
金属膜蚀刻液组合物及显示装置用阵列基板的制造方法
本专利技术涉及一种金属膜蚀刻液组合物及使用上述金属膜蚀刻液组合物的显示装置用阵列基板的制造方法。
技术介绍
半导体装置中，在基板上形成金属配线的过程通常包括利用如下工序的步骤：利用溅射等的金属膜形成工序；利用光致抗蚀剂涂覆、曝光及显影的选择性区域中的光致抗蚀剂形成工序；及蚀刻工序，并且包括在个别单元工序前后的清洗工序等。这样的蚀刻工序是指，将光致抗蚀剂作为掩模，在选择性区域中留下金属膜的工序，通常使用利用等离子体等的干式蚀刻或利用金属膜蚀刻液组合物的湿式蚀刻。一般而言，液晶显示装置包含由薄膜晶体管基板、滤色器基板、以及注入在两基板之间的液晶层形成的液晶面板。液晶层由印刷在两基板的边缘四周且包围液晶层的封止剂结合。由于液晶面板为非发光元件，因此在薄膜晶体管基板的后面设有背光单元。背光所照射的光根据液晶分子的排列状态而调节透光量。为了向液晶层传递信号，薄膜晶体管基板上形成有配线。薄膜晶体管基板的配线包括栅极配线和数据配线。这里，栅极配线包含施加栅极信号的栅极线和薄膜晶体管的栅电极，数据配线包含与栅极配线绝缘而施加数据信号的数据线和构成薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属膜蚀刻液组合物，其包含A)过氧化氢、B)含氟化合物、C)烷基四唑系化合物、D)咪唑系化合物、E)一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物、F)硫酸盐、和G)多元醇型表面活性剂。

【技术特征摘要】
2016.07.19 KR 10-2016-0091531;2017.03.22 KR 10-2011.一种金属膜蚀刻液组合物，其包含A)过氧化氢、B)含氟化合物、C)烷基四唑系化合物、D)咪唑系化合物、E)一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物、F)硫酸盐、和G)多元醇型表面活性剂。2.根据权利要求1所述的金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述B)含氟化合物为选自由HF、NaF、NH4F、NH4BF4、NH4HF2、KF、KHF2、AlF3和HBF4组成的组中的一种以上。3.根据权利要求1所述的金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述C)烷基四唑系化合物为选自由5-甲基-1H-四唑、5-苯基-1H-四唑、5-氨基-1-甲基四唑、5-苄基-1H-四唑、5-巯基-1-甲基四唑和1-甲基-1H-四唑组成的组中的一种以上。4.根据权利要求1所述的金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述D)咪唑系化合物为选自由咪唑、苯并咪唑、2-苯基咪唑、1-甲基-1H-咪唑、2-甲基-1H-咪唑、4-甲基-1H-咪唑、1H-咪唑-1-丙胺、1H-咪唑-1-乙胺、2-巯基苯并咪唑、2-巯基甲基苯并咪唑和1,2-二甲基咪唑组成的组中的一种以上。5.根据权利要求1所述的金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述E)一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物为选自由丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、甘氨酸、亚氨基二乙酸、氨三乙酸和肌氨酸组成的组中的一种或两种以上。6.根据权利要求1所述的金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述G)多元醇型表面活性剂为选自由甘油、三乙二醇和聚乙二醇组成的组中的一种以上。7.根据权利要求1所述的金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述F)硫酸盐为选自由硫酸铵、硫酸钠、硫酸钾、硫酸镁和硫酸锂组成的组中的一种以上。8.根据权利要求1所述的金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，进一步包含有机酸。9.根据权利要求8所述的金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述有机酸为选自由乙酸、丁酸...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁圭亨，金童基，金兑勇，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR